SP - UMEL - Vysoké učení technické v Brně

Návrh analogových integrovaných obvodů (BNAO) 25Následuje ukázka dalších parametrů, jejichž specifikace rozšiřuje přesnost použitého modelu:LD – délka laterální difúzeRD – odpor oblasti drainRG – odpor oblasti gateIS – saturační proud substrátového PN přechoduCBD – kapacita PN přechodu bulk-drainCGSO/CGDO – kapacita překrytých oblastí gate-source(drain) vztažena na délku kanáluXJ – hloubka kovových spojůWD – šířka laterální difúzeRS – odpor oblasti sourceRB – odpor oblasti bulkJS – I S /S substrátového PN přechoduCBS – kapacita PN přechodu bulk-sourceKapacita překrytých oblastí gate-source(drain) vztažena na délku kanálu je odvozena zevzorce:εox∆LCGS0 = CGD0=( 3.39 )toxObr. 3 Obvodový model MOS tranzistoru pro oblast velkých signálů3.5 Výroba a technologie MOSMOSFET technologie se během uplynulých 3 desetiletí poměrně dramaticky proměnila.Začalo se s 10 µm PMOS procesem, kde se využívalo hliníkových hradel a jedna vrstvavodičů (metal layer), rok 1970. Současností je 0,1µm CMOS proces s poly-Si hradly a až 6vrstvy metalových vodičů. Přešlo se od difúze dopantu k iontové implantaci, od kovového