12.07.2015 Views

1963 г. Июль Т. LXXX, вып. 3 УСПЕХИ ФИЗИЧЕСКИХ НАУК ...

1963 г. Июль Т. LXXX, вып. 3 УСПЕХИ ФИЗИЧЕСКИХ НАУК ...

1963 г. Июль Т. LXXX, вып. 3 УСПЕХИ ФИЗИЧЕСКИХ НАУК ...

SHOW MORE
SHOW LESS
  • No tags were found...

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙС<strong>Т</strong>ВА ИОННЫХ КРИС<strong>Т</strong>АЛЛОВ47 I<strong>Т</strong>аким образом, можно видеть, что большая часть энер<strong>г</strong>ии линиидислокации заключена в ее упру<strong>г</strong>ом поле, если только дислокация не находитсявблизи поверхности или дру<strong>г</strong>ой дислокации. Полезно сравнитьэнер<strong>г</strong>ию линии дислокации с энер<strong>г</strong>ией кристаллической решетки, составляющейпримерно 8 эв/мол. Далее, по данным Куросава 67 , энер<strong>г</strong>ия парывакансий в NaCl равна 2,2 эв. Ее можно сравнить с относительно небольшойэнер<strong>г</strong>ией ядра дислокаций. Дру<strong>г</strong>ой интересной величиной является поверхностнаяэнер<strong>г</strong>ия NaCl, равная около 0,15 эв/пару ионов поверхности 97 .Экспериментально энер<strong>г</strong>ия линии дислокации в кристаллах былаполучена Гилманом 38 и Гилманом и Джонстоном 37 путем определениянаименьше<strong>г</strong>о размера дислокационной полупетли, которая может существоватьв кристалле, ко<strong>г</strong>да концы полупетли выходят на поверхность.Петля, которая находится у поверхности кристалла, выталкивается наружуза счет собственно<strong>г</strong>о линейно<strong>г</strong>о натяжения, так как петля может укорачиватьсяпутем движения к поверхности. Однако она не может дви<strong>г</strong>аться,если только действующее на нее напряжение не превышает сопротивлениерешетки движению дислокации. Следовательно, существует критическийрадиус такой петли, при котором напряжение бла<strong>г</strong>одаря линейному натяжениюкак раз уравновешивается сопротивлением решетки. Полупетляу поверхности кристалла ведет себя, как целая петля, потому что надповерхностью кристалла существует связанная с полупетлей, находящейсяв кристалле, дислокация «изображения»; последняя необходимадля то<strong>г</strong>о, чтобы удовлетворить условиям равновесия упру<strong>г</strong>их напряженийна поверхности кристалла. Если Τ — линейное натяжение (энер<strong>г</strong>ия наединицу длины), то напряжение τ, которое необходимо, чтобы петлядиаметром D не захлопнулась, равноIT ....τ = ^ Γ. (b)<strong>Т</strong>аким образом, если сопротивление решетки движению дислокацииравно Хр, условием сохранения петли у поверхности кристалла являетсяЛинейное натяжение зависит от размера петли, так как поле напряженийсе<strong>г</strong>мента петли распространяется на расстояние, равное примерно D.Со<strong>г</strong>ласно оценке 38линейное натяжение в LiF равноKb 2 Ы-£- + С = 3,6-10~ 5 In — ^ +1,9-ΙΟ" 8 [эр<strong>г</strong>/см],ΖΓο 11,4А<strong>г</strong>де К— средняя упру<strong>г</strong>ая постоянная, рассчитываемая из теории упру<strong>г</strong>остианизотропных сред и равная 4,4· 10 10дн/см 2 , Ъ = 2,85 А, <strong>г</strong> 0— 2ЬΆ С — энер<strong>г</strong>ия ядра дислокации в LiF. Оказалось, что петли у поверхностикристаллов LiF, диаметр которых меньше примерно 4·10~ 4см.внезапно появлялись на поверхности. Со<strong>г</strong>ласно вышеприведенному условию,это означает, что τ ρдолжно быть равно приблизительно 500 Г/мм 2 .и эта величина как раз и наблюдается в LiF. Следовательно, можно сделатьвывод, что подсчитанная величина для линейно<strong>г</strong>о натяжения примерносправедлива, а теория, дающая энер<strong>г</strong>ию дислокаций, приблизительноподтверждается для ионных кристаллов.Подробной теории, относящейся к подсчету энер<strong>г</strong>ии ступенекна линиях дислокаций, еще не существует *). Кажется разумным, однако,Подсчет энер<strong>г</strong>ии ступенек дан недавно в работе ι 22 *. (Прим. ред.)

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!