1963 г. Июль Т. LXXX, вып. 3 УСПЕХИ ФИЗИЧЕСКИХ НАУК ...

МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ 489Степановым и Бобриковым 102 на кристаллах NaCl и Гилманом 44 на кристаллахLiF, показаны на рис. 25. Важность этого результата заключаетсяв том, что он показывает, что подвижность дислокации зависит от структурыее ядра. Это единственное, что существенно отличает дислокации {001}и {111} от дислокаций {110}. Все эти дислокации имеют вектор Бюргерса,направленный вдоль [011], и их упругая энергия деформации, по существу,одинакова. Следовательно, единственное, что может объяснить большуюразницу в их подвижностях в соответствии с рис. 25, это различнаяструктура ядер, возможно,влияющая на отношениеPQ/PR B выражении (8).Г η -А2. Неустойчивостьпроцесса текучести.Диаграмма напряжение —деформация может иметь различнуюформу при началепроцесса течения. На рис. 26схематично показаны некоторыетипичные диаграммы(кривые А, Б π В) в предположении,что деформационноеупрочнение равно нулю.Рассмотрим сперва кривую В.В этом случае первоначальноечисло дислокацийв кристалле велико, как накривой в ниже диаграммРис. 26. Объяснение неустойчивости пластическойдеформации около предела текучести.напряжение — деформация. Следовательно, при напряжении x :j, несколькобольшем необходимого для начала движения дислокаций, величинапроизведения QV В уравнении (10) достаточна для деформациикристалла при заданной скорости деформации. Схематичная кривая,показывающая соотношение между скоростью дислокаций и напряжением,изображена на рис. 26 справа. Далее рассмотрим кривую А,когда начальное число скользящих дислокаций при напряжении τ υравнонулю. При некотором большем напряжении τ 0дислокации или зарождаются,или отрываются от примесей, которые удерживали их на месте.Затем из-за высокого приложенного напряжения происходит быстрое размножение,как показано на кривой а. Следовательно, хотя кривая А вначалеподнимается выше напряжения r d, скоро она начинает падать, когдапроизведение QU при высоком уровне напряжения становится больше, чемэто необходимо для деформации образца с заданной скоростью деформации.Кривая б демонстрирует промежуточный случай, когда вначале присутствуетнекоторое количество дислокаций. Эти первоначальные дислокацииразмножаются и двигаются со все возрастающей скоростью по мерероста напряжения до тех пор, пока ρο не будет соответствовать заданнойскорости деформации. Тогда напряжение падает до величины т у; нижеоно упасть не может, так как тогда все движущиеся дислокации остановятся.Деформационное упрочнение не рассматривается на рис. 26, но оновызывает дополнительное усложнение и смещает правую часть диаграммынапряжение — деформация вверх. Следовательно, упрочнение стремитсяисключить небольшой максимум, подобный максимуму на кривой -Б.Формой диаграмм напряжение — деформация у кристаллов LiFможно управлять путем изменения методики подготовки поверхности10 УФН, т. LXXX, вып. 3