Elektronická forma

Přivedení napětí na PN přechod:• Záporný pól k P polovodiči, kladný pól k N polovodiči (obr. 2.38b), majoritní nositelébudou odpuzování od přechodu ⇒ šířka potenciálové bariéry se rozšíří vlivem napětí U –zapojení v závěrném směru.• Kladný pól zdroje k P polovodiči, záporný pól k N polovodiči (obr. 2. 38c), potenciálovábariéra se sníží a zúží (majoritní nositelé jsou odpuzováni směrem k přechodu PN) –zapojení přechodu v propustném směru.• Přechod PN má nesouměrnou vodivost – záleží na polaritě připojeného zdroje napětí(základ polovodičových diod).d) Polovodičové diodyV-A charakteristikaV propustném směru – proud prochází po překonání potenciálové bariéry (Ge dioda 0,2 V až0,3 V, Si dioda 0,65 V). Pro každý typ diody výrobce udává I max v propustném směru (jinakpřehřátí a zničení).V závěrném směru – malý závěrný proud tvořený minoritními nosiči. Překročením U zav.maxdojde k lavinovitému narůstání proudu (destruktivní průraz).Zenerova dioda – speciálně zkonstruovaná dioda s malou šířkou přechodu PN anedestruktivním průrazem v závěrném směru (po snížení napětí se přechod vrátí dopůvodního stavu) ⇒ stabilizace napětí.Využití diod:• Usměrňování střídavých proudů – využití nesymetrické vodivosti polovodičových diod.• Plošné diody – usměrnění větších proudů technických frekvencí (velká kapacitapřechodu),