hesabatı - Bakı Dövlət Universiteti

AZƏRBAYCAN RESPUBLİKASI TƏHSİL NAZİRLİYİBAKI DÖVLƏT UNİVERSİTETİFİZİKA PROBLEMLƏRİ ELMİ-TƏDQİQAT İNSTİTUTUYARIMKEÇİRİCİLƏR FİZİKASI ŞÖBƏSİELEKTRONİKA ÜÇÜN PERSPEKTİVLİ OLAN MATERİAL VƏSTRUKTURLARIN ALINMASI VƏ TƏDQİQİNANO- VƏ MİKROELEKTRONİKA ÜÇÜN PERSPEKTİVLİ OLANYARIMKEÇİRİCİ MATERİALLAR VƏ ONLARIN ƏSASINDASTRUKTURLARIN TEXNOLOGİYASI, OPTİK VƏ ELEKTRİK XASSƏLƏRİmövzusunda 2011-cı il üçünH E S A B A T IFizika Problemləri ETİ-nindirektoru, AMEA-nın müxbir üzvüprof. Hacıyev S.Ə.Yarımkeçiricilər fizikasışöbəsinin müdirif.r.e.d Rüstəmov F.Ə.BAKI – 2011

32. İCRAÇILARIN SİYAHISISoyadı, adı, atasının adı VəzifəsiElmidərəcəsiElmi adıStat1. Rüstəmov Fərhad Ərəstun oğlu şöbə müdiri f.r.e.d. Dosent 1 şt.2. Ağasıyev Arif Ayaz oğlu baş e.i. f.r.e.d. Dosent 1 şt.3. Əsgərov Şahlar Qaçay oğlu apar.e.i. f.r.e.d. Prof 1 şt.4. Lebedeva Nelya Nikolayevna apar.e.i. f.r.e.n. Dos 1 şt.5. Dərvişov Namiq Hacıxəlil oğlu apar.e.i. f.r.e.n. Dos 1 şt.6. Bağıyev Vidadi Ənvər oğlu apar.e.i. f.r.e.n. Dos 1 şt.7. Məmmədov Mübariz Zabid böyük e.i. f.r.e.n. 1 şt.8. Quliyeva Tahirə Zeynal qızı böyük e.i. f.r.e.n. 1 şt.9. Əfəndiyeva İzzət Məmməd qızı böyük e.i. f.r.e.n. 1 şt.10. Axundov Çingiz Qəni oğlu böyük e.i. f.r.e.n. 1 şt.11. Nəsirov Elşən Fayaz oğlu böyük e.i. f.r.e.n. 1 şt.12. Orbux Vladimir İsakoviç e.i. f.r.e.n. 1 şt.13. Şərbətov Vaqif Xeyrulla oğlu e.i. f.r.e.n. 1 şt.14. Həsənov Məhəmməd Hidayət e.i. 1 şt.15. Qocayeva Şöqiyə Mehdi qızı k.e.i. 1 şt.16. Bobrova Yevgeniya Yuryevna mühəndis 1 şt.17. Muradov Sənan Rəsul oğlu mühəndis 1 şt.18. Bağırova Samirə Eldar qızı mühəndis 1 şt.19. Qocayev Nizami Nağdəli oğlu mühəndis 1 şt.20. Qafarova Həcər Oktay qızı mühəndis 1 şt.21. Muxtarov Natiq Əlibala oğlu laborant 1 şt.22. Həsənova Rəna Səftər qızı laborant 1 şt.23. Cəfərov Maarif Əli oğlu apar.e.i.(əvəz) f.r.e.d. 0.5 şt.24. Muradov Əhliman Xanəli o. apar.e.i.(əvəz) f.r.e.d. 0.5 şt.25. Qəribov Qeys İbrahim oğlu apar.e.i.(əvəz) f.r.e.n. 0.5 şt.26. Mehdiyev Rəşid Fərzəli oğlu apar.e.i.(əvəz) f.r.e.n. 0.5 şt.27. Ağayev Mustafa Nuhbala oğlu böyük e.i. (əvəz) f.r.e.n. 0.5 şt.28. Rzayev Rövnəq Mirzə oğlu k.e.i.(əvəz) f.r.e.n. 0.5 şt.29. Məmmədova Sevda Adil qızı k.e.i.(əvəz) 0.5 şt.

43. QRANTLAR ƏSASINDA YERİNƏ YETİRİLƏN ELMİ TƏDQİQATİŞLƏRİ (CƏDVƏL 15)4. AMEA İLƏ ELMİ ƏLAQƏLƏRYarımkeçiricilər fizikası şöbəsinin əməkdaşları 2011-cı ildə AMEA –nın Fizikaİnstitutu, Radiasiya Problemləri İnstitutu, BDU –nun Nanoaraşdırmalar Mərkəzi iləelmi əməkdaşlıq etmişdir. Şöbənin bir əməkdaşı Fizika İnstitundakı “Yarımkeçiricilərvə dielektriklər fizikası” müdafiə şurasında bir fəlsəfə elmləri doktoru müdafiəsindəopponentlik etmişdir.2011-cu ildə AMEA-nın hesabatina daxil edilməsi üçün 1 mühüm elmi tədqiqatişinin nəticələri təqdim edilmişdir.Mikroməsaməli Si təbəqələrinin lyuminessent xassələrinə müxtəlif turşulardakıəlavə aşılanmanın təsiriMəsaməli silisiumun nazik təbəqələrinin fotolyuminessensiya həyəcanlanma vəşüalanma spektrləri təbii oksidləşmə zamanı tədqiq edilmişdir. Hər iki spektrin yüksəkenerjilər istiqamətində sürüşdüyü göstərilmişdir. Bu spektrlərin tədqiqifotolyuminessensiyaya səbəb keçidlərin çəpinə keçidlər olduğunu göstərir. Hər bir haldaqadağan olunmuş zonanın optik eni təyin olunmuş və onun təbii oksidləşmə zamanıartması göstərilmişdir ki, bu da silisium nanokristallitlərinin ölçülərinin azalması iləəlaqədardır.İcracılar: f.r.e.d. F.Ə. Rüstəmov, f.r.e.n. N.H. Dərvişov, f.r.e.n. M.Z.Məmmədov,Y.Y. Bobrova, H.O. Qafarova5. ELMİ-TƏDQİQAT İŞLƏRİNİN ƏSAS İSTİQAMƏTLƏRİElmi istiqamət: FizikaProblem: Elektronika üçün perspektivli olan material və strukturlarin alinmasi vətədqiqiMövzu: Nano- və mikroelektronika üçün perspektivli olan yarımkeçirici materiallarvə onların əsasında strukturların texnologiyası, optik və elektrik xassələri5.1. p-Si monokristallik lövhələrində lyuminessensiya qabiliyyətlimikroməsaməli Si təbəqələrinin elektrokimyəvi aşılama metodu ilə alınmatexnologiyasının işlənməsi və onların şüalanma spektrlərinin tədqiqi2 mərhələ. Mikroməsaməli Si təbəqələrinin lyuminessent xassələrinə müxtəlifturşulardakı əlavə aşılanmanın təsiriİcraçılar: A.Ağasıyev, N.H.Dərvişov, M.Z.Məmmədov, Ç.Q.Axundov,V.X.Şərbətov, S.R.Muradov, N.N.Qocayev, H.O.Qafarova, S.E.Bağırova.Sirkə turşusunun kimyəvi aşılama metodu ilə alınan məsaməli silisiumaoksidləşdiricinin çatışmazlığı rejimində təsiri öyrənilmişdir. Məlum olmuşdur ki, sirkəturşusunun konsentrasiyasının artması ilə inkubasiya müddəti artır, məsaməyaranmasürəti azalır, məsaməli silisiumun lateral bircinsliyi yaxşılaşır və qabarcıqların əmələgəlməsi azalır. Reaksiyanın sürətinin azalması formalaşma zamanı bir-birindənölçülərinə, səthdə paylanmasına və səthə yapışma qabiliyyətinə görə fərqlənən iki növ

