SP - UMEL - Vysoké učení technické v Brně

Návrh analogových integrovaných obvodů (BNAO) 14717X17181920212223242526272829303132333435363738394041424343X444546474849MASK2HMP-2BPL-NI1MSK1CHIMP-FJMP-10BMSK11HIMP-FSMP-11BMP-POOXI-LhPL-NI2OXI-RMP-AOMP-GS1OXI-HHMASK3HIMP-HHMP-3BMP-HC1DEP-SIMP-CSDEP-NHMP-PGDIF-NHMP-ASMASK4HPL-1HOX-SIMASK5HIMP-APPL-5HMASK6HIMP-ANPL-6H2. maska (aktivní oblasti)Leptání HTOPlazmatické leptání nitridu + odstranění rezistu10. maska (implantace do pole v jámě)Implantace UTNF (přes oxid; jáma - 6E13/55 keV/B)Odstranění 10. masky (5´+ 5´, H 2 SO 4 + H 2 O 2 )11. maska (implantace do pole na substrátu)Implantace UTPF (přes oxid; substrát - 5E11/120 keV/P)Odstranění 11. masky (5´+ 5´, H 2 SO 4 + H 2 O 2 )Odstranění oxidu v poli (7 : 1)Lokální oxidace (1080/104´WET + 15´N 2 ) (800 nm)Plazmatické leptání oxinitridu a nitriduRafinační oxidace (1100/40´02 + 20´N 2 ) (90 nm)Leptání rafinačního oxidu - LOCOS zůstává (7 : 1)Hradlové mytí (SC1 + SC2)Hradlová oxidace (1040/40´02 + 1,6 % HCL + 30´N 2 ) (70 nm)3. maska (implantace hradel, min. tloušťka rezistu 0,9 µm)Implantace hradel (přes oxid - 8.05E11/80 keV/B)Odstranění 3. maskyMytí před poly-Si (SC1 + SC2)Depozice poly-SI (600 nm)Čištění povrchu poly-Si (scrubber + H 2 SO 4 + H 2 O 2 )Predepozice P do poly-SiSleptání PSG na poly-Si (30´´)Rozdifundování P v poly-Si (1000/60´N 2 )Adhezní mytí (H 2 SO 4 + H 2 O 2 )4. maska (poly-Si)Plazmatické leptání poly-Si + odstranění rezistuOxidace poly-Si (1000 C/15´N 2 /38´02) 60 nm5. maska (implantace P + oblasti)Implantace P + (přes oxid - 3E15/40 keV/B)Plazmatické odstranění rezistu6. maska (implantace N + oblasti)Implantace N + (přes oxid - 2E15/80 keV/P)Plazmatické odstranění rezistu