5. kapitola: Vysokofrekvenční zesilovače

Punčochář, J: AEO; 5. kapitola 20Shrnutí základních vlastností zapojení s unipolárním tranzistoremPři pohledu na signálové modely na obr. 6.1 – kde jsme zahrnuli i vliv kapacity C GD –vidíme, že situace je stejná, jako když jsme řešili zapojení s tranzistory BJT. Stačí pouzeudělat substituce:ˆ B → Uˆ, G e r mUr → , RC→ RDRE→ RSCCB → CGDVstupní odpor unipolárních tranzistorů je velmi velký, takže nemá vůbec smyslβ neboť β → ∞ .uvažovat o proudovém zesílení ( )C GDa) Dc)C GDDG0 VS iR DÛ 2G0 VS iÛ 1r mr mÛ 1SR S1Û 2R S2b)SS ire0 VÛ 1R SGC GDR CDÛ 2Obr. 6.1: Signálové modely unipolárních tranzistorů se zahrnutím vlivu kapacitya) Zapojení se společným emitorem – SSb) Zapojení se společnou „bází“ – SGc) Zapojení se společným kolektorem – SDCGD