5qabarcıqların müşahidə olunmasına imkan vermişdir. Reaksiyanın qabarcıq olmadangetməsi üçün HF/HNO 3 /CH 3 COOH aşılama məhlulunun optimal konsentrasiyasımüəyyən olunmuşdur. Bu zaman müxtəlif qalınlıqlı, bircinsli, güzgü səthli məsaməlisilisium təbəqələri almaq mümkün olmuşdur. Kimyəvi aşılamanın məhdud səthdə başverməsinə baxmayaraq, sərhədlərin təsiri gözə çarpmır və məsaməyaranma prosesi çoxyaxşı təkrarlanmaya malikdir. Məlum olmuşdur ki, bu konsentrasiyada məsaməyaranmaprosesi məhlulun miqdarından asılı deyil. Belə ki, çox az miqdarda məhlulda daməsaməli silisium almaq olur. Məlum olmuşdur ki, məsaməyaranma sürətinindəyişməsi, silisum təbəqələrinin reaksiyadan qabaq son təmizləmə üsulu inkubasiyamüddətinə təsir edərək məsaməyaranma reaksiyasının getmə sürətinə təsir etmir. Eynizamanda fotolyuminesensiyanın şüalanma və həyəcanlandırma spektrləri də tədqiqedilmişdir. Aşılanma zamanından asılı olmayaraq, alınan bütün nümunələrdə,elektrokimyəvi metodla alınmadan fətqli olaraq, maksimumların vəziyyəti demək olarki, dəyişmir. Həyacanlandırma spektrlərinin tədqiqi göstərdi ki, aşılanma zamanınınartması ilə qadağan olunmuş zonanın eni kiçilir.5.2. Günəş batareyalarının baza elementi olan Zn x (Cd 1-x ,S y )Sе 1-y naziktəbəqələrinin kimyəvi və elektrokimyəvi çökdürmə üsulu ilə alınması, onlarinelektrik, fotoelektrik və optik xassələrinin tədqiqi2mərhələ Alınmış Zn x (Cd 1-x ,S y )Sе 1-y nazik təbəqələrinin optik xassələrinin tədqiqi.İcraçılar: M.Ə.Cəfərov, V.Ə.Bağıyev, E.F.Nəsirov, Q.İ.Qəribov, R.M.Mehdiyev,R.M.Rzayev, S.A.MəmmədovaMəhluldan elektrokimyəvi üsulla müxtəlif tərkib (0≤x≤0.6 və 0≤x≤0.5) vəqalınlıqlı (d=0.1–2.0mkm) Cd 1-х Zn х S və ZnS 1-x Sе x nazik təbəqələrinin alınmatexnologiyası şərh olunmuşdur. Burada nazik təbəqələrin və onların əsasındahazırlanmış strukturların spektrin görünən və yaxın infraqırmızı oblastında yüksəkhəssaslığını təmin edən optimal tərkib və elektrokimyəvi çökdürmə rejimlərinininmüəyyən edilməsi üçün böyük təcrübi iş aparılmışdır. Sulu məhluldan katodçökdürməsi üsulu ilə müxtəlif altlıqlar ( Si, İn 2 О 3 , Ni) üzərində Cd 1-х Zn х S (0≤x≤0.6) vəZnS 1-x Sе x (0≤й≤0.5) nazik təbəqələri alınır. Cd 1-х Zn х S təbəqələrinin alınmasındaCdCl 2 +ZnCl 2 +Na 2 S 2 O 3 +H 2 O tərkibli, ZnS 1-x Sе x təbəqələrinin alınmasında isəZnCl 2 +Na 2 S 2 O 3 + Na 2 Se 2 O 3 +H 2 O və ya ZnCl 2 + SO 2 +SeO 2 +H 2 O tərkibli sulu məhluldanistifadə olunur. Cd 1-х Zn х S nazik təbəqələrinin müxtəlif tərkibdə alınması üçün məhluldaZnCl 2 -nin, ZnS 1-x Sе x nazik təbəqələrinin müxtəlif tərkibdə alınması üçün isə SeO 2 -nin(və ya Na 2 Se 2 O 3 ) miqdarı dəyişdirilir.Məhlulların hazırlanması üçün aşağıdakı duzlardan istifadə olunmuşdur: CdCl 2 ,ZnCl 2 , CdBr 2 , ZnBr 2 , Cd(СН 3 СOO) 2 , Zn(СН 3 СOO) 2 , CdSO4 və ZnSO 4 , eləcə dətiomoçevin SC(NH 2 ) 2 . Məhlullar metal duzlarının 0,05 mol/l miqdarında vəC M :C thio =1:3 nisbətində hazırlanmışdır. Reaksiya qarışığında anion komponentininüstün formasının alınan bərk məhlul təbəqələrinin tərkibinə təsir qanunauyğunluqlarınınmüəyyən olunmasını xüsusilə qeyd etmək lazımdır. Bərk məhlulda CdS –in miqdarınınartmasına görə kadmium duzları Y < Вг~ < Сl < СН 3 СОО < SO 4 ardıcıllığı alınmışdır.

