telra r/c - Serwis Elektroniki

Chassis Z8 firmy Panasonic1.3. Uk³ady zabezpieczeñV IN16V(typ.)10V(typ.)tRys.5. Przebieg napiêcia na wyprowadzeniu 4 (V IN )IC801po zadzia³aniu uk³adu protekcji.1.3.1. Zabezpieczenie nadnapiêciowe (Over-voltage Protection- OVP)Zabezpieczenie nadnapiêciowe ma za zadanie ochronê uk³aduIC801, gdy napiêcie V IN na wyprowadzeniu 4 wzroœnie dooko³o 22V. Chocia¿ podstawow¹ rol¹ tego zabezpieczenia jestochrona przed wzrostem napiêcia na wyprowadzeniu 4, to jestona równie¿ z powodzeniem u¿ywana do ochrony nadnapiêciowejpo stronie wtórnej (w przypadku na przyk³ad uszkodzeniauk³adów regulacji). Jest to mo¿liwe dziêki temu, ¿ewyprowadzenie 4 jest zasilane z uzwojenia B1-B2 transformatoraT802, które to napiêcie jest w istocie proporcjonalnedo napiêcia wyjœciowego po stronie wtórnej.1.3.2. Zabezpieczenie nadpr¹dowe (Over-current Protection- OCP)Ochrona nadpr¹dowa jest realizowana przez bezpoœredni¹detekcjê pr¹du drenu wewnêtrznego tranzystora MOSFET. Poniewa¿wyprostowane napiêcie drenu jest monitorowane przezwewnêtrzny komparator, „przy okazji” jest dokonywana równie¿stabilizacja termiczna.Pr¹d dren-Ÿród³o p³yn¹cy przez tranzystor MOSFET jestprzepuszczany przez rezystor R809, wywo³uj¹c na nim spadeknapiêcia. Napiêcie wejœciowe doprowadzane do wyprowadzenia1 (OCP/FB) IC801 jest podawane do wewnêtrznegokomparatora. Gdy to napiêcie przekroczy predefiniowan¹ wartoœæ,wyjœcie uk³adu steruj¹cego zostaje œci¹gniête do niskiegopoziomu, powoduj¹c wy³¹czenie tranzystora MOSFET.1.3.3. Zabezpieczenie termiczneZabezpieczenie to zostaje aktywowane, gdy temperaturapod³o¿a uk³adu przekroczy 140°C. Temperatura ta jest „mierzona”przez obwody regulacyjne, ale równie skutecznie równie¿„zbiera informacje” o przegrzaniu struktury tranzystoraMOSFET - obie struktury umieszczone s¹ przecie¿ na jednympod³o¿u.Dzia³anie tego uk³adu ochronnego jest aktywowane zarównoprzy nadmiernym wzroœcie temperatury, jak równie¿ przynadmiernym wzroœcie pr¹du. Zabezpieczenie to polega na œci¹gniêciuwyjœcia oscylatora na poziom niski i wy³¹czeniu tymsamym tranzystora MOSFET. W tych okolicznoœciach napiêcieV IN na wyprowadzeniu 4 IC801 maleje a¿ osi¹gnie poziomodciêcia 10V, poziom powoduj¹cy wy³¹czenie tranzystora prze-³¹czaj¹cego przetwornicy. Od tego momentu nastêpuje wzrostpoziomu sygna³u na wyprowadzeniu, lecz gdy osi¹gnie onopoziom startowy 16V (pozwalaj¹cy na wystartowanie normalnejpracy zasilacza) uk³ad ochrony znowu zatrzymuje pracestopnia steruj¹cego. Gdy opisywany uk³ad protekcji jest aktywnynapiêcie na wyprowadzeniu 4 roœnie i maleje w zakresieod 10V do 16V, zgodnie z przebiegiem pokazanym na rysunku5, uniemo¿liwiaj¹c podjêcie normalnej pracy. Wy³¹czenietego uk³adu ochronnego (jego dezaktywacja) nastêpujedopiero po od³¹czeniu i ponownym doprowadzeniu napiêciasieciowego, na przyk³ad przez wy³¹czenie i ponowne w³¹czenieodbiornika.1.4. Strona wtórnaPo stronie wtórnej transformatora T802 otrzymywane s¹nastêpuj¹ce napiêcia:• +12V - do zasilania stopni steruj¹cych odchylaniem poziomym,• +20V - do zasilania uk³adu korekcji E/W - IC701,• +27V - do zasilania wzmacniacza mocy fonii IC251.1.6.1. Zasilanie +12VNapiêcie z wyprowadzenia 16 transformatora T802 jestprostowane na diodzie D851 i wyg³adzane przez kondensatorC856. Wyg³adzone napiêcie +12V jest nastêpnie podawane nazaciski transformatora steruj¹cego odchylaniem poziomymT553 poprzez diodê D501 i rezystor R503. W trakcie procedurystartowej napiêcie +12V doprowadzane jest do stopni odchylaniapoziomego. Jednak¿e, gdy napiêcie zasilaj¹ce zostaniepodane i uk³ad prawid³owo wystartuje, obecnoœæ napiêcia+12V z transformatora T802 nie jest ju¿ d³u¿ej konieczna. Zasilaniestopni odchylania poziomego przejmuje linia zasilaj¹ca+12V, pochodz¹ca z trafopowielacza. Jest to spowodowanewymogiem zmniejszenia obci¹¿enia po stronie wtórnej i dostarczeniempr¹du steruj¹cego do transformatora steruj¹cegow uk³adach odchylania poziomego.1.6.2. Zasilanie +20VNapiêcie z wyprowadzenia 14 transformatora T802 jestprostowane przez diodê D853 i podawane przez szeregowyregulator IC702 do zasilania napiêciem +20V uk³adów korekcjiE/W - ma to miejsce tylko w odbiornikach z kineskopem110° wymagaj¹cych takiej korekcji.1.6.3. Zasilanie +27VNapiêcie z wyprowadzenia 14 transformatora T802 jestprostowane przez diodê D853 i podawane do emitera tranzystoraQ851 i dalej przez rezystor R855 do tranzystora Q852.Napiêcie do tranzystora Q852 jest doprowadzane przez z³¹czeemiter-kolektor. W tym samym czasie napiêcie z wyprowadzenia13 transformatora T802 jest prostowane przez diodêD852 na potrzeby wytworzenia napiêcia +27V do zasilaniawzmacniacza wyjœciowego fonii IC251.Jakkolwiek napiêcie +27V jest za du¿e dla zasilania wspomnianegouk³adu scalonego, to pod obci¹¿eniem jego wartoœæzostaje zredukowana do zadowalaj¹cego poziomu. Gdy obci¹¿enietego uk³adu roœnie, spadek napiêcia na R856 wywo-³uje tak¹ polaryzacjê bazy Q851 (bardziej ujemn¹ wzglêdemjego emitera), ¿e wp³ywaj¹c na warunki pracy tranzystora Q852powoduje z kolei zmniejszenie napiêcia zasilaj¹cegoJednak¿e przy redukcji poziomu napiêcia zasilaj¹cego uk³adIC251, ulega równie¿ zmniejszeniu dysponowana moc wyjœciowa.Jest to rekompensowane przez wzrost pr¹du p³yn¹cegoprzez R853/R854. Dziêki temu wp³yw zmniejszenia wartoœcinapiêcia zasilaj¹cego na moc wyjœciow¹ zostaje zminimalizowany.50 SERWIS ELEKTRONIKI 8/2003