SP - UMEL - VysokÃƒÂ© uÃ„ÂenÃƒÂ technickÃƒÂ© v BrnÃ„Â›

More documents

Recommendations

Info

Tento učební text byl vypracován v rámci projektu Evropského sociálního fondu č. CZ.1.07/2.2.00/07.0391s názvem Inovace a modernizace bakalářského studijního oboru Mikroelektronika a technologiea magisterského studijního oboru Mikroelektronika (METMEL). Projekty Evropského sociálního fondu jsoufinancovány Evropskou unií a státním rozpočtem České republiky.
2 FEKT Vysokého učení technického v BrněObsah1 ÚVOD..................................................................................................................................82 ZAŘAZENÍ PŘEDMĚTU VE STUDIJNÍM PROGRAMU..........................................82.1 ÚVOD DO PŘEDMĚTU....................................................................................................... 82.2 VSTUPNÍ TEST ................................................................................................................. 83 MOS TRANZISTOR.......................................................................................................113.1 STRUKTURA A PRINCIP MOS TRANZISTORU .................................................................. 123.2 ANALÝZA MOS TRANZISTORU...................................................................................... 133.2.1 Lineární model .......................................................................................... 133.2.2 Kvadratický model..................................................................................... 153.2.3 Model s proměnnou šířkou depletiční vrstvy............................................. 183.3 PRAHOVÉ NAPĚTÍ MOS TRANZISTORU .......................................................................... 203.3.1 Prahové napětí – výpočty .......................................................................... 203.3.2 Předpětí substrátu („substrate bias effect“) ............................................. 223.4 <strong>SP</strong>ICE MODEL MOSFETU............................................................................................ 243.4.1 MOSFET syntaxe....................................................................................... 243.5 VÝROBA A TECHNOLOGIE MOS .................................................................................... 253.5.1 Výrobní proces .......................................................................................... 263.5.2 Technologie polySi hradla ........................................................................ 303.5.3 CMOS technologie .................................................................................... 303.6 PARAZITNÍ JEVY MODERNÍCH MOS TRANZISTORŮ........................................................ 313.6.1 Modulace délky kanálu.............................................................................. 313.6.2 Punch through........................................................................................... 323.6.3 Proud v oblasti pod prahovým napětím .................................................... 323.6.4 Odvození koeficientu pro oblast podprahového napětí............................. 323.6.5 Závislost pohyblivosti nosičů na intenzitě elektrického pole .................... 333.6.6 Saturace rychlosti nosičů („velocity saturation“) .................................... 333.6.7 Průraz oxidu.............................................................................................. 333.6.8 Škálování rozměrů MOS tranzistorů („Scaling“)..................................... 343.7 KONTROLNÍ OTÁZKY..................................................................................................... 354 LAYOUT – TIPY A TECHNIKY ..................................................................................364.1 ÚVOD ............................................................................................................................ 364.2 PLÁNOVÁNÍ................................................................................................................... 364.3 HLAVNÍ ZÁSADY TVORBY LAYOUTU.............................................................................. 384.4 KONTROLNÍ OTÁZKY..................................................................................................... 435 PASIVNÍ PRVKY............................................................................................................445.1 REZISTOR ...................................................................................................................... 445.1.1 Technologické odchylky ............................................................................ 465.1.2 Layout rezistorů......................................................................................... 475.2 KONDENZÁTORY ........................................................................................................... 505.2.1 Capacitor Cell........................................................................................... 505.3 KONTROLNÍ OTÁZKY..................................................................................................... 516 PROUDOVÁ ZRCADLA................................................................................................526.1 PROUDOVÁ ZRCADLA – ÚVOD ....................................................................................... 52
Page 1: Ing. Daniel Bečvář, Ph.D.Ing. Ji
Page 5 and 6: 4 FEKT Vysokého učení technické
Page 11 and 12: 10 FEKT Vysokého učení technick
Page 53 and 54:
52 FEKT Vysokého učení technick
Page 55 and 56:
Page 57 and 58:
Page 59 and 60:
Page 61 and 62:
Page 63 and 64:
Page 65 and 66:
Page 67 and 68:
Page 69 and 70:
Page 71 and 72:
Page 73 and 74:
Page 75 and 76:
Page 77 and 78:
Page 79 and 80:
Page 81 and 82:
Page 83 and 84:
Page 85 and 86:
Page 87 and 88:
Page 89 and 90:
Page 91 and 92:
Page 93 and 94:
Page 95 and 96:
Page 97 and 98:
Page 99 and 100:
Page 101 and 102:
Page 103 and 104:
Page 105 and 106:
Page 107 and 108:
Page 109 and 110:
Page 111 and 112:
Page 113 and 114:
Page 115 and 116:
Page 117 and 118:
Page 119 and 120:
Page 121 and 122:
Page 123 and 124:
Page 125 and 126:
Page 127 and 128:
Page 129 and 130:
Page 131 and 132:
Page 133 and 134:
Page 135 and 136:
Page 137 and 138:
Page 139 and 140:
Page 141 and 142:
Page 143 and 144:
Page 145 and 146:
Page 147 and 148:
Page 149 and 150:
Page 151 and 152:
show all

SP - UMEL - VysokÃƒÂ© uÃ„ÂenÃƒÂ­ technickÃƒÂ© v BrnÃ„Â›

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?

SP - UMEL - VysokÃƒÂ© uÃ„ÂenÃƒÂ technickÃƒÂ© v BrnÃ„Â›