6Alınmış ardıcıllıq cövhərin tiokarbonil atomunun anionlarla birləşmə aktivliyininmüxtəlif olması ilə izah olunur. Aktivləşmə mexanizmi N 2 H 4 CS molekulunda elektronbuludunun yenidən paylanması hesabına carbon- kükürd əlaqəsinin zəifləməsi iləbağlıdır. Aşkar edilmişdir ki, alınmış Cd 1-х Zn х S nazik təbəqələrinin xüsusi müqavimətiх- in artması ilə böyüyür. Lakin müəyyən tərkibli nazik təbəqələrin xüsusimüqavimətini azaltmaq məqsədi ilə məhlulda metal/qeyri-metal nisbəti idarəolunmalıdır. ZnS 1-x Sе x nazik təbəqələrinin yaranma-formalaşma prosesi də Cd 1-х Zn х S –də olduğu kimi otaq temperaturunda aprılmışdır. Bu halda da nazik təbəqələrin xüsusimüqavimətinin optimal qiymətinin alınması üçün məhluldakı metal(Cd)/qeyri-metal(S+Se) nisbətinin müəyyən qiyməti seçilmişdir. Məsələn ρ=400Оm·sm müqavimətliZnS 0,8 Se 0,2 təbəqələrinin alınması üçün Zn/S+Se nisbəti 3:1 kimi götürülür. 0≤x≤0.5tərkibli ZnS 1-x Sе x təbəqələrinin bilavasitə çökdürmədən sonraxüsusi müqavimətiρ=250÷550 Оm·sm, onlarda sərbəst yükdaşıyıcıların konsentrasiyası isə (2÷8)·10 17 sm -3intervalında dəyişir. Reaksiyanın davametmə müddətindən asılı olaraq (30 dəqiqə÷1gün) təbəqələrin qalınlığı 0.1÷4mkm olur. Tərkibdəki selenin miqdarindan asılı olaraqZnS 1-x Sе x təbəqələrinin rəngi açıq yaşıla doğru dəyişir.5.3. Qaz boşalması plazmasınin yarımkeçiricilərin səthindəkinanostrukturun və polimerdəki nanokompozitlərin morfologiyasına, optik vəelektrik xassələrinə təsirinin tədqiqi2mərhələ. Qaz boşalması plazmasının yarımkeçiricilərin səthindəki nanostrukturavə polimerlərdəki nanokompzitlərin elektrik xassələrinə təsirinin öyrənilməsi.İcraçılar: N.N.Lebedyeva, V.İ.Orbux, Y.Y.Bobrova, Ə.X. MuradovTədqiqat obyekti kimi təbii Azerbaycan seolit təbəqələri götürülmüşdür. Seolitəmaraq ondan irəli gəlir ki, onun quruluşu məsamələr və kanallardan ibarətdir ki, bu daöz növbəsində bir çox üzvi və qeyri-üzvi birləşmələrin və suyun molekul və ionlarınınməsamələrə daxil olmasına imkan verir. Təbii seolit kristallarının İQ oblastda (3600-100) см -1 udulma spectrləri tədqiq edilmişdir. Udulma spektrlərinin analizi nəticəsindəiki tip rəqslər müəyyən edilmişdir : AlO 4 və SiO 4 tetraedrlərinin daxilindəki seolitinstruktur xüsusiyyətlərini əks etdirmir, xarici əlaqələrdəki rəqslər isə seolitinstrukturundan və tetraedrlərin birləşmə xarakterindən asılıdır. Bundan başqa absorbsiyaolunmuş suyun udulma xəttlərini də ayırd etmək mümkün olmuşdur. Seolitlərdəkicərəyankeçmə mexanizminin tədqiqi böyük maraq kəsb edir. Seolitlərin keçiriciliyiaşqar ionların məsamələr daxilindəki hərəkəti ilə əlaqədardır. Bu keçiricilikməsamələrdə udulmuş suyun konsentrasiyasından asılıdir və OH kompleksləri ionlarınaktivləşmə enerji çəpərini azaldaraq ionların karkasla əlaqəsini zəiflədir. Atmosfertəzyiqinə yaxın təzyiqlərdə ion keçiriciliyinə xas olan sabit elektrik sahəsində cərəyanınazalması müşahidə olunur. Lakin aralıq təzyiqlərdə (40-100 tor) seolit kristallarında birneçə saat müddətində stasionar cərəyan müşahidə edilir. Tətbiq olunmuş gərginlik 340-400 V dan çox olduqda cərəyan kəskin artır və cərəyanın 10 -3 А qiymətində anodabitişik məsamələrdə qaz boşalmasının işıqlanması müşahidə edilir. Müxtəlif təzyiqlərdə(atmosfer təzyiqindən 10 -2 tora qədər) və gərginliklıərdə (1 kV-a qədər) cərəyanşiddətinin təbii seolit tozunda tədqiqi onun qeyri-stasionar azalan olmasını göstərmişdir.

7Bu zaman heç bir işıqlanma müşahidə edilməmişdir. Eyni təcrübə seolit tozu ilə misinkiçik hissəciklərinin qarışığından ibarət heterosistemdə də aparılmışdır. Müəyyənedilmişdir ki, bu sistemdə qeyri-stasionar cərəyanla birlikdə uzun müddət sabit qalanstasionar cərəyan da meydana gəlir.5.4 Amorf və monokristallik metal təbəqəli metal – yarımkeçirici kontaktlarınemission və elektrofiziki parametrlərinin tədqiqi2mərhələ. MYK omik kontaktının qeyri-bircins modelə nəzərən tədqiqi, Al-TiW-Pd 2 Si/-nSi Şottki diodlarının elektrofiziki xassələrinin tədqiqi.İcraçılar: İ.M.Əfəndiyeva, T.Z.Quliyeva, Ş.M.Qocayeva, M.H.Həsənov,L.K.Abdullayeva, Ş.H.Əsgərov, M.N.AgayevTermik buxarlanma və maqnetron tozlanma üsulu ilə alınmιş silisid təbəqəliŞottki diodlarιnιn (Al-TiW-Pd 2 Si/n-Si ve Al-TiW-PtSi/n-Si) xassələri tədqiq edilmişdir.Məlumdur ki, kiçik ölçülü diodlarιn parametrləri fluktuasiaya məruz qalιrlar. Bubaxιmdan kiçik ölçülu diodlarιn öyrənilməsi maraq kəsb edir.Ölcüləri 1x10 -6 cm 2 - 14x10 -6 cm 2 intervalında dəyişən diodların elektro-fizikiparametrlərinin müxtəlif metodlarla ölculməsi nəticəsində (cərəyan, tutum vəkeciriciliyin gərginlikdən asılılıqları, müvafiq olaraq I-V,C-V və G/w-V asılılıqlarımuəyyən edilmişdir.Al-TiW-Pd 2 Si/n-Si Şottki diodlarının baryer hündürlüyünün hesablanmasi ücünGauss paylanması tətbiq olunmuş, kənaraçıxma parametri və baryer hündürlüyühesablanmışdır. Keçiriciliyin gərginlikdən asılılıqlarında (G/w-V) mənfi qiymətlərinmüşahidə olunması bu diodların müəyyən səraitdə induktivlik rolunu oynamasını aşkaracıxarmişdır. Bundan irəli gələrək Al-TiW-Pd 2 Si/n-Si Şottki diodlarının induktivxassələri tədqiq edilmisdir. Alınan nəticələr diod induktivliyinin genis intervaldadəyişməsini, tezlikdən, temperaturdan, diodun həndəsi ölçülərindən asılı olmasınımüəyyən etmişdir. İnduktivliyin əks gərginliklərdə aşkar olunması səth hallar vəyarımkeçiricinin keçiricilik zonası arasındakı yükdasıyıcıların mübadiləsi ilə müəyyənolunur.Tutum-gərginlik və keciricilik-gərginlik asılılıqlarının test siqnalının tezliyi ilədəyişməsi bu diodlarda səth halların rolunu aşkar etmişdir.Müxtəlif intensivlikli işıglanma şəraitində iki növ diod üçün (Al-TiW-Pd 2 Si/n-Sivə Al-TiW-PtSi/n-Si) alınmış volt-amper xarakteristikaları və hesablanmış paramtrlərmüqaisə edilmişlər. Alinan nəticələrdən Al-TiW-Pd 2 Si/n-Si diodlarında səth hallarınındaha böyük rol oynaması aşkar edilmişdir.Digər tərəfdən Al-TiW-Pd 2 Si/n-Si və Al-TiW-PtSi/n-Si diodların parametrlərimuqaisəli analiz edilmişdir, onların perspektivli qaz sensoru kimi tətbiq olunmamümkünlüyü də araşdırılmışdır.Cari ildə metal-yarımkeçirici kontaktı qeyri-bircins model əsasında qeyribircinsliyinomik xassəyə təsiri öyrənilmişdir. Bu problemin həllinə struktur tərəfdənyanaşılmışdır və göstərilmişdir ki, kontaktın baryerinin hündürlüyünü mikrostrukturudəyişməklə idarə etmək mümkündür. Yəni, omiklik, həm də quruluşla bağlıdır.

