1963 г. Июль Т. LXXX, вып. 3 УСПЕХИ ФИЗИЧЕСКИХ НАУК ...

МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ 493деформации. При данной скорости деформации сначала увеличиваетсяинтенсивность с увеличением дозы облучения (при низких дозах), а затемпроисходит насыщение. Изменение температуры, при которой происходитдеформация, в области от 10 до 30° С не оказывает никакого влияния.Лейдер 69обнаружил, что область длин волн испускаемого света лежитв пределах 3000—4300 А, с максимумом интенсивности при 4000 А (3,1 эе).Отсюда был сделан вывод, что захваченные (вероятно, /'-центрами) электронывозбуждаются в зону проводимости движущимися дислокациями.Испускание света происходит при возвращении возбужденных электроновобратно в валентную зону.Эти результаты* показывают, что в кристаллах КВг в центре движущихсядислокаций повышается температура, по крайней мере до 200° С,так как при такой температуре происходит термическая люминесценцияэтих кристаллов 9в .3. Электрические эффекты. Когда ионные кристаллыизгибаются или деформируются неоднородно другим способом, их поверхностьстановится электрически заряженной. Это можно очень легко продемонстрировать,насыпав порошок диэлектрика на только что изогнутыйкристалл. Это явление было открыто Степановым 98и изучено позднее 12 Тно его механизм начал выясняться только после недавней работы Фигабахаи Новика 26 . Эти авторы пришли к выводу, что для существованияэффекта необходима неоднородная деформация и что перенос зарядапроисходит только в течение деформации. Их наблюдения согласуютсяполностью с идеей о том, что дислокации в NaCl при своем движениистремятся образовать избыток ступенек, заканчивающихся отрицательнымионом, оставляя позади вакансии положительных ионов. Авторы считают,что примерно один узел на 10 7 —10 8 узлов вдоль дислокации должен бытьположительно заряжен, чтобы объяснить наблюдаемое течение заряда.VI. ХРУПКОЕ РАЗРУШЕНИЕИонные кристаллы являются удобными объектами для изучения разрушения,так как они легко скалываются по плоскостям {100}, особеннапри низких температурах. В отличие от металлов, поверхности скола ионныхкристаллов заметно не портятся в процессе разрушения, так что·поверхность может быть использована для изучения явления.Подобно пластичности разрушение является гетерогенным процессом.Можно сказать, что это самый крайний случай, который только возможен,так как необходим лишь один дефект, для того чтобы процесс начался,а раз начавшись, он остается чрезвычайно локализованным. Из-за гетерогеннойприроды механизма разрушения изучение макроскопических параметров,таких, как напряжение разрушения, дает очень мало сведений;необходимо микроскопическое изучение.Можно считать, что процесс разрушения происходит в две стадии:а) зарождение трещины и б) распространение трещины. Хотя ранние работыпо исследованию разрушения ионных кристаллов имели дело с измерениемнапряжения разрушения, в последние годы большое значение придаетсяотдельному изучению процессов зарождения и распространениятрещин.1. Зарождение трещинНапряжение, необходимое для разрушения совершенного кристаллавдоль плоскости скола, примерно равно Е1я, где Ε — модуль упругости внаправлении, перпендикулярном плоскости скола. Замечено, что в обычныхусловиях ионные кристаллы ломаются при гораздо меньших напряжениях