Mikrosenzory a mikromechanické systémy - Vysoké učení technické ...

Mikrosenzory a mikromechanické systémy - Vysoké učení technické ... Mikrosenzory a mikromechanické systémy - Vysoké učení technické ...

umel.feec.vutbr.cz
from umel.feec.vutbr.cz More from this publisher
13.07.2015 Views

Mikrosenzory a mikromechanické systémy 33Obrázek 4.14:Příklad vytvoření tenkovrstvého odporuHodnoty rezistorů se navrhují podle hodnoty stanovené na čtverec, tj. odpor na čtverecse vypočte podle měrného odporu deponovaného materiálu a jeho tloušťky:R□ = ρtloušt' ka[Ω/□], ( 4.2 )Je zřejmé, že nezáleží na velikosti čtverce, hodnotu celkového odporu určuje početčtverců. Potvrzuje se, že určujícím parametrem pro vytvoření přesného odporu je tloušťkamateriálu. Protože pracujeme s tloušťkami v několika desítek či stovek nm a víme, žetechnologické vybavení umožňuje poměrně velkou odchylku od požadované tloušťky, jezřejmé, proč je tak obtížné vyrobit přesný odpor tenkovrstvou technologií.4.4.2 Selektivní leptáníTato technika umožní vytvoření motivů za využití masky a chemicko-fyzikálníchprincipů roztoků a materiálů. Masku tvoří většinou fotorezist, který je polymerizovánelektronovou litografií, nepolymerizované části jsou rozpuštěny a odplaveny. Do polovodičůlze tak vytvářet díry (jámy), které získávají směrem do hloubky tvar určený orientací

34 Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií VUT v Brněkrystalové mříže materiálu (Obrázek 4.15). Anizotropní leptání umožňuje rychlé leptáníjedním směrem krystalové mřížky a je převážně využívána u technologie, která potřebuje obatypy vodivosti. Základem je substrát většinou s vodivostí typu N. Do vytvořených jam lzeepitaxně deponovat polovodič typu P. Tímto leptáním lze vytvářet také velmi tenkémembrány pro využití u senzorů tlaku, plynů, teploty apod. Byly vyvinuty také techniky,které elektrochemickou cestou za pomocí UV záření mohou do křemíkové substrátu vytvořitmikropóry s pravidelným rozmístěním bez použití masky. Toto pravidelné rozmístění je dánokrystalovou strukturou křemíku.Obrázek 4.15:Příklad leptání jámy do Si za použití masky

<strong>Mikrosenzory</strong> a mikromechanické systémy 33Obrázek 4.14:Příklad vytvoření tenkovrstvého odporuHodnoty rezistorů se navrhují podle hodnoty stanovené na čtverec, tj. odpor na čtverecse vypočte podle měrného odporu deponovaného materiálu a jeho tloušťky:R□ = ρtloušt' ka[Ω/□], ( 4.2 )Je zřejmé, že nezáleží na velikosti čtverce, hodnotu celkového odporu určuje početčtverců. Potvrzuje se, že určujícím parametrem pro vytvoření přesného odporu je tloušťkamateriálu. Protože pracujeme s tloušťkami v několika desítek či stovek nm a víme, žetechnologické vybavení umožňuje poměrně velkou odchylku od požadované tloušťky, jezřejmé, proč je tak obtížné vyrobit přesný odpor tenkovrstvou technologií.4.4.2 Selektivní leptáníTato technika umožní vytvoření motivů za využití masky a chemicko-fyzikálníchprincipů roztoků a materiálů. Masku tvoří většinou fotorezist, který je polymerizovánelektronovou litografií, nepolymerizované části jsou rozpuštěny a odplaveny. Do polovodičůlze tak vytvářet díry (jámy), které získávají směrem do hloubky tvar určený orientací

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!