SP - UMEL - Vysoké uÄÂenàtechnické v Brně
SP - UMEL - Vysoké uÄÂenàtechnické v Brně SP - UMEL - Vysoké uÄÂenàtechnické v Brně
Návrh analogových integrovaných obvodů (BNAO) 434.4 Kontrolní otázky1. Jak vypadá správně nakontaktovaná struktura MOS tranzistoru?2. Co jsou návrhová pravidla?
44 FEKT Vysokého učení technického v Brně5 Pasivní prvky5.1 RezistorObecně je rezistor tvořen vrstvou (obdélníkem či proužkem) rezistivního materiálu,který je na svých koncích kontaktován s vrstvou metal 1. Samotné tělo rezistoru je elektrickyizolováno od substrátu (podložky) pomocí oxidové vrstvy nebo polovodičovým přechodem vzávěrném směru. Pokud zavedeme jako parametr tzv. čtvercový odpor (či odpor na čtverec)R□ pak celkový odpor rezistoru bude určen pomocí rovniceLR = 2 Rcons + R( 5.1 )Wkde R const je odpor čtverce s kontaktem na metalovou vrstvu a odpor kontaktu. Odporkontaktu závisí na specifikacích dané technologie a pohybuje se mezi 10Ω - 50 Ω.Prvním typem rezistoru používaným v CMOS technologii je rezistor tvořený difúzníoblastí (N+ nebo P+ diff). Zajímavou vlastností těchto rezistorů je využití kombinacepoměrně slušné rezistivity (několik desítek ohm/sq; není problém dosáhnout jednotek kΩ; tennastává pokud potřebuje stovky kΩ či dokonce MΩ) dané oblasti a polovodičového přechodu,který díky této rezistorové struktuře vzniká.Obr. 9 Rezistor tvořený difúzní oblastí N+Struktura má ovšem i další možnosti. Představme si situaci, kdy napětí V1 je menší než0V, a v tomto případě je dioda tvořená Psub/N+diff polarizována v proputném směru a“vstupní signál” je sveden do země. Tato struktura je využívána ve vstupně/výstupníchochranných obvodech integrovaných obvodů.Obr. 10 Dvě realizace polySi rezistoru a) se salicidní vrstvou b) bez ní
- Page 1 and 2: Ing. Daniel Bečvář, Ph.D.Ing. Ji
- Page 3 and 4: 2 FEKT Vysokého učení technické
- Page 5 and 6: 4 FEKT Vysokého učení technické
- Page 7 and 8: 6 FEKT Vysokého učení technické
- Page 9 and 10: 8 FEKT Vysokého učení technické
- Page 11 and 12: 10 FEKT Vysokého učení technick
- Page 13 and 14: 12 FEKT Vysokého učení technick
- Page 15 and 16: 14 FEKT Vysokého učení technick
- Page 17 and 18: 16 FEKT Vysokého učení technick
- Page 19 and 20: 18 FEKT Vysokého učení technick
- Page 21 and 22: 20 FEKT Vysokého učení technick
- Page 23 and 24: 22 FEKT Vysokého učení technick
- Page 25 and 26: 24 FEKT Vysokého učení technick
- Page 27 and 28: 26 FEKT Vysokého učení technick
- Page 29 and 30: 28 FEKT Vysokého učení technick
- Page 31 and 32: 30 FEKT Vysokého učení technick
- Page 33 and 34: 32 FEKT Vysokého učení technick
- Page 35 and 36: 34 FEKT Vysokého učení technick
- Page 37 and 38: 36 FEKT Vysokého učení technick
- Page 39 and 40: 38 FEKT Vysokého učení technick
- Page 41 and 42: 40 FEKT Vysokého učení technick
- Page 43: 42 FEKT Vysokého učení technick
- Page 47 and 48: 46 FEKT Vysokého učení technick
- Page 49 and 50: 48 FEKT Vysokého učení technick
- Page 51 and 52: 50 FEKT Vysokého učení technick
- Page 53 and 54: 52 FEKT Vysokého učení technick
- Page 55 and 56: 54 FEKT Vysokého učení technick
- Page 57 and 58: 56 FEKT Vysokého učení technick
- Page 59 and 60: 58 FEKT Vysokého učení technick
- Page 61 and 62: 60 FEKT Vysokého učení technick
- Page 63 and 64: 62 FEKT Vysokého učení technick
- Page 65 and 66: 64 FEKT Vysokého učení technick
- Page 67 and 68: 66 FEKT Vysokého učení technick
- Page 69 and 70: 68 FEKT Vysokého učení technick
- Page 71 and 72: 70 FEKT Vysokého učení technick
- Page 73 and 74: 72 FEKT Vysokého učení technick
- Page 75 and 76: 74 FEKT Vysokého učení technick
- Page 77 and 78: 76 FEKT Vysokého učení technick
- Page 79 and 80: 78 FEKT Vysokého učení technick
- Page 81 and 82: 80 FEKT Vysokého učení technick
- Page 83 and 84: 82 FEKT Vysokého učení technick
- Page 85 and 86: 84 FEKT Vysokého učení technick
- Page 87 and 88: 86 FEKT Vysokého učení technick
- Page 89 and 90: 88 FEKT Vysokého učení technick
- Page 91 and 92: 90 FEKT Vysokého učení technick
- Page 93 and 94: 92 FEKT Vysokého učení technick
Návrh analogových integrovaných obvodů (BNAO) 434.4 Kontrolní otázky1. Jak vypadá správně nakontaktovaná struktura MOS tranzistoru?2. Co jsou návrhová pravidla?