13.07.2015 Views

Mikrosenzory a mikromechanické systémy - Vysoké učení technické ...

Mikrosenzory a mikromechanické systémy - Vysoké učení technické ...

Mikrosenzory a mikromechanické systémy - Vysoké učení technické ...

SHOW MORE
SHOW LESS
  • No tags were found...

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

32 Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií VUT v BrněFotolitografické zpracování je dalším krokem při výrobě. Je to technologický postup,který umožňuje tvarovat vrstvy na substrátu do příslušných obrazců. Je složen ze dvouprocesů - maskování pomocí fotorezistů a chemického leptání tenkých vrstev. Při vytvářenípřímé masky se fotorezist nanáší na celý povrch podložky. Fotorezist se exponuje přesfotomatrici pomocí ultrafialového záření. Účinkem ultrafialového záření dochází u fotorezistuke změnám jeho rozpustnosti v určitých vývojkách. Následuje vyvolání fotorezistu, při němžje odstraněna část fotorezistu s velkou rozpustností ve vývojce. Nerozpuštěná část fotorezistuslouží jako ochranná vrstva při selektivním leptání, při němž je odstraněna část tenké vrstvy.Po leptání se fotorezistová maska odstraní. Fotolitografie se opakuje podle požadovanéhomotivu několikrát. Vodiče a pájecí plošky mohou být zesíleny zlatem pro zajištění dobrévodivosti. Příklad vytvoření tenkovrstvého odporu je uveden na Obrázek 4.14. Povšimnětesi, kolik technik je využito pro jeho realizaci.Vakuovým nanášením s následnou fotolitografií nelze vyrobit rezistory s přesnýmiodpory v úzké toleranci (± 20%). To je způsobeno rozptyly při nanášení, nepřesností masek,podleptáním atd. Proto jsou rezistory do požadované tolerance dále dostavovány.Nejjednodušším způsobem dostavení rezistorů je dostavení elektroerozí, při níž sewolframový hrot o napětí 10 ÷ 60 V vůči opracovávané vrstvě pohybuje po povrchu substrátua elektrickou jiskrou vypaluje do tenkovrstvého odporu drážku nebo přepaluje zkratovacípropojky. Nejpoužívanější metodou je laserové trimování. Metody umožňují odpor pouzezvětšovat. Přesnost je ± 0.1%. Daleko vyšší přesnosti se dosahuje v tzv. matchingu, tj.vzájemná tolerance mezi jednotlivými odpory od referenční hodnoty. To umožňuje vyhnoutse trimování v hodně případech vhodným návrhem obvodového řešení.

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!