1963 г. Июль Т. LXXX, вып. 3 УСПЕХИ ФИЗИЧЕСКИХ НАУК ...

472 ДЖ. ГИЛМАНпредположить, что энергия заряженной ступеньки примерно такая же,как энергия вакантного ионного узла, в то время как энергия нейтральнойступеньки примерно равна энергии ядра дислокации.4. Методики наблюдения дислокацийДля наблюдения дислокаций в ионных кристаллах в настоящее времяв основном пригодны три метода: а) избирательное травление, б) внутреннееосаждение, в) дифракция рентгеновскихлучей *).Все эти методы обладают определеннымипреимуществами и недостатками,вследствие чего каждый из них пригодендля одних экспериментов, но не пригодендля других. Это означает, что ни одинметод не может быть пыбран как «лучший».Все методы используют искажениявокруг линий дислокаций для «увеличения»дислокации так, чтобы ее можно быловидеть с помощью оптического микроскопа.На рис. 11 показаны результаты примененияэтих трех методов.Метод избирательного травления впервыебыл применен для ионных кристалловАмелинксом г . Он использовалтот факт, что ионы около ядра линии дислокациирастворяются в соответствующемправителе быстрее, чем обычная поверхностькристалла. Это происходит потому,Рис. 11. Примеры, демонстрирующиетри метода наблюдениядислокаций в ионных кристаллах:а) Избирательное травление в кристаллахL1F37, б) декорирование —выделение Ag в кристаллах KG1S;в) дифракция рентгеновских лучей вкристаллах LiF (J Μ Lommel, неопубликованныеданные).что число ионов, окружающих данныйион около ядра дислокации, меньше нормального,так что этот ион связан в кристаллеслабее, чем нормальный ион. Подбираясостав или температуру травителя,можно сделать скорости растворения параллельнои перпендикулярно линии дислокацииприблизительно равными. Тогдана поверхности кристалла образуются хорошоограненные пирамидальные ямкитравления, глубина которых приблизительноравна их ширине. Эти ямки можнолегко наблюдать с помощью оптическогоили электронного микроскопа и изучать их плотность, распределениеи движение. Этот метод является наиболее удобным дляколичественного исследования движения дислокаций, но он обладаетнедостатком, заключающимся в том, что можно наблюдать положениядислокаций только около поверхности.Метод внутреннего осаждения основан на способности дислокацийдействовать как центры зарождения при распаде пересыщенного твердогораствора или при разложении кристалла. Например, серебро может выделятьсявдоль линий дислокаций в AgBr или AgCl благодаря фотолизу " 8 .*) Кроме методов, указанных автором, для выявления дислокаций в ионныхкристаллах применяется еще метод электронной микроскопии на просвет, ранееиспользованный для металлов 123*; см., например, 124 *. (Прим. ред.)