Rozložený jednofázový jistič - Rutar

Rozložený jednofázový jistič - Rutar Rozložený jednofázový jistič - Rutar

25.04.2015 Views

22 Rutar Jaromír, Zesilovače a oscilátory Oscilátory LC S induktivní vazbou -řídící rezonanční obvod je zapojen přímo na výstup zesilovače -vstup zesilovače je induktivně vázán s řídícím rezonančním obvodem -po zapnutí napájení se prudce zvyšuje proud v cívce L -zvyšování proudu vyvolá indukcí zvýšení proudu do bT -zvýšení I B zvýší I K -zvýšení I K přes indukční vazbu opět zvyšuje I B -zastavení nárůstu nastane až nasyceným stavem tranzistoru -(vlivem zakřivení charakteristik tranzistoru) -tím nastane nepatrné snížení I K -snížení I K vyvolá vlivem kladné zpětné vazby snížení I B -a stejný děj včetně nasycení se opakuje opačným směrem -(záporná část kmitu) -v rezonančním obvodu tak vzniká sinusový průběh kmitů -oscilátor kmitá na rezonanční frekvenci dle Thomsonova vzorce V tříbodovém zapojení -obvodově nejednodušší jsou tyto dva druhy -indukční větev paralelního rezonančního obvodu je provedena jako dělič napětí -rezonanční obvod (jako dělič napětí) je k tranzistoru připojen ve třech bodech -rezonanční obvod tvoří zpětnovazební řídící obvod -princip je stejný jako u Hartleyova oscilátoru -pouze dělič napětí je tvořen kapacitní větví paralelního rezonančního obvodu Kvalita sinusových oscilátorů se posuzuje dle stability frekvence kmitů (neměnnost kmitočtu) Stabilita se vyjadřuje poměrem ∆f / f 0 a bývá pro uvedená zapojení řádově 10 -3 22 Rutar Jaromír, Zesilovače a oscilátory

Rutar Jaromír, Zesilovače a oscilátory 23 Oscilátory RC -mají zpětnou vazbu (řídící obvod) vytvořenou kombinací R a C -frekvence oscilátoru je dána hodnotami R a C -jejich výhodou je jednoduchost -nemají v zapojení indukčnost (obtížně se vždy realizuje) -řídící obvod tvoří tři derivační články (C 1 R 1 , C 2 R 2 , C 3 R 3 ) -každý z nich posunuje fázi svého výstupního napětí o 60° -tranzistor posouvá fázi o 180° -fázová podmínka φ A + φ B = 2π je splněna Oscilátory řízené krystalem -splňují požadavek na vysokou stabilitu a přesnost -zapojení využívá piezoelektrických vlastností výbrusu krystalu křemene -křemenný výbrus (zkráceně krystal) se přiloženým napětím deformuje -a naopak, budu-li ho mechanicky deformovat objeví se na jeho polepech napětí -v elektrickém obvodu se chová jako rezonanční obvod -jeho náhradní schéma je vpravo na obrázku -kapacita C R a cívka L R tvoří sériový rezonanční obvod, jehož ztráty vyjadřuje odpor R R -kapacita C P představuje kapacitu polepů krystalu a jeho vývodů -z náhradního zapojení plyne, že krystal má dvě rezonanční frekvence -pro obvod sériový a pro obvod paralelní -tomu odpovídající průběh impedance v závislosti na kmitočtu ukazuje další obrázek -při frekvenci f S je impedance krystalu nejmenší -krystal se chová jako sériový rezonanční obvod -zvyšováním frekvence impedance prudce narůstá, při f P dosáhne maxima -krystal se chová jako paralelní rezonanční obvod -další zvyšování frekvence vede k prudkému poklesu impedance -činitel jakosti Q krystalu je neobyčejně vysoký (10 4 až 10 6 ) -řádově tedy 100x až 10.000x větší než u obvodů LC -kmitočet krystalových oscilátorů je rovněž mnohonásobně stabilnější -dosahuje stability 10 -5 až 10 -7 , ve speciálních případech až 10 -9 -stabilita 10 -7 znamená, že při kmitočtu 1MHz je odchylka nejvýše ±0,1 Hz od jmenovitého kmitočtu Indukčnost cívky L R v náhradním zapojení krystalu je velká a kapacita C R je zase velmi malá. Má-li být proto kmitočet obvodu zásadně určen krystalem, musí se zapojit tak, aby jeho impedance měla indukční charakter. To splňují již jednoduché oscilátory z následujících obrázků Rutar Jaromír, Zesilovače a oscilátory 23

22<br />

<strong>Rutar</strong> Jaromír, Zesilovače a oscilátory<br />

Oscilátory LC<br />

S induktivní vazbou<br />

-řídící rezonanční obvod je zapojen přímo na výstup zesilovače<br />

-vstup zesilovače je induktivně vázán s řídícím rezonančním obvodem<br />

-po zapnutí napájení se prudce zvyšuje proud v cívce L<br />

-zvyšování proudu vyvolá indukcí zvýšení proudu do bT<br />

-zvýšení I B zvýší I K<br />

-zvýšení I K přes indukční vazbu opět zvyšuje I B<br />

-zastavení nárůstu nastane až nasyceným stavem tranzistoru<br />

-(vlivem zakřivení charakteristik tranzistoru)<br />

-tím nastane nepatrné snížení I K<br />

-snížení I K vyvolá vlivem kladné zpětné vazby snížení I B<br />

-a stejný děj včetně nasycení se opakuje opačným směrem<br />

-(záporná část kmitu)<br />

-v rezonančním obvodu tak vzniká sinusový průběh kmitů<br />

-oscilátor kmitá na rezonanční frekvenci dle Thomsonova vzorce<br />

V tříbodovém zapojení<br />

-obvodově nejednodušší jsou tyto dva druhy<br />

-indukční větev paralelního rezonančního obvodu je provedena jako dělič napětí<br />

-rezonanční obvod (jako dělič napětí) je k tranzistoru připojen ve třech bodech<br />

-rezonanční obvod tvoří zpětnovazební řídící obvod<br />

-princip je stejný jako u Hartleyova oscilátoru<br />

-pouze dělič napětí je tvořen kapacitní větví paralelního rezonančního obvodu<br />

Kvalita sinusových oscilátorů se posuzuje dle stability frekvence kmitů (neměnnost kmitočtu)<br />

Stabilita se vyjadřuje poměrem ∆f / f 0 a bývá pro uvedená zapojení řádově 10 -3<br />

22 <strong>Rutar</strong> Jaromír, Zesilovače a oscilátory

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!