1963 г. Июль Т. LXXX, вып. 3 УСПЕХИ ФИЗИЧЕСКИХ НАУК ...

МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ 465путем движения линий дислокаций. Эти линии лежат в плоскостях скольжениякристаллов и являются просто граничными линиями междуобластью в плоскости скольжения, в которойпроизошел сдвиг, и областью, в которойсдвига нет. Это показано на рис. 5. Так какскольжение является кратным единичномусдвигу кристаллической структуры, то частьплоскости скольжения, которая лежит далековпереди от дислокационной линии,имеет такую же структуру, как и часть,которая лежит далеко позади нее. Такимобразом, только та область кристалла, котораянаходится очень близко к центру дислокационнойлинии, имеет очень сильноискаженную структуру. Эта искаженнаяобласть называется ядром дислокационнойлинии и обычно составляет лишь несколькомежатомных расстояний в диаметре.Искажения в непосредственной близостиоколо линии дислокации в решетке хлористогонатрия показаны на рис. 6. Другие иллюстрацииможно найти в статье Амелинкса 4 .Дислокационная линия имеет три связанныхс ней вектора. Один из них называетсявектором смещения Бюргерса b иопределяет величину и направление смещенияматериала над плоскостью скольженияВинтоваядислокацияРис. 5. Распространение трансляционногосдвига в кристаллепозади дислокационной линии. Вторым является вектор скорости ν, которыйописывает направление движения и скорость линии дислокации.Плоскость(НО)Плоскость(ПО)бинтооаядислокацияПлоскость(от)Рис. 6. Дислокация (110) [110] в кристалле со структурой типа хлористого натрияТретий вектор—единичный вектор s, который дает направление касательнойк линии дислокации. На рис. 6 можно видеть, что когда s и Ь параллельны,искажения вокруг дислокационной линии совсем другие, чем когда s и b