86. DƏRC OLUNMUŞ ELMİ İŞLƏRİN XARAKTERİSTİKASIHesabat müddətində, yəni 2011-cı ildə, Yarımkeçiricilər fizikası şöbəsininəməkdaşları tərəfindən 40 elmi iş elmi mətbuatda dərc edilmişdir. Onlardan 3 məqaləxarici jurnallarda, 4 tezis beynəlxalq konfranslarda, 32 məqalə respublika jurnallarında,1 tezis isə regional konfransda çap edilmişdir. Məqalələrin siyahısı və sürəti əlavəolunur.RESPUBLİKADA ÇAP OLUNMUŞ MƏQALƏLƏRİN SİYAHISI№ Mövzunun adı1. Influence of acetic acid on theprocess of stain porous siliconformation at oxidantinsufficiency.Jurnalın adı, tarixi, №-si,səh.AMEA Fizika jurnalı.2010,с. XVI, № 3-4, səh.89-912. Квазикристаллы. SDU-nun Xəbərlər jurn.Təbiət və texniki elmlərbölməsi, 2010,с.10, №3,səh. 3-8.3. Optical properties of SrTiO 3films.4. Электрическая поляризациявнутреннего полясегнетоэлектриков5. Current-voltage (I-V) andcapacitance-voltage (C-V)characteristics of Bi 12 Ti 3 O 12amorphous films.6. Неравновесные процессы вBi 12 TiO 20 при освещениипикосекунднымиимпульсами лазера.AMEA Fizika jurnalı.2010, c.XVI, № 3-4, səh.142-145.SDU-nun Xəbərlər jurn.Təbiət və texniki elmlərbölməsi, 2011, с.11, №2,səh. 16-19.AMEA Fizika jurnalı.2011,c.XVII, № 2, səh. 3-6.ATU, Elmi əsərlər(fundamental elmlər), c.X(38), № 2, 1911, səh. 33-37.MüəlliflərF.A. Rustamov,N.H. Darvishov,M.Z. Mamedov,E.Y. Bobrova,H.O. Qafarova.А.А. Агасиев,Э.М.Магеррамов, Ч.Г.Ахундов,V.X. Şərbətov,Дж. Джаббаров.A.A. Agasiyev,E.M.Magerramov,Ch.G. Akhundov,M.Z. Mammadov,S.N. Sarmasov,G.M. Mammadov.А.А. Агасиев,Ч.Г. Ахундов,Э.М.Магеррамов,С.Н. СармасовА.А. Агасиев,M.Z. Mammadov,Kh.O. Qafarova.В.Э. Багиев,Ш.М. Эфендиев,В.Х. Шарбатов7. IR- Spectroscopic AMEA Fizika jurnalı2011, T.Z.Kuliyeva,

9Investigation of high-siliceouszeolite-clinoptilolit8. Light emission of the gasdischarge from nanopores ofzeolite9. TlIn 1-x Ge x Se 2 Semonokristallarının E ∏ c vəE ⊥ c polyarlaşmaları halındaoptic sabitlərininhesablanmasi10. SnTe birləsmələrinin zonaquruluşunun, atomlarınkoordinatlarının və qəfəsparametrlerininpsevdiopotensial üsulu iləhesablanmasi11. Frequency, voltage andtemperature effects on theinductive properties of Al–TiW–PtSi/n-Si Schottkydiodes12. The temperature, frequencyand voltage dependentcharacteristics of Al-TiW-Pd 2 Si/n-Si structure using I-V, C-V and G/w-Vmeasurements13. Индуктивные свойствадиодов Шоттки Al-TiW-Pd 2 Si/n-Si14. Контакт высокоомногополупроводникового зондас низкотемпературнойплазмой разряда в аргоне15. Влияние ултразвуковойобработки на ВАХкремниевых солнечныхэлементов16. Влияние геометрииконтактной сетки нас. XVII, № 2, səh. 75-76. E.A.Agayeva,G.M.Eyvazova,N.N.LebedevaAMEA Fizika jurnalı.2011,с. XVII, № 1, səh. 96-98AzTu, Elmi əsərlər.Fundamental Elmler. 2010,3, IX (35) 24-31.AzTu, Elmi əsərlər.Fundamental Elmlər. 2011,10, (39) 18-26AMEA Xəbərər, 2011, v.XXXI, 2, 29-39.AMEA Fizika jurnalı.2010, XVI, 3-4, 102-110Journal of QafqazUniversity, 2011, 31, pp.76-79.Проблемы энергетики,2011, № 1, стр. 131–136BDU Xəbərlər, 2010, № 2,səh.162-166.АМЕА, Energetikanınproblemləri. 2011, № 2,N.N.Lebedeva,V.I.Orbukh,Ye.Yu Bobrova,T.Z.KuliyevaE.M. Qocaev, S.I.Səfərova, S.M.Hüseynova,Abdürrahmanov,G.S. CəfərovaE.M. Qocaev, S.İ.Səfərova, Ş.M.HüseynovaI.M. Afandiyeva.I.M. AfandiyevaИ.М.Эфендиева,Ш.М.Годжаева,М.Г.Гасанов,Ş.AltındalА. Х. МурадовПашаев И.Г.,Агаев М.Н.,Мехтиев Р.Ф.,Гасанов М.Г.Пашаев И.Г.,Агаев М.Н.,

