5. kapitola: Vysokofrekvenční zesilovače

Punčochář, J: AEO; 5. kapitola 5GDDI DU DSP = U GS - U TGS(a)S5 mA1,25 mAObr.6.19. a) Možné symboly NMOSFET(indukovaný kanál); b) jehovýstupní charakteristikyU GS2 - U T = 2V(b)U GS1 (3V)> U TU GS ≈ U T (2V) >0U DSNa obr.6.23 je zapojení SS zesilovače s tranzistorem NMOSFET (indukovaný kanál;K = 2,96 mA/V 2 , U T = 2 V, U A = 156 V). Určete pracovní bod.U DD = 10 VR G1240kΩR D1kΩR G2150kΩU GGGU GSQDDR S100ΩSSI DU SR Z1kΩI DObr.6.23. Zapojení zesilovače SSNejdříve se musíme přesvědčit, zda je tranzistor v saturační oblasti. Pro stejnosměrnénapětí na vývodu G tranzistoru platí: U G = U DD R G2 /(R G1 +R G2 ) = =10.150/(240+150) = 3,846V. Současně musí platit, že stejnosměrné napětí na odporu R S je U S = R S I D a stejnosměrnénapětí mezi G a S je U GS = U G - R S I D . Po dosazení do vztahu I D = K (U GS - U T ) 2 získávámeI = K U − R I ) −U2 = K ( U −U) − R I .Po dosazení za uvedené podmínkyD[ ] [ ] 2(G S D TG T S D2 4dostaneme rovnici ID10 − ID. 707+ 341 , = 0, kde fyzikální smysl má řešení I D = 5,2 mA.Nyní můžeme určit napětí U DS = U DD - I D (R D + R S ) = 10 -5,2.1,1 = 10-5,72 = 4,28 V. Vsaturační oblasti musí platitU DS > U GS - U T = U G -R S I D -U T = 3,85-0,52 -2 = 1,33 V,tato podmínka je splněna, použití vztahu je proto oprávněné.