1963 г. Июль Т. LXXX, вып. 3 УСПЕХИ ФИЗИЧЕСКИХ НАУК ...
1963 г. Июль Т. LXXX, вып. 3 УСПЕХИ ФИЗИЧЕСКИХ НАУК ...
1963 г. Июль Т. LXXX, вып. 3 УСПЕХИ ФИЗИЧЕСКИХ НАУК ...
- No tags were found...
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙС<strong>Т</strong>ВА ИОННЫХ КРИС<strong>Т</strong>АЛЛОВ 485Если Η, η и R — постоянные величины, это уравнение можно проинте<strong>г</strong>рировать,что даста после вторично<strong>г</strong>о инте<strong>г</strong>рирования•V = ysst +η£-(4ο<strong>г</strong>депервый член — деформация бла<strong>г</strong>одаря установившейся ползучести,а второй — деформация при неустановившйся ползучести.Если скорость восстановления равна нулю, как это часто бывает вслучае низких температур, тоHi. — е ч (14)и мы имеем чистую неустановившуюся ползучесть, которая асимптотическиприближается к деформации цу о/Н.До сих пор мы предпола<strong>г</strong>али, что η определяется одним напряжением,<strong>г</strong> дх I, дхdvдиляется но обычно напряжением, это неверно, ρ так зависит как η от= --/ορ и, в то время как — опреде-времени выдержки при данном напряжении.Это значительно усложняетописание и делает подробныйанализ очень трудным, но общие особенностииз предыдуще<strong>г</strong>о рассмотренияувидеть можно.2. Диа<strong>г</strong>рамманапряжение —деформация<strong>Т</strong>ипичные для ионных кристалловдиа<strong>г</strong>раммы напряжение — деформацияпоказаны на рис. 21. Все ониимеют одинаковую общую форму, ноуровень напряжения и наклон заметноотличаются. Каждая диа<strong>г</strong>раммаимеет три основные особенности:(1) начальный упру<strong>г</strong>ий участок, наклонкоторо<strong>г</strong>о есть модуль упру-Ледюрмаиия сжатия,'/.2 3 4 5 6 7 В 9 Ю II 12 13 14 15<strong>г</strong>ости; (2) резкое изменение наклонапри уровне напряжения, наталловдиа<strong>г</strong>раммы напряжение—дефор-Рис. 21. <strong>Т</strong>ипичные для ионных крисзываемомпределом текучес τ и, и (3) протяженная пластимацияпри комнатной температуре.ческая область относительно медленно<strong>г</strong>о увеличения напряжения, наклонкоторой есть модуль пластичности или коэффициент деформационно<strong>г</strong>оупрочнения. Эти особенности более или менее характерны дляиспытываемо<strong>г</strong>о кристалла и относительно независимы от начальнойдислокационной структуры в нем. Дополнительной особенностью диа<strong>г</strong>раммнапряжение •— деформация является их форма около пределатекучести, но эта особенность очень чувствительна к начальной дислокационнойструктуре кристалла. Следовательно, это не внутреннее свойствокристалла. Упру<strong>г</strong>ие модули ионных кристаллов уже рассматривались,
Change language