1963 г. Июль Т. LXXX, вып. 3 УСПЕХИ ФИЗИЧЕСКИХ НАУК ...

МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ 477личными причинами. Она может возникнуть благодаря энергии Пайерлса—Набарро или, если имеются примеси, благодаря энергии взаимодействияКоттрелла. Какая бы ни была причина, изменение должно быть локализованов области порядка атомных размеров для того, чтобы можно былоиспользовать эту модель.Если причины, рассмотренные выше, могут привести к непрерывномупоступательному движению линии дислокации, сегмент ВС должен достигатькакого-то критического размера. Этот критический размер определяетсяиз условия равенства энергий, а именно работа, которая совершаетсяпри движении дислокации вперед, равна увеличению потенциальнойэнергии благодаря увеличению длины линии дислокации и увеличениюее потенциальной энергии на единицу длины. Предполагается, что радиусдуги в каждый момент времени соответствует приложенному напряжению,так что г = Рд/&т. Тогда критический размер достигается, когда cos θ* == PQIPR И энергия зародыша сдвига критического размера равнагде1 3 /2для P 0/P R~ 1.Вероятность, что такой зародыш будет образован, пропорциональнаexp ( —т=- ) , и каждый раз, когда он образуется, дислокация продвигаетсявперед на расстояние порядка Ъ. Если частотный множитель равен ν,окончательное выражение для скорости движения дислокаций имеет видv= bveP R/bxkTЭто уравнение имеет экспоненциальную зависимость от напряжения, требуемуюуравнением (7), и от температуры, что соответствует экспериментальнымданным 61 . Кроме того, постоянные в формуле имеют вполнеразумную величину *).6. Возникновение и размножение дислокацийОчень важными частями любой теории пластичности кристалловявляются процессы, которые позволяют зарождаться в кристалле новымдислокациям и которые приводят к размножению уже существующихдислокаций. Одной из причин важности таких процессов является то,что для получения заметной макроскопической деформации необходимоочень большое число дислокаций. Такого большого числа дислокацийчасто вначале нет в кристалле, так что они должны появиться в процессепластической деформации. Другой причиной, из-за которой важно знать,как дислокации образуются в кристаллах, является то, что различныепроцессы приводят к разному распределению дислокаций в деформированныхкристаллах. Эти различные распределения могут иметь важное влияниена такие процессы, как деформационное упрочнение и ползучесть.Хотя наиболее подробное изучение образования дислокаций в ионныхкристаллах было сделано на кристаллах LiF, исследования, выполненныена кристаллах MgO 104 , кристаллах NaCl (Джонстон, неопубликованные*) См. примечание на стр. 475. (Прим. ред.)