1963 г. Июль Т. LXXX, вып. 3 УСПЕХИ ФИЗИЧЕСКИХ НАУК ...

476 ДЖ. ГИЛМАНдиапазоне скоростей, а влияют на движение во всем диапазоне скоростей.Именно из-за увеличения скорости рассеяния энергии дислокациями,которые движутся с данной скоростью, облучение, например, увеличиваеттвердость кристаллов LiF.Ю гЭто исключает многие возможныеобъяснения, особенномодели статического закреплениядислокаций. Дальнейшееобсуждение "этих эффектовбудет дано при рассмотрениидиаграмм растяжения.Тот факт, что статическоезакрепление дислокаций неопределяет полностью твердо-|ягг«ЗОО'К77ΊΪ100 1000 /0000Напряжение сдбига, Г/т 1а)„-В0?№Wfl 2 3Нппряжеш сддига,нГ/мн г6)Рис. 15. Зависимости скорости движения винтовыхдислокаций от напряжения для кристаллов,подвергнутых различной обработке.а) Влияние понижения температуры; б) влияниеоблучения нейтронами (интегральный поток 2,3хХ1018 нейтр/смЦ.Обличенныйг(23W l3 Mt) сти п Р имесн ых или облученныхкристаллов, не означает,Не облученный что закрепления не происдит. Действительно, существованиезакрепления былопоказано непосредственно β1 ,когда отдельные дислокационныепетли вводились в кристалл,который затем подвергалсянизкотемпературномустарению. Оказалось, чтотребуются относительно высокиенапряжения (увеличениенапряжения до 65%), чтобы привести в движение такие состаренныедислокации. Однако, когда они уже начали двигаться, они движутсяс той же скоростью, что и дислокации, которые были введеныв кристаллы после старения, т. е. свежие. В то жевремя наблюдалось, что те состаренные дислокации,которые становятся механически закрепленными,травятся несколько иным образом, чем свежие.Это совершенно ясно показывает, что в течениестарения происходит какая-то диффузия к дислокациям,но конкретные сорта примесей или дефектов,которые вызывают старение, неизвестны.Вид уравнения (7) дает ключ к пониманию вязкогодвижения дислокаций. Такое уравнение получаетсяиз теории образования зародышей, впервыения и тепловой активации небольшой отрезок линии дислокации движетсявперед с образованием круговой дуги ВС. В этом положении потенциальнаяэнергия дислокации больше, чем в начальном положении, и равна PR.Разница в величине потенциальных энергий может быть обусловлена раз-Рис. 16. Зарождениедвижения дислокации.Прямая линия AD—начальноеположение:жирнаясплошная линияконечноеположение.предложенной Фишером 27и примененной Гилманом45для кристаллов LiF. Эта теория слишкомпроста, чтобы быть законченной теорией, но онасодержит ряд существенных качественных особенностей,которые необходимы для объяснения поведениядислокаций. Рис. 16 показывает геометриюмодели. Вначале дислокация лежит вдоль прямойлинии AD, где ее потенциальная энергия мала иравна Р о. Плоскость рисунка является плоскостьюскольжения. Под действием приложенного напряже-