10фотоэнергетическиепараметры кремниевыхсолнечных элементов17. Влияние внешнихвоздействий на свойствакремниевых солнечныхэлементов18. Effect of the light on chargecarriers mobility in galliummonoselenide crystals19. К вопросу офотопроводимостикристаллов моноселенидаиндия20. Исследование особенностейроста и электрофизическихсвойств пленок теллурида исульфида кадмия21. Двухфотонное поглощениеизлучения неодимого лазерав тонких пленках ZnS x Se 1-x22. Oksidləşdiricinin çatışmazlığırejimində sirkə turşusununbircins məsaməli silisiumtəbəqələrinin alınmasına təsiri23. Люкс – характеристикифотоотклика вмонокристаллах Bi 12 GeO 20при высокихинтенсивностях лазерногоимпульса24. ТемпературныехарактеристикифотооткликаBi 12 GeO 20 при освещенииимпульсами АИГ:Nd лазераsəh. 97-100.BDU Xəbərlər, 2011, № 1,səh. 171-175AMEA Fizika jurnalı. с.XVII, № 2, 2011, səh. 51-55.BDU Xəbərlər, 2011, № 2,səh.89-97BDU Xəbərlər, 2011, № 3,səh. 146-153BDU, Хəбəрлəр, 2011, №3, səh. 154-158Opto, nanoelektronika vəkondensə olunmuş mühitfizikası” Respublika Elmipraktikkonfransınınmaterialları Bakı, 16-17dekabr 2011, səh.95-96Opto, nanoelektronika vəkondensə olunmuş mühitfizikası” Respublika Elmipraktikkonfransınınmaterialları, Bakı, 16-17dekabr 2011, səh.114-116Opto, nanoelektronika vəkondensə olunmuş mühitfizikası” Respublika Elmipraktikkonfransınınmaterialları, Bakı, 16-17dekabr 2011, səh.103-105Гасанов М.Г.Агаев М.Н.,Садыхзаде Г.М.,Пашаев И.Г.,Гасанов М.Г.A.Sh. Abdinov,R.F. Babayeva,R.M. RzayevА.Ш. Абдинов,Р.Ф. Бабаева,Р.М. РзаевМ.А. Джафаров,Р.Ф. Мехтиев,С.А. Мамедов,Э.Ф. Насиров,С.А. МамедоваВ.Г.Сафаров,Р.А.Карамалиев,Г.М. Мамедов,Э.Ф.Насиров,В.У.Мамедов,Н.А.РагимоваRüstəmov F.A.,Məmmədov M.Z.,Dərvişov N.H.,Bobrova Y.Y.,Qafarova H.O.Şərbətov V.X.В.Э. Багиев,Ш.М. Эфендиев,Н.Г. Дарвишов,В.Х. ШарбатовВ.Э. Багиев,Ш.М. Эфендиев,Н.Г. Дарвишов,В.Х. Шарбатов

1125. Влияние освещения наI − V характеристикидиодов Шоттки Al-TiW-Pd 2 Si/n-Si и Al-TiW-PtSi/n-Si.26. Причина расхожденияэкспериментальных данныхвысоты барьера КМП.27. Изучениеэлектрофизических свойствNi x Ti 1-x -nSi диодов Шоттки28. Взаимодействие модстратовых колебаний варгоновом разряде29. Измерение волт-ампернойхарактеристикивысокоомногополупроводникового зонда,погруженного в плазмуаргонового разряда30. Стационарный ток внанопористом цеолите31. Физико-химическиеособенности формированиянаноразмерных пленок наоснове сульфоселенидовцинка и кадмияOpto, nanoelektronika vəkondensə olunmuş mühitfizikası” Respublika Elmipraktikkonfransınınmaterialları, Bakı, 16-17dekabr 2011, səh.76-77Opto, nanoelektronika vəkondensə olunmuş mühitfizikası” Respublika Elmipraktikkonfransınınmaterialları, Bakı, 16-17dekabr 2011, səh.29-30Opto, nanoelektronika vəkondensə olunmuş mühitfizikası” Respublika Elmipraktikkonfransınınmaterialları, Bakı, 16-17dekabr 2011, səh.45-46Opto, nanoelektronika vəkondensə olunmuş mühitfizikası” Respublika Elmipraktikkonfransınınmaterialları, Bakı, 16-17dekabr 2011, səh.211-214Opto, nanoelektronika vəkondensə olunmuş mühitfizikası” Respublika Elmipraktikkonfransınınmaterialları, Bakı, 16-17dekabr 2011, səh.215-217Opto, nanoelektronika vəkondensə olunmuş mühitfizikası” Respublika Elmipraktikkonfransınınmaterialları, Bakı, 16-17dekabr 2011, səh.98-99Opto, nanoelektronika vəkondensə olunmuş mühitfizikası” Respublika Elmipraktikkonfransınınmaterialları, Bakı, 16-17dekabr 2011, səh.109-110Эфендиева И.МŞ.Q. ƏsgərovПашаев И.Г.,Агаев М.Н.,Мехтиев Р.Ф.Гасанов М.Г.Г.И. ГарибовƏ. X. MuradovВ.И. Орбух, Н.Н.Лебедева, Ч.Г.АхундовМ.А.Джафаров,Э.Ф.Насиров,Р.Ф.Мехтиев32. Физико-химические Opto, nanoelektronika və М.А.Джафаров,

12закономерности полученияпленок твердых растворовCdSeTe методомпослойногогидрохимическогоосажденияkondensə olunmuş mühitfizikası” Respublika Elmipraktikkonfransınınmaterialları, Bakı, 16-17dekabr 2011,səh.111-113Р.Ф.Мехтиев,С.А.Мамедова,Э.Ф.НасировXARİCDƏ ÇAP OLUNMUŞ MƏQALƏLƏRİN SİYAHISI№ Mövzunun adı1. Impact Factor 1.795.Porous silicon bandgapbroadening at naturaloxidation2. Generation ofmicroplasma fromnanopores of zeolite insemiconductor gasdischarge electronicdevices3. Influence of biologicallyactive water on processesof germination andswelling of grains.Jurnalın adı, tarixi,№-si, səh.Journal ofLuminescence. 2011,131, 10, pp. 2078-2082Physics, Ghemistry andAplications OfNanostructures,Proceeding ofinternational conferencenanomeeting, 2011,DOI No: 10, 1142/9789814343909-0123,pp. 523-526Technical and PhysicalProblems ofEngineering. 2011, v.1,№ 1ç pp. 61-64MüəlliflərF.A. Rustamov, N.H.Darvishov, M.Z.Mamedov, E.Y. Bobrova,H.O.QafarovaN.N.Lebedeva,V.I,Orbukh,T.Koc, S.Karakose,B.G.SalamovN.A. Mamedov, G.I.Garibov, A.M. Manafova,Sh.Sh. Alekberov, A.P.Gerayzade.

