1963 г. Июль Т. LXXX, вып. 3 УСПЕХИ ФИЗИЧЕСКИХ НАУК ...

474 ДЖ. ГИЛМАНнеобходимое для ускорения дислокации, очень мало по сравнению с расстоянием,которое проходит движущаяся дислокация на рис. 12 *).Рис. 12. Перемещение отдельной дислокации в кристаллахLiF, обнаруживаемое методом избирательного травления.Кристалл был протравлен для того, чтобы покааать начальное положениедислокации. Затем было приложено напряжение для перемещениядислокации, и кристалл вновь был протравлен. Дислокациязаняла новое положение (остроконечная ямка травления) (Х830).Путем приложения импульсов напряжения к кристаллам (импульсыизменялись по длине от 10" в до 10 5 сек и по амплитуде от 0,2 до 20,0 кГ/мм г )Джонстон и Гилман 61измерили10скорости движения дислокаций,10которые менялись примерно отСкорость збуяа10 межатомных расстояний вЮсекунду до более чем 10 12 межатомныхрасстояний в секунду.£/»Их результаты для определенногокристалла показаны нарис. 13 и 14. Можно использоватьдва способа построения/ /- &инто6ыеI / дислокациикривой. По первому экспериментальныеданные прямо наносятсяна график в логариф-fΊмическом масштабе (рис. [13).Второй способ показывает, чторезультаты можно описать аналитическипосредством соотношенияία -*видаιο~т ,-7 Краевые удислокации ~~~// /fit-JLij ПределИ— текучестиГ,,Sfmsmwwι ι ι ιгде V — средняя скорость дис-τ — приложенное на-г з *> 5 6?83w го замлокации,пряжение сдвига, а А и V o—постоянные (рис. 14).На рис. 13 можно видеть несколькоособенностей движенияПриложенное напряжение сдбуга Х,кГ/мм гРис. 13. Скорости движения дислокаций втипичном кристалле LiF.дислокаций. Во-первых, до того как дислокации будут двигаться в кристаллес обнаруживаемой скоростью, к нему необходимо приложить определен-*) Как показано в 126*, движение дислокации является не непрерывным, а скачкообразным,причем после каждого скачка дислокация определенное время остаетсянеподвижной. (Прим. ред.)