SP - UMEL - Vysoké učení technické v Brně

Návrh analogových integrovaných obvodů (BNAO) 149Tab. 6:Návrhová pravidla technologie HCMOS I (3 µm, P-jáma)Návrh masky wafer1. Aktivní oblast (AO)1.1 Minimální šířka A01.2 Minimální vzdálenost dvou AO P + P + (N +N + )1.3 Minimální vzdálenost dvou AO P + N +1.4 Přesah aktivní oblasti přes kontakt2. Polykrystalický křemík (PS)2.1 Minimální šířka PS2.2 Minimální vzdálenost PS2.3 Vzdálenost PS od hrany AO551125511255112,6 3 3(-0,3;+0)(-0;+0,4)3,4 3 30,5(-0;+0,3)(-0,4;+0)0,520,52.4 Přesah přes tranzistor3332.5 Přesah PS přes kontakt3. Kontakt3.1 Šířka kontaktu3.2 Vzdálenost kontaktu3.3 Vzdálenost kontaktu ke hradlu11 13 3 3(-0,5;+0)(+0,6)33 333 34. Hliník4.1 Minimální šířka hliníku4.2 Minimální vzdálenost hliníku4.3 Přesah hliníku přes kontakt5. Jáma4 4 44(3,5)5.1 Přesah jámy přes AO35.2 Vzdálenost jámy od AO typu P +6. Implantace pro nastavení U tp1(-0,5;+0)(+0,5)4(3,5)6.1 Přesah implantace U tp přes kanál 3 3 31113114(3,5)1311