1963 г. Июль Т. LXXX, вып. 3 УСПЕХИ ФИЗИЧЕСКИХ НАУК ...

МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ 475ное критическое напряжение (называемое пределом текучести). Во-вторых,скорость увеличивается очень быстро при небольшом увеличении напряжения.В-третьих, краевые составляющие дислокационных петель движутсягораздо быстрее, чем винтовые составляющие (примерно в 50 раз).Наконец, когда скорости дислокаций приближаются к скорости звука,значительно более быстро возрастающее напряжение должно быть приложенок дислокациям, чтобы поддерживать их движение с постояннойскоростью. Другими словами, вероятно, скорость звука является тойпредельной скоростью, которую скорость дислокаций не может превзойти.Это предсказывается теорией 24 , так как дислокации являются упругиминарушениями и, следовательно, недолжны двигаться быстрее, чем упругиеволны при обычных условиях.Как уже ранее отмечалось, скорости,показанные на рис. 13, являютсяскоростями равномерного движения.Следовательно, вся работа, котораяпроизводится силами, перемещающимидислокации, рассеиваетсяпри движении дислокации (главнымобразом в виде тепла). Сила, действующаяна дислокацию за счет приложенногонапряжения сдвига τ,равна тЬ, где Ь—вектор Бюргерса 1в ,так что работа, совершаемая при перемещениидислокации на один векторБюргерса, равна rb 2(эрг/см длиныдислокации). Таким образом,можно считать (с точностью до постоянногомножителя), что кривые-100 4 6 8 10 1?ΐ/τ,10 β см г /днРис. 14. Скорость движения винтовыхдислокаций в кристалле LiF.Кривая подчиняется зависимостина рис. 13 соответствуют энергии, V=105 exp (-16,8·108/τ), где V-в см/сек,а τ — в дн/см%.рассеиваемой движущимися дислокациямипри различных скоростях.В кристаллах MgO скорости движения дислокаций качественно так жезависят от напряжения, как и в кристаллах LiF (Джонстон, неопубликованныеданные), так что последние кристаллы не являются исключительными,но могут рассматриваться как более или менее типичные ионныекристаллы *).Результаты, приведенные на рис. 13, получены для данного кристаллаLiF, который прошел определенную термическую обработку, был нагруженопределенным образом и изучен при комнатной температуре. Былоисследовано несколько факторов, которые могут влиять на скоростидвижения дислокаций в кристаллах LiF: а) температура β1 ; б) термическаяобработка 60 **); в) облучение 39 .Основной результат их действия, показанный на рис. 15, заключаетсяв равномерном сдвиге кривых «скорость движения дислокаций — напряжениесдвига» вдоль координаты напряжения. Таким образом, различныеобработки не влияют на ход кривых только при одной скорости или в узком*) Скорости движения дислокаций в кристаллах NaCl примерно так же зависятот напряжения, как и в кристаллах LiFi 27 *, однако экспериментальные данные,полученные на кристаллах NaCl, нельзя описать аналитическим соотношением (7).(Прим. ред.)**) Влияние термической обработки на движение дислокаций в кристаллах NaClизучалось в 128 *. (Прим. ред.)9*