1963 г. Июль Т. LXXX, вып. 3 УСПЕХИ ФИЗИЧЕСКИХ НАУК ...

МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ 481б) Из отдельных дислокационных полупетель могут образовыватьсяцелые законченные полосы скольжения. Вначале эти полосы узкие,но затем они становятся широкими и по мере деформации непрерывнорасширяются пропорционально деформации. После небольшой деформациине наблюдаются узкие линии скольжения, а только широкиеполосы 37·61 .в) Часто наблюдаются «следы», которые остаются позади движущихсядислокаций. Вероятно, эти следы состоят из призматических дислокационныхпетель 62 .г) Когда размножение в кристаллах происходит при большом напряжении,плотность дислокаций в полосах скольжения выше, чем когдаоно происходит при малом напряжении.Плотность дислокацийι Ι 11 Ι Ι Ιι ι ι ιΙ ' 'ιпропорциональна уровню напряжения61 . Это находится в соот-Ξ-=ветствии с процессом МПС, потомучто величина поперечного=ι «Мягкийз*скольжения, которая необходима-кристалл ~щ —для успешного размножения, обратнопропорциональна напря-/Ξ> -:жению.кристаллКак показано на рис. 19, \щ'τΞ=скорость размножения дислокацийочень чувствительна к вели--\W' = г=чине приложенного напряжения.Вероятно, это может происходить1 Ι ιпотому, что при большом напряжениибольшее число призмати-LJLι0.1 Ц2 Οβ 1,0 Ζβ 5β 10 20Приложенное напряжение cSSuea,ческих петель, которые возникаютпри многократном поперечномскольжении, способно расширяться,но может происходить и потому,что при больших напряженияхпоперечное скольжение идетг ι ι -Рис 19. Влияние напряжения на скоростьразмножения дислокаций.По оси ординат отложена плотность дислокационныхпетель в полосах скольжения однойдлины (около 0,5 мм).чаще, чем при малых. Какая бы ни была причина зависимости скоростиразмножения от напряжения, следствием этого является то, что дислокационнаяструктура кристалла, деформированного при малом напряжении,существенно отличается от структуры кристалла, деформированногопри большом напряжении.Особенностью процесса ^ МПС, причина которой остается неясной,является, то, что изолированные винтовые дислокации, движущиесяв кристаллах, стремятся к поперечному скольжению. Одной из причинэтого является взаимодействие с поверхностью 62 , однако, вероятно,не это основная причина.Поведение дислокаций в кристаллах MgO, которое наблюдалось Стоксом,Джонстоном и Ли 104 , соответствует размножению путем многократногопоперечного скольжения. В этом случае полосы скольжения гораздоуже, чем в LiF, но, возможно, это просто результат того факта, что уровеньнапряжения выше. В кристаллах NaCl поведение также аналогично,но полосы скольжения шире 3 . Наконец, «карандашное скольжение»,которое наблюдается в галоидах серебра, является доказательствомсильного поперечного скольжения, так что, вероятно, размножение вних происходит посредством многократного поперечного скольжения.Некоторые дополнительные доказательства этого дают фотоснимкиМитчелла 78 .