5. kapitola: Vysokofrekvenční zesilovače

Punčochář, J: AEO; 5. kapitola 2Aby byla limitace signálu symetrická, volí se obvykle U K ≅ U KE = (U N -U E )/2. PotomI K ≅ I E = (U N - U E )/(2R K ) ; U E = R E I E = (U N - U E )R E /(2R K ) .Elementární úpravou dostaneme, žeU E = U N R E /(2R K + R E )Zřejmě platí, že stejnosměrné napětí na odporu R 2 musí býtU R2 = U E + U BE ≅ U E + 0,6 VU BE ≅ 0,6 V je typická hodnota napětí báze-emitor.Volíme-li proud odpory R 1 a R 2 mnohonásobně větší než proud báze tranzistoru I B(prakticky I 1 > 5I B ), lze považovat dělič R 1 , R 2 za nezatížený („tvrdý“) a platíU N R 2 /(R 1 + R 2 ) ≅ U E + 0,6 VMusíme proto volit příčný odpor děliče R 1 + R 2 tak, abyU N /(R 1 + R 2 ) > 5.I B = 5.I K /ββ je proudový zesilovací činitel tranzistoru (h 21E ).PotomR 2 = (U E + 0,6).(R 1 + R 2 )/U N a R 1 = (R 1 +R 2 ) - R 2 .--------------------------------------------------------------------------------------------------------Příklad:Nechť je R Z = 60 kΩ. Volíme R K < R Z /5 = 12 kΩ, volíme R K = 10 kΩ. Požadujeme zesíleníA UKSE = -10. Potom určíme R E = R K /10 = 1 kΩ. Pro U N = 12 V jeU E = U N R E /(2R K + R E ) = 12.1/(2.10 + 1) ≅ 0,6 V; I K ≅ I E = U E /R E = 0,6 mA;I B = I K /β = ⏐β = 100⏐= 6 µA; U N /(R 1 + R 2 ) = 12/(R 1 + R 2 ) > 5. 6 µA = 30 µA ⇒(R 1 + R 2 ) < 12V/30µA = 400 kΩ.Zvolíme R 1 + R 2 = 300 kΩ a dopočítáme nyní R 2 = (U E + 0,6).300/12 = 30 kΩa určíme R 1 = (R 1 +R 2 ) - R 2 = 300 - 30 = 270 kΩ.V praxi zvolíme R 1 = 270 kΩ a místo R 2 zapojíme proměnný odpor složený z „pevné“části 22 kΩ a trimru 15 kΩ. Pracovní bod tak můžeme nastavit podle potřeby.---------------------------------------------------------------------------------------------------------NASTAVENÍ PRACOVNÍHO BODU UNIPOLÁRNÍHO TRANZISTORU(S VODIVÝM KANÁLEM – JFET, MOSFET)U DD = 10 VR GI DDGU GSSR d5,1kΩU DSR S1kΩObr.6.14. Obrázek k příkladu