13RESPUBLİKADA ÇAP OLUNMUŞ TEZİSLƏR№ Mövzunun adı Jurnalın adı, tarixi, №-si,səh.1. Al–TiW–PtSi/n-Si and Al– Workshop “Materials forTiW–Pd 2 Si/n-Si perspective sensor elements”, 26-27materials for sensors Sept., 2011, p.4, Baku,AzerbaijanMüəlliflərI.M.Afandiyeva,Ş.AltındalXARİCDƏ ÇAP OLUNMUŞ TEZİSLƏR№ Mövzunun adı1. Nonequilibrum processes inBi 12 TiO 20 at illumination bypicoseconds laser impulses.2. Characteristics of CdSeTefilms3. Photochemical deposition ofZnSSe thin films4. Физические свойствапленок ZnSе1-хSх,осажденных из водногораствора,Jurnalın adı, tarixi, №-si,səh.Turkish Physycal Society.28 th International PhysicsCongress, 6-9 september,2011, Bodrum/Turkey.p.224IUMRS ICAM 2011 & E-MRS / MRS bilateralconference on energy, E-MRS 2011 spring meeting,Strasbourg, France, 12may, 2011, pp.18UMRS ICAM 2011 & E-MRS / MRS bilateralconference on energy, E-MRS 2011 spring meeting,Strasbourg, France, 12may, 2011, p.5Актуальные проблемыхимии и физикиповерхностей,Всеукраинскаяконферениция смеждународнымучастием, 11-13 мая,2011, Киев, Украина, с.19MüəlliflərV.E. Bagiyev,Sh.M. Efendiev,V.Ch. SharbatovM.A.Jafarov,E.F.NasirovM.A.Jafarov,E.F.NasirovДжафаров М.А.,Насиров Э.Ф

147. XARİCİ DÖVLƏTLƏRİN TƏHSİL VƏ ELMİ MÜƏSSƏLƏRİ İLƏƏLAQƏLƏRYarımkeçiricilər fizikası şöbəsinin əməkdaşları 2011-cı ildə Türkiyənin OrtaDoğu Texniki Universiteti və Ankara Qazi Universiteti ilə əməkdaşlığını davametdirmişdir.Yarımkeçiricilər fizikası şöbəsinin əməkdaşları tərəfindən 2011-cı ildə aşağıdaqeyd olunmuş xaricdə keçirilmiş beynəlxalq konfranslara materiallar təqdim edilmiş vəçap edilmişdir.Turkish Physycal Society. 28 th International Physics Congress, 6-9 september,2011, Bodrum/TurkeyUMRS ICAM 2011 & E-MRS / MRS BILATERAL CONFERENCE onENERGY, E-MRS 2011 SPRING MEETING, Strasbourg, France, 12 may, 2011.Актуальные проблемы химии и физики поверхностей, Всеукраинскаяконферениция с международным участием, 11-13 мая, 2011, Киев, Украина.2011-cu ildə şöbənin bir əməkdaşı (R-73 saylı 11.11.2010 tarixli əmrə əsasən) M.Məmmədov Universitetdaxili 50+50 qrantını qazanmış və yerinə yetirib tamamlamışlar.Hesabat müddətində, yəni 2011-cı ildə, Yarımkeçiricilər fizikası şöbəsininəməkdaşları tərəfindən xaricdə 3 məqalə çap edilmişdir, onlardan 1-i B kateqoriyalı, 2-si isə D kateqoriyalı jurnallarda dərc edilmişdir. Məqalələrin siyahısı və sürəti əlavəolunur.1. Impact Factor 1.795. F.A. Rustamov, N/H/ Darvishov, M.Z. Mamedov, E.Y.Bobrova, H.O.Qafarova. Porous silicon bandgap broadening at natural oxidation.Journal of Luminescence. 2011, 131, 10, pp. 2078-2082.İmpact Factor 1.795 (B kateqoriyası)2. N.N.Lebbedeva,V.I,Orbukh, T.Koc, S.Karakose, B.G.Salamov “ Generation ofmicroplasma from nanopores of zeolite in semiconductor gas discharge electronicdevices”, Physics, Ghemistry and Aplications Of Nanostructures, Proceeding ofinternational conference nanomeeting, 2011, DOI No: 10, 1142/9789814343909-0123,pp. 523-526 (D kateqoriyası)3. N.A. Mamedov, G.I. Garibov, A.M. Manafova, Sh.Sh. Alekberov, A.P.Gerayzade. Influence of biologically active water on processes of germination andswelling of grains. Technical and Physical Problems of Engineering. 2011, v.1, № 1çpp. 61-64. (D kateqoriyası)8. ELMİ-TƏDQİQAT İŞLƏRİNİN NƏTİCƏLƏRİNİN TƏTBİQİ6.1. 2011-cu ildə AMEA-nın hesabatina daxil edilməsi üçün təqdim olunanmühüm elmi nəticələr.Mikroməsaməli Si təbəqələrinin lyuminessent xassələrinə müxtəlif turşulardakıəlavə aşılanmanın təsiriMəsaməli silisiumun nazik təbəqələrinin fotolyuminessensiya həyəcanlanma vəşüalanma spektrləri təbii oksidləşmə zamanı tədqiq edilmişdir. Hər iki spektrin yüksək

