18.03.2015 Views

Osnovi elektronike

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

9.4.1 NMOS tranzistor u zakočenju<br />

NMOS tranzistor je zakočen kada nema uslova za formiranje kanala. Dakle, da bi<br />

