1963 г. Июль Т. LXXX, вып. 3 УСПЕХИ ФИЗИЧЕСКИХ НАУК ...

486 дж ГИЛМАНно другие участки диаграмм напряжение — деформация требуют дальнейшегообсуждения.Так как напряжение, которое кристалл может выдержать, зависиткак от времени, так и от деформации кристалла, диаграммы напряжение —деформация нельзя рассматривать независимо от динамических условий,при которых они получены. Другими словами, для интерпретации диаграммынапряжение — деформация важны характеристики машины, котораяиспользуется для снятия диаграммы. Одним из лучших способов управленияусловиями испытания на сжатие является использование машины,усилие с которой на один конец образца передается непосредственночерез жесткое основание, а на другой конец — через сильную пружину.Прогиб пружины дает тогда величину приложенной нагрузки или напряжения.Во время пластического течения приложенное напряжение неизменяется резко с увеличением деформации (см. рис. 21), так чтопрогиб пружины в машине будет иметь почти постоянную величину,и скорость деформации образца может быть сделана почти постоянной придвижении жесткого основания с постоянной скоростью. Скорость деформацииобразца тогда равна просто скорости перемещения основания,деленной на длину образца. Эта методика была использована Джонстономи Гилманом 61для проверки связи между перемещением дислокацийи макроскопическим пластическим течением.Если макроскопическую скорость деформации кристалла выражатьчерез перемещения дислокаций, получится уравнение (9). Используя кристаллыLiF, для которых уже была измерена скорость ν как функция напряжения,Джонстон и Гилман рассчитали ν из уравнения (10) для условий,когда были известны приложенное напряжение, скорость деформациии плотность дислокаций. В пределах экспериментальной ошибки рассчитаннаявеличина ν была равна непосредственно измеренной величине.Следовательно, была установлена отчетливая связь между теорией дислокацийи макроскопической пластичностью.1. Напряжение текучести. Напряжения текучести ионныхкристаллов первоначально определяются как напряжения, необходимыедля движения дислокаций в этих кристаллах, т.е. как предел текучестина рис. 13. Это было доказано β1тем, что, как оказалось, макроскопическоенапряжение текучести кристаллов линейно зависит от напряжения,требуемого для того, чтобы вызвать заметное движение свежихдислокаций в том же кристалле. Таким образом, напряжение текучестинеопределяется:а) напряжением, необходимым для отрыва дислокаций от атмосферпримесей;б) напряжением, необходимым для проталкивания дислокаций через«лес» других дислокаций;в) напряжением, необходимым для действия источников Франка —Рида.Скорее оно определяется сопротивлением трения, которое кристаллическаярешетка оказывает движению дислокаций.Так как скорость ν очень чувствительна к приложенному напряжениюсдвига (см. рис. 13), а скорость деформации в пластической областипропорциональна υ (уравнение (10) ), скорость деформации очень чувствительнак приложенному напряжению, а напряжение текучести должнобыть весьма нечувствительно к приложенной скорости деформации.Это было подтверждено экспериментально 37 .Предел текучести ионных кристаллов очень чувствителен к темпераруре,как это показано на рис. 22, особенно при низких температурах.