5. kapitola: Vysokofrekvenční zesilovače

Punčochář, J: AEO; 5. kapitola 10Laděné zesilovače s tranzistory a integrovanými obvodyNapětí přiváděné na vstup přijímače má obvykle velmi malou úroveň. Obvykle je ho třebapřed dalším zpracováním zesílit a zbavit rušivých kmitočtově odlišných složek. Pro tyto účelyslouží vysokofrekvenční předzesilovač nazývaný preselektor. Vlastní návrh je značněkomplikovaný vzhledem k silné vnitřní zpětné vazbě tranzistorů, způsobované nenulovouvelikostí admitance y12. Tato zpětná vazba způsobuje, že se tranzistor chová takřka v celémkmitočtovém pásmu jako potenciálně nestabilní prvek. Nestabilitu preselektoru je třebapotlačit. K tomu slouží „unilateralizace" (nebo alespoň neutralizace) [ 4 ] zesilovače nebočastěji metoda vycházející ze skutečnosti, že zatížíme-li vstupní i výstupní svorky zesilovačemenší hodnotou odporů, než odpovídá výkonovému přizpůsobení, stupeň stability se zvýší.Jiný způsob spočívá ve vhodném zapojení zesilovacího stupně. Vhodné vlastnosti má kaskodaSE-SB tvořená tranzistory T1 a T3 na Obr. 4.12a, dodávaná často jako monolitický IO, kterámá zpětnovazební admitanci redukovanou velmi výrazně (asi o 2-3 řády). To konstrukcipreselektoru usnadňuje. Uvažujme nejprve kaskodu SE-SB. Ze stejnosměrného hlediskamohou být oba tranzistory kaskody zapojeny sériově nebo paralelně. Rozhodující je při tomvelikost stejnosměrného napětí, které je k dispozici. Admitanční parametry "syntetického"tranzistoru lze určit z admitančních parametrů dílčích tranzistorů pro zvolenou hodnotunastaveného pracovního bodu (Ik, Uk), daný kmitočet a danou teplotu přechodu.