1963 г. Июль Т. LXXX, вып. 3 УСПЕХИ ФИЗИЧЕСКИХ НАУК ...

478 дж. ГИЛМАНданные)*) и кристаллах AgBr, достаточно хорошо показывают, что всеионные кристаллы ведут себя качественно одинаково. Следовательно,можно считать, что результаты, полученные на кристаллах LiF, являютсятипичными.Вообще говоря, дислокации в кристаллах могут появляться однимиз трех путей: 1) гомогенным зарождением; 2) гетерогенным зарождением;3) регенеративным размножением при действии: а) источника Франка —Рида, обозначаемого Φ—Ρ, б) многократного поперечного скольжения,обозначаемого МПС.Гомогенное зарождение означает образование дислокационной петлив кристалле, по существу, совершенном, благодаря действию только одногонапряжения. Ожидают, что этот процесс происходит при очень высокихнапряжениях, порядка G/4it, и Гилман 43показал, что к совершеннымучасткам кристаллов LiF можно прикладывать без зарождения в нихдислокаций напряжения по крайней мере до величины около G/85. Крометого, рядом авторов показано, что небольшие «усы» — нитевидные кристаллыионных кристаллов—могут подвергаться очень высоким напряжениямбез появления в них пластического течения: LiF 91и NaCl 60 . Наибольшуюпрочность показали усы NaCl : 110 кГ/мм г«s G/11.Большинство реальных кристаллов содержит небольшие выделенияили другие неоднородности, которые могут действовать как концентраторынапряжения и тем самым вызывать гетерогенное зарождение дислокаций.Гилман 43показал, что в кристаллах такое зарождение могутвызывать выделения размерами по крайней мере до 1000 А. Близко примыкаетк этому эффекту и образование около выделений призматическихдислокационных петель под действием термических напряжений. Этовпервые наблюдали Джонс и Митчелл 62в кристаллах AgCl. Кроме выделений,может происходить гетерогенное зарождение дислокаций другимидефектами, такими, как трещины 38 , ступени скола 43 , и при электрическомпробое 41 .Кристаллы, которые были выращены стандартным образом, обычносодержат сетку дислокаций «роста». В ионных кристаллах, по-видимому,эти дислокации прочно закреплены на своих местах примесями, так чтоони играют только пассивную роль в большинстве процессов, связанныхс деформацией. Однако после специальной термической обработки онимогут стать менее сильно закрепленными. Тогда при приложении к нимдостаточного напряжения они будут двигаться, отрываясь от дислокационноисетки, созданной при росте, и затем размножаться .Хотя гетерогенное зарождение дислокаций может часто обеспечиватьначало процесса пластической деформации, не оно приводит к громадномуколичеству дислокаций, которые в конце концов участвуют в большойпластической деформации. Все дислокации, за исключением немногих,возникают за счет регенеративного размножения. Процесс такого размножениябыл впервые предложен Франком и Ридом 29 , и один из видов егоназывается источником Франка — Рида (обозначаемый здесь как источникΦ— Ρ). Схематично он показан на рис. 17> Источник состоит из сегменталинии дислокации АВ (рис. 17,1), который закреплен с обоих концовузлами или другим способом. Сегмент АВ лежит в плоскости скольженияи имеет вектор Бюргерса, необходимый для скольжения, в то время каксегменты ВС, BD, АЕ и AF лежат в других плоскостях и могут не иметьподходящих для скольжения векторов Бюргерса. Плоскость чертежа соответствуетплоскости скольжения. Когда приложено напряжение сдвига,*) Результаты изучения возникновения и движения дислокаций в кристаллахNaCl приводятся также в работах 121 *, 127*-130*. {Прим. ред.)