12.07.2015 Views

1963 г. Июль Т. LXXX, вып. 3 УСПЕХИ ФИЗИЧЕСКИХ НАУК ...

1963 г. Июль Т. LXXX, вып. 3 УСПЕХИ ФИЗИЧЕСКИХ НАУК ...

1963 г. Июль Т. LXXX, вып. 3 УСПЕХИ ФИЗИЧЕСКИХ НАУК ...

SHOW MORE
SHOW LESS
  • No tags were found...

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙС<strong>Т</strong>ВА ИОННЫХ КРИС<strong>Т</strong>АЛЛОВ 483<strong>г</strong>де β — скорость исчезновения дислокаций. При некоторой величине Nскорость изменения числа дислокаций становится равной нулю; это будет,ко<strong>г</strong>да 7V = α/β. На этой стадии плотность дислокации внутри полосы перестаетизменяться, но оказалось, что рост полос в ширину пропорционалендеформации 61 . <strong>Т</strong>аким образом, общая плотность дислокаций в кристалледолжна увеличиваться пропорционально деформации. Наконец, растущиев ширину полосы скольжения перекрывают дру<strong>г</strong> дру<strong>г</strong>а и плотность дислокацийв кристалле становится равномерной. Скорость, с которой полосырасширяются, зависит от уровня напряжения, так что деформация, прикоторой кристалл весь покрывается полосамискольжения, также зависит от уровнянапряжения. Для большинства кристалловэта деформация «насыщения» равна 1 —2% 61 . \lO>Ко<strong>г</strong>да кристалл полностью покрыт поло- Ч.сами скольжения, так что он «насыщен» |дислокациями, напряжение, необходимое „|UFдля то<strong>г</strong>о, чтобы поддерживать постоянную |.Л7'скорость пластическо<strong>г</strong>о течения, начинаетувеличиваться из-за деформационно<strong>г</strong>о упрочнения.Оказывается, что напряжение увеличиваетсяпропорционально деформации.Как уже ранее отмечалось, плотность принасыщении полосами скольжения увеличиваетсяпропорционально напряжению, такчто в результате общая плотность дислокацийв кристалле продолжает увеличиватьсяпропорционально напряжению.Окончательный ито<strong>г</strong> до некоторой степенисложно<strong>г</strong>о поведения, изложенно<strong>г</strong>о выше,приведен на рис. 20, <strong>г</strong>де показана зависимостьсредней плотности дислокаций*)в кристалле LiF от деформации. Во всем диапазоне деформаций от10~ 3 до КГ 1 данные можно аппроксимировать линейной зависимостьюN (дисл/см 2 ) = ΙΟ 9 ε, <strong>г</strong>де ε — деформация сжатия 60 .1V. МАКРОПЛАС<strong>Т</strong>ИЧНОС<strong>Т</strong>Ь$да·1. Формальное описание,,,,,ιΙto ю юДеформация при сжатии, ε-Δί/LРис. 20. Зависимость среднейплотности дислокаций от пластическойдеформации для типично<strong>г</strong>окристалла LiF.Механические свойства любо<strong>г</strong>о материала можно описать черезнапряжение, деформацию, время и их различные производные. Неявляются исключением и ионные кристаллы, но они дают еще возможностьознакомиться с зависимостями между различными механическими параметрами.Это возможно потому, что деформация и скорость деформациимо<strong>г</strong>ут быть теперь измерены на основе движения отдельных дислокаций.Пластическая деформация сдви<strong>г</strong>а γ зависит от расстояния х ина котороепереместится каждая дислокация, от количества дислокаций наединицу площади ρ и от смещения Ъ, связанно<strong>г</strong>о с каждой дислокацией19.*) Среднее по всей площади, то есть сюда входят участки с нулевой плотностьюдислокаций.

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!