15enerjilər istiqamətində sürüşdüyü göstərilmişdir. Bu spektrlərin tədqiqifotolyuminessensiyaya səbəb keçidlərin çəpinə keçidlər olduğunu göstərir. Hər bir haldaqadağan olunmuş zonanın optik eni təyin olunmuş və onun təbii oksidləşmə zamanıartması göstərilmişdir ki, bu da silisium nanokristallitlərinin ölçülərinin azalması iləəlaqədardır.İcracılar: f.r.e.d. F.Ə. Rüstəmov, f.r.e.n. N.H. Dərvişov, f.r.e.n. M.Z.Məmmədov,Y.Y. Bobrova, H.O. Qafarova9. PATENT VƏ İNFORMASİYA İŞLƏRİ07.06.2010-cu il tarixdə “Elektron seli yaradan seolit lövhəli qurgu”-nun ixtirayapatent almaq üçün iddia sənədləri Azərbaijan Respublikası Standartlaşdırma,Metrologiya və Patent üzrə Dövlət Komitəsinə təqdim edilmişdir. Qeydiyyat nömrəsia2010 133. 2011-ci ildə ilkin ekspertizanın müsbət nəticəsi haqqında bildiriş alınmışdır.Müəlliflər: N.N. Lebedeva, V.İ. Orbux, Ç.Q. Axundov, Y.Y. Bobrova, Ç.A.Sultanov.10. DÖVLƏT PROQRAMLARININ İCRASI“Azərbaycan Respublikasında 2009-2015-ci illərdə elmin inkişafı üzrə MilliStrategiya” Dövlət Proqramının həyata keçirilməsi ilə bağlı Yarımkeçiricilər fizikasışöbəsinin 2009 – 2015 –ci illəri əhatə edən 6 mərhələli elmi tədqiqat işlərinin planıışlənmiş və təsdiq edilmişdir və bu plan üzrə işlər davam etdirilməkdədir.11. ELMİ SEMİNARLARYarımkeçiricilər fizikası şöbəsində “Elektronika üçün perspektivli olan materialvə strukturlarin alinma texnologiyası və tədqiqi” mövzusunda aylıq seminar fəaliyyətgöstərir. Seminarın rəhbəri f.-r.e.d. F.Ə. Rüstəmovdur.12. ELMİ-PEDAQOJİ KADRLARIN HAZIRLANMASIYarımkeçiricilər fizikası şöbənin 2 əməkdaşı - f.-r.e.d. A.A. Ağasıyev fizikafakultəsində “Mürəkkəb heterokeçidlərin nəzəriyyəsi”, “Optik holografiya”,“Optoelektronika” kursları üzrə, f.-r.e.n. E.F. Nəsirov isə “Bərk cisimlərin elektronnəzəriyyəsi” , “İnformasiyanın optik işlənməsi” və “Mikroelektronikanın vənanoelektronikanın əsasları” kursları üzrə dərslər aparmışlar.BDU-nun Fizika fakultəsinin 7 əməkdaşı şöbədə 0.5 ştat əvəzçiliklə elmitədqiqatişləri aparmışlar.13. DİSSERTASİYA MÜDAFİƏSİ VƏ DİSSERTASİYA ŞURALARININFƏALİYYƏTİF.r.e.d. F.Ə. Rüstəmov BDU-nun nəzdində fəaliyyət göstərən D.02.012 “Bərkcisimlər fizikası” dissertasiya şurasının üzvüdür.

1614. ƏSAS NƏTİCƏLƏR VƏ TƏKLİFLƏR.Yarimkeçiricilər fizikası şöbəsində müxtəlif müqavimətli p-tip Si monokristalliklövhələrində sırf kimyəvi aşılama metodu ilə nanoməsaməli silisium təbəqələrinintexnologiyası üzərində işlər davam etdirilmişdir. Bu gələcəkdə fotolyuminessentxassələrinin tədqiqi ilə yanaşı nanoməsaməli silisium əsasında günəş elementlərininantiqaytarıcı sıthlərinin hazırlanması və tədqiqinə, metal/məsaməli Si/monokristallik p-Si sistemlərinin hazırlanması və onlarda elektrik, diod və elektrolyuminessentxassələrinin tədqiqinə imkan verəcəkdir.Sirkə turşusunun kimyəvi aşılama metodu ilə alınan məsaməli silisiumaoksidləşdiricinin çatışmazlığı rejimində təsiri öyrənilmişdir. Reaksiyanın sürətinin sirkəturşusunun təsiri altında azalması formalaşma zamanı bir-birindən ölçülərinə, səthdəpaylanmasına və səthə yapışma qabiliyyətinə görə fərqlənən iki növ qabarcıqlarınmüşahidə olunmasına imkan vermişdir. Reaksiyanın qabarcıq olmadan getməsi üçünHF/HNO 3 /CH 3 COOH aşılama məhlulunun optimal konsentrasiyası müəyyənolunmuşdur. Bu zaman müxtəlif qalınlıqlı, bircinsli, güzgü səthli məsaməli silisiumtəbəqələri almaq mümkün olmuşdur. Məlum olmuşdur ki, məsaməyaranma sürətinindəyişməsi, silisum təbəqələrinin reaksiyadan qabaq son təmizləmə üsulu inkubasiyamüddətinə təsir edərək məsaməyaranma reaksiyasının getmə sürətinə təsir etmir. Eynizamanda fotolyuminesensiyanın şüalanma və həyəcanlandırma spektrləri də tədqiqedilmişdir. Aşılanma zamanından asılı olmayaraq, alınan bütün nümunələrdə,elektrokimyəvi metodla alınmadan fətqli olaraq, maksimumların vəziyyəti demək olarki, dəyişmir. Həyacanlandırma spektrlərinin tədqiqi göstərdi ki, aşılanma zamanınınartması ilə qadağan olunmuş zonanın eni kiçilir.Məhluldan elektrokimyəvi üsulla müxtəlif tərkib (0≤x≤0.6 və 0≤x≤0.5) vəqalınlıqlı (d=0.1–2.0mkm) Cd 1-х Zn х S və ZnS 1-x Sе x nazik təbəqələrinin alınmatexnologiyası tədqiq olunmuşdur. Burada nazik təbəqələrin və onların əsasındahazırlanmış strukturların spektrin görünən və yaxın infraqırmızı oblastında yüksəkhəssaslığını təmin edən optimal tərkib və elektrokimyəvi çökdürmə rejimlərinininmüəyyən edilməsi üçün böyük təcrübi iş aparılmışdır. Sulu məhluldan katodçökdürməsi üsulu ilə müxtəlif altlıqlar ( Si, İn 2 О 3 , Ni) üzərində Cd 1-х Zn х S (0≤x≤0.6) vəZnS 1-x Sе x (0≤й≤0.5) nazik təbəqələri alınır. Cd 1-х Zn х S təbəqələrinin alınmasındaCdCl 2 +ZnCl 2 +Na 2 S 2 O 3 +H 2 O tərkibli, ZnS 1-x Sе x təbəqələrinin alınmasında isəZnCl 2 +Na 2 S 2 O 3 + Na 2 Se 2 O 3 +H 2 O və ya ZnCl 2 + SO 2 +SeO 2 +H 2 O tərkibli sulu məhluldanistifadə olunur. Cd 1-х Zn х S nazik təbəqələrinin müxtəlif tərkibdə alınması üçün məhluldaZnCl 2 -nin, ZnS 1-x Sе x nazik təbəqələrinin müxtəlif tərkibdə alınması üçün isə SeO 2 -nin(və ya Na 2 Se 2 O 3 ) miqdarı dəyişdirilir.Tədqiqat obyekti olan seolitə maraq ondan irəli gəlir ki, onun quruluşuməsamələr və kanallardan ibarətdir ki, bu da öz növbəsində bir çox üzvi və qeyri-üzvibirləşmələrin və suyun molekul və ionlarının məsamələrə daxil olmasına imkan verir.Təbii seolit kristallarının İQ oblastda udulma spectrləri tədqiq edilmiş və absorbsiyaolunmuş suyun udulma xəttləri aşkar olunmuşdur. Seolitlərin keçiriciliyi aşqar ionların

məsamələr daxilindəki hərəkəti ilə əlaqədardır. Bu keçiricilik məsamələrdə udulmuşsuyun konsentrasiyasından asılıdir və OH kompleksləri ionların aktivləşmə enerjiçəpərini azaldaraq ionların karkasla əlaqəsini zəiflədir. Atmosfer təzyiqinə yaxıntəzyiqlərdə ion keçiriciliyinə xas olan sabit elektrik sahəsində cərəyanın azalmasımüşahidə olunur. Lakin aralıq təzyiqlərdə seolit kristallarında bir neçə saat müddətindəstasionar cərəyan müşahidə edilir. Müxtəlif təzyiqlərdə (atmosfer təzyiqindən 10 -2 toraqədər) və gərginliklıərdə (1 kV-a qədər) cərəyan şiddətinin təbii seolit tozunda tədqiqionun qeyri-stasionar azalan olmasını göstərmişdir. Eyni təcrübə seolit tozu ilə misinkiçik hissəciklərinin qarışığından ibarət heterosistemdə də aparılmışdır. Müəyyənedilmişdir ki, bu sistemdə qeyri-stasionar cərəyanla birlikdə uzun müddət sabit qalanstasionar cərəyan da meydana gəlir.Ölcüləri 1x10 -6 cm 2 - 14x10 -6 cm 2 intervalında dəyişən diodların elektro-fizikiparametrlərinin müxtəlif metodlarla ölculməsi nəticəsində (cərəyan, tutum vəkeciriciliyin gərginlikdən asılılıqları, müvafiq olaraq I-V,C-V və G/w-V asılılıqlarımuəyyən edilmişdir.Al-TiW-Pd 2 Si/n-Si Şottki diodlarının baryer hündürlüyünün hesablanmasi ücünGauss paylanması tətbiq olunmuş, kənaraçıxma parametri və baryer hündürlüyühesablanmışdır. Keçiriciliyin gərginlikdən asılılıqlarında (G/w-V) mənfi qiymətlərinmüşahidə olunması bu diodların müəyyən səraitdə induktivlik rolunu oynamasını aşkaracıxarmişdır. Bundan irəli gələrək Al-TiW-Pd 2 Si/n-Si Şottki diodlarının induktivxassələri tədqiq edilmisdir. Tutum-gərginlik və keciricilik-gərginlik asılılıqlarının testsiqnalının tezliyi ilə dəyişməsi bu diodlarda səth halların rolunu aşkar etmişdir. Digərtərəfdən Al-TiW-Pd 2 Si/n-Si və Al-TiW-PtSi/n-Si diodların parametrləri muqaisəlianaliz edilmişdir, onların perspektivli qaz sensoru kimi tətbiq olunma mümkünlüyü dəaraşdırılmışdır.Cari ildə metal-yarımkeçirici kontaktı qeyri-bircins model əsasında qeyribircinsliyinomik xassəyə təsiri öyrənilmişdir. Bu problemin həllinə struktur tərəfdənyanaşılmışdır və göstərilmişdir ki, kontaktın baryerinin hündürlüyünü mikrostrukturudəyişməklə idarə etmək mümkündür. Yəni, omiklik, həm də quruluşla bağlıdır.17

Bakı Dövlət UniversitetiCədvəl 15Qrantlar əsasında yerinə yetirilən elmi tədqiqat işləri(2011)№ Layihənin adı Layihənin Donor təşkilat Layihınin müddəti Layihənin dəyərirəhbəri1 2 3 4 51. Elektrokimyəvi aşılama metodu ilə alınmış naziknanoməsaməli silisium təbəqələrinin lyuminissentMəmmədovMübarizBakı DövlətUniversiteti10 ay 1000mxassələrinə təbii oksidləşmənin, ultrabənövşəyi Zabid oğluşüalanmanın və yüksək temperaturlu sürətli termikemalın təsirinin tədqiqi.

19№ Elmi cuhazlarınyaş xarakteristikası5 ilə 6-10 il 10 ildənqədərartıqBakı Dövlət UniversitetiElmi avadanlıqlar haqqında məlumat(2011)2011-ci ildəalınmış yeniavadanlıqların Avadanlıqların adısayıYeni elmi avadanlıqlara tələbat (2012-2013-cü illərdə)BiravadanlığınqiymətiAlınacaqavadanlıqlarınsayıCədvəl 16Yekunqiymət1. pH- metr Yox Lambda 950 UV/VIS/R spektro- 160000 m 1fotometri sistemi160000 m2. Qalan1000vt-liq lampa yüksək 80m 10 800mhamısıtəzyiqli ksenon3. Su deionizatoru Vodoley 2100 m 1 2100 m4. Metalloqrafik mikroskop5500 m 1 5500 mAltami MET variant 1M5. Yüksək gərginlik mənbəyi 1500m 3 4500mMT 1860 avtomatik testeri 80m 3 240m6. Spektrometr Perkin Elmer LS55 50000 m 1 50000 m7. Ximikarlar8. plavik tirşusu 5 l 440 m9. izopropil spirti 15 l 550 m10. aseton 10 l 200 m11. azot turşusu 4 l 200 m12. sirkə turşusu 10 l 500m13. hidrogen peroksid 5 l 300m14. xlorid turşusu 10 l 250m15. sulfat turşusu 5 l 500m16. Materiallar17. p tip Si lövhələri, (100) 0.01 15m 100 1500m18. p tip Si lövhələri, (111), 0.01 15m 100 1500m19. n tip Si lövhələri, (111), 0.01 15m 100 1500m20. n tip Si lövhələri, (111), 0.01 15m 100 1500m

20Bakı Dövlət Universitetiİstehsalatda tətbiq üçün hasır olan texnologiyalar(2011)Cədvəl 17№ İcraçılar TexnologiyanınadıTexnologiyanınqısaxarakteristikasıXaricdə vəölkədə olanən yaxçınümunələrləmüqayisəsiAlınmışmüəlliflikşəhadətnaməsivə digərsənədlərHaradatərbiq olunubVə ya hansısahələrdətətbiq olunabilərGözləniləniqtisadisəmərə