Mikrosenzory a mikromechanické systémy - Vysoké uÄÂenàtechnické ...
Mikrosenzory a mikromechanické systémy - Vysoké uÄÂenàtechnické ... Mikrosenzory a mikromechanické systémy - Vysoké uÄÂenàtechnické ...
Mikrosenzory a mikromechanické systémy 33Obrázek 4.14:Příklad vytvoření tenkovrstvého odporuHodnoty rezistorů se navrhují podle hodnoty stanovené na čtverec, tj. odpor na čtverecse vypočte podle měrného odporu deponovaného materiálu a jeho tloušťky:R□ = ρtloušt' ka[Ω/□], ( 4.2 )Je zřejmé, že nezáleží na velikosti čtverce, hodnotu celkového odporu určuje početčtverců. Potvrzuje se, že určujícím parametrem pro vytvoření přesného odporu je tloušťkamateriálu. Protože pracujeme s tloušťkami v několika desítek či stovek nm a víme, žetechnologické vybavení umožňuje poměrně velkou odchylku od požadované tloušťky, jezřejmé, proč je tak obtížné vyrobit přesný odpor tenkovrstvou technologií.4.4.2 Selektivní leptáníTato technika umožní vytvoření motivů za využití masky a chemicko-fyzikálníchprincipů roztoků a materiálů. Masku tvoří většinou fotorezist, který je polymerizovánelektronovou litografií, nepolymerizované části jsou rozpuštěny a odplaveny. Do polovodičůlze tak vytvářet díry (jámy), které získávají směrem do hloubky tvar určený orientací
34 Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií VUT v Brněkrystalové mříže materiálu (Obrázek 4.15). Anizotropní leptání umožňuje rychlé leptáníjedním směrem krystalové mřížky a je převážně využívána u technologie, která potřebuje obatypy vodivosti. Základem je substrát většinou s vodivostí typu N. Do vytvořených jam lzeepitaxně deponovat polovodič typu P. Tímto leptáním lze vytvářet také velmi tenkémembrány pro využití u senzorů tlaku, plynů, teploty apod. Byly vyvinuty také techniky,které elektrochemickou cestou za pomocí UV záření mohou do křemíkové substrátu vytvořitmikropóry s pravidelným rozmístěním bez použití masky. Toto pravidelné rozmístění je dánokrystalovou strukturou křemíku.Obrázek 4.15:Příklad leptání jámy do Si za použití masky
- Page 4 and 5: DESCRIPTIONSafety FittingsIt is not
- Page 6 and 7: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 8: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 11 and 12: 8 Fakulta elektrotechniky a komunik
- Page 14 and 15: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 16 and 17: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 18 and 19: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 20 and 21: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 22 and 23: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 24 and 25: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 26 and 27: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 28 and 29: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 30 and 31: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 32 and 33: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 34 and 35: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 38 and 39: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 40 and 41: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 42 and 43: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 44 and 45: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 46 and 47: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 48 and 49: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 50 and 51: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 52 and 53: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 54 and 55: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 56 and 57: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 58 and 59: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 60 and 61: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 62 and 63: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 64 and 65: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 66 and 67: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 68 and 69: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 70 and 71: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 72 and 73: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 74 and 75: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 76 and 77: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 78 and 79: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 80 and 81: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 82 and 83: Mikrosenzory a mikromechanické sys
- Page 84 and 85: Mikrosenzory a mikromechanické sys
<strong>Mikrosenzory</strong> a mikromechanické systémy 33Obrázek 4.14:Příklad vytvoření tenkovrstvého odporuHodnoty rezistorů se navrhují podle hodnoty stanovené na čtverec, tj. odpor na čtverecse vypočte podle měrného odporu deponovaného materiálu a jeho tloušťky:R□ = ρtloušt' ka[Ω/□], ( 4.2 )Je zřejmé, že nezáleží na velikosti čtverce, hodnotu celkového odporu určuje početčtverců. Potvrzuje se, že určujícím parametrem pro vytvoření přesného odporu je tloušťkamateriálu. Protože pracujeme s tloušťkami v několika desítek či stovek nm a víme, žetechnologické vybavení umožňuje poměrně velkou odchylku od požadované tloušťky, jezřejmé, proč je tak obtížné vyrobit přesný odpor tenkovrstvou technologií.4.4.2 Selektivní leptáníTato technika umožní vytvoření motivů za využití masky a chemicko-fyzikálníchprincipů roztoků a materiálů. Masku tvoří většinou fotorezist, který je polymerizovánelektronovou litografií, nepolymerizované části jsou rozpuštěny a odplaveny. Do polovodičůlze tak vytvářet díry (jámy), které získávají směrem do hloubky tvar určený orientací