SP - UMEL - Vysoké učení technické v Brně

30 FEKT Vysokého učení technického v BrněPlanarizace je technologický proces, který po každém technologickém kroku zarovnáváhorní vrstvu wafferu. Účelem planarizace je hladký povrch wafferu což umožňuje využítvelmi jemných litografických procesů v každé fázi výroby čipu. Planarizace umožňuje takévytvářet hustou síť víceúrovňového propojování metalovými vodiči.3.5.2 Technologie polySi hradlaJedním z prvních vylepšení technologie bylo zavedení polySi hradel. Hradla z polySiumožňují využít self-aligned polySi gate proces, jehož prostřednictvím jsou vytvářenypřesnější a kompaktnější struktury. PolySi hradlo je využito jako maska během procesuiontové implantace při vytváření oblastí source a drain. Vytvořené oblasti jsou soukryvné shradlem. Výsledná struktura má potom i menší plochu. Navíc je tímto způsobem eliminovánai velká část parazitní kapacity gate-drain.Dalším vylepšením této techniky je využití slabě dotované drain struktury (low-dopeddrain structure, LDD). Ukázka je na Obr. 4. První mělký implant je využit pro kontakt sinverzní vrstvou pod hradlem. Mělký implant má pouze velmi malý přesah okraje hradla adrain/source oblasti. Po přidání bočních hrazení kolem hradla je vyroben hluboký implantpřes oblast implantu mělkého. Tento hluboký implant má nízký sériový parazitní odpor.Kombinace těchto dvou typů implantu vede k minimalizaci parazitního odporu a parazitníkapacity která vzniká překryvem hradla a oblasti drain/source.Obr. 4 Technologie polySi hradlaNa Obr. 4 je také vidět lokální izolační vrstva LOCOS. Využití polySi na hradlo MOSstruktury má také nevýhody. Jednou z nich je vyšší rezistivita než v případě hradla z hliníku.V případě dlouhých spojů z polySi může nastat problém s velkou RC konstantou. Proceszvaný silicidace (úprava pokovením či implantace tenké kovové vrstvičky na hradlo; WSi,TaSi, CoSi apod.) může pomoci toto velké RC zpoždění redukovat. Také využívání polySipouze jako materiálu pro hradla a ne jako vodičů lokální úrovně může minimalizovat RCkonstantu.3.5.3 CMOS technologieKomplementární MOS obvody vyžadují NMOS a PMOS tranzistory na jednomsubstrátu. Tzn., že v případě p substrátu musíme využít n-well (jáma typu n) vrstvu. Jsou itechnologie využívající p-well, případně oba typy jámy (hlavně v technologiích, kdy substrátmá malou hustotu dotace). Vrstvy hradlového oxidu, polySi hradlo, kontakty drain a source,