2008-7KMI.pdf - Institut tehničkih nauka SANU

Sedma konferencija mladih istraživača – Nauka i inženjerstvo novih materijala22.-24. decembar 2008. godine, Sala 2, SANU, Knez Mihailova 35, BeogradIII/1Određivanje energetskih nivoa GaAs/AlGaAs kvantnih laserskih strukturakao funkciija širine i dubine kvantne jameDalibor Sekulić, Miljko SatarićFakultet tehničkih nauka, Novi SadKvantni laseri su zasnovani na kvantnomehaničkom inženjeringu poluprovodničkihstruktura. Od njihove prve realizacije, 1977. godine, do danas dan, nalaze se u samom vrhuistraživanja sa primenom u oblastima kao što su telekomunikacije, spektrometrija itd. U ovom raduje predstavljena grafička metoda određivanja dozvoljenih energetskih nivoa GaAs/GaAlAs kvantnihlaserskih struktura kao funkcija širine i dubine kvantne jame. Optimalna širina kvantne jame jeodređena da bude 100Å za uobičajene GaAs/AlGaAs kvantne laserske strukture. Ova izračunavanjadozvoljenih energetskih nivoa veoma dobro se slažu sa objavljenim eksperimentalnim podacima.Kriterijum otkaza drugog reda u laminatnim strukturamaIII/2Aleksandar RadakovićMašinski fakultet, KragujevacU radu se posmatra kriterijum otkaza drugog reda u laminatnim strukturama, koji se zasnivana formiranju tenzorsko polinomnog funkcionala od komponenti tenzora napona i komponentitenzora jačine. Korišćenjem programskog paketa Matlab dobijene su krive otkaza laminata unaponskom i deformacionom polju. Variranjem bezdimenzionog parametra Fxy*, dobijaju se krivena osnovu kojih se vrši ocena dozvoljene jačine laminata.10