2008-7KMI.pdf - Institut tehniÄkih nauka SANU
2008-7KMI.pdf - Institut tehniÄkih nauka SANU
2008-7KMI.pdf - Institut tehniÄkih nauka SANU
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
Sedma konferencija mladih istraživača – Nauka i inženjerstvo novih materijala22.-24. decembar <strong>2008</strong>. godine, Sala 2, <strong>SANU</strong>, Knez Mihailova 35, BeogradModelovanje probojnog napona za generisanje mikropražnjenjaVI/1Ivana Đorđević, Marija Radmilović-Rađenović, Zoran Lj. Petrović<strong>Institut</strong> za fiziku, ZemunMikropražnjenja predstavljaju novi front istraživanja na polju neravnotežne plazme, koja jeveć u upotrebi kao jedan od krucijalnih tehnoloških faktora u daljem razvoju mikroelektronike,ujedno predstavljajući i osnov za razvoj nove generacije nano-elektronskih uredjaja neophodnih za65 nm i 40 nm tehnologije. Sve većem interesovanju za proučavanje mikropražnjenja doprinosi irazvoj tehnologije plazma nagrizanja (bez koga se ne može zamilsiti proizvodnja integrisanih kola),generisanje nanostruktura, kao i mikro-biološki i nano-biološki razvoj i dijagnostika. Posebno trebaistaći činjenicu da se plazma izvori mikronskih dimenzija, mogu integrisati sa drugim mikroelektromehaničkimsistemima (MEMS). Mikrosistemi bazirani na plazmi se, dalje, mogu primenitiu bio-MEMS sterilizaciji i mikrohemijskoj analizi sistema, postavljajući zahteve za što boljimrazumevanjem kinetike i fizičkih fenomena vezanih za mikropražnjenja.VI/2Modelovanje karakteristika pražnjenja kod kapacitivno spregnutih reaktorasa dve frekvencijeAleksandar Bojarov, Marija Radmilović-Radjenović, Zoran Lj. Petrović<strong>Institut</strong> za fiziku, ZemunU ovom radu modelovali smo dvofrekventni kapacitivno spregnuti plazma reaktor (DF-CCP) korišćenjem modifikovanog elektrostatičkog 1d3v PIC/MCC koda. Dobijeni rezulati imajuveliki značaj, kako u fundamentalnim istraživanima tako i za industrijske aplikacije posebno utehnologiji za nanoelektroniku. Dvofrekfentne plazme se koriste za nagrizanje dielektričnihinterkonekt slojeva visokog odnosa dubine i širine (kontaktni otvori). Kod DF-CCP, gustina plazmekontroliše se pomoću viših frekvencija, dok energija jona zavisi od napona prielektrodne oblasti ikontroliše se nižim frekvencijama. Dobijeni rezultati ukazuju da napon niže frekvencije utiče naenergiju jona u blizini elektrode, dok napon generatora više frekvencije utiče na fluks jona naelektrodu.24
Change language