Osnovi elektronike
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
10. Složena pojačavačka kola<br />
Ako posmatramo pojačavač sa zajedničkim sorsom vidimo da je njegovo naponsko<br />
pojačanje znatno manje od pojačanja pojačavača sa zajedničkim emitorom. To je posledica<br />
činjenice da je transkonduktansa MOS tranzistora znatno manja od transkonduktanse bipolarnog<br />
tranzistora. Da bi se povećalo naponsko pojačanje, trebalo bi povećati vrednost otpornika R<br />
D<br />
.<br />
Međutim, ako napon napajanja ostane isti, povećanje otpornosti R<br />
D<br />
izazvaće smanjenje struje<br />
I<br />
D<br />
i smanjenje transkonduktanse g<br />
m<br />
. Dakle, pojačanje će se samo malo povećati sa povećanjem<br />
otpornosti R<br />
D<br />
. Slična je situacija i kod pojačavača sa zajedničkim emitorom, ali se kod njega<br />
ipak može realizovati nešto veće pojačanje.<br />
Postoji još jedan nedostatak opisanih pojačavača sa MOS tranzistorima kada se<br />
pojačavačka kola realizuju u tehnologiji integrisanih kola. Dimenzije integrisanih otpornike su<br />
nekoliko puta, pa čak i nekoliko desetina puta, veće od dimenzija MOS tranzistora. Prema tome,<br />
upotreba otpornika smanjuje broj komponenata koje se mogu realizovati na zadatoj površini.<br />
Treći nedostatak svih opisanih konfiguracija sa jednim tranzistorom je što se koriste<br />
kondenzatori za spregu sa pobudnim izvorom kao i sa narednim pojačavačkim stepenom. Oni su<br />
neophodni da se ne bi poremetila radna tačka tranzistora priključivanjem pobude ili narednog<br />
stepena. Takvi kondenzatori treba da budu velike kapacitivnosti da ne bi slabili signale na niskim<br />
učestanostima. U realizacijama sa diskretnim komponentama, ovi kondenzatori ne predstavljaju<br />
problem. Međutim, u integrisanoj tehnologiji nije moguće realizovati kondenzatore velikog<br />
kapaciteta na silicijumskoj pločici, pa se mora tražiti neko alternativno rešenje.<br />
Navedeni razlozi doveli su do razvoja novih kola, koja treba da imaju veliko pojačanje uz<br />
istovremeno malo zauzeće površine integrisanih kola. Takva kola sadrže samo MOS tranzistore i<br />
dominantna su u savremenoj tehnologiji MOS integrisanih kola. Osnovna ideja je da se otpornik<br />
zameni sa strukturom koja sadrži jedan ili više tranzistora. Takva struktura treba da obezbedi<br />
veliku dinamičku otpornost, uz istovremeno zadržavanje radne tačke pojačavačkog tranzistora.<br />
10.1 Strujni izvori<br />
Realizacije pojačavača u integrisanoj tehnologiji intenzivno koriste strujne izvore. Jedna<br />
jednostavna realizacija strujnog izvora je pokazana na slici 10.1.<br />
V DD<br />
I REF<br />
R<br />
I O<br />
I D1<br />
T 1<br />
T 2<br />
Slika 10.1: Strujni izvor sa NMOS tranzistorima.<br />
Pošto je kod tranzistora T 1 drejn spojen sa gejtom, tranzistor T 1 mora biti u režimu<br />
zasićenja, jer je v = v > v −V<br />
. Struja kroz tranzistor T 1 (referentna struja) iznosi:<br />
DS<br />
GS<br />
GS<br />
t<br />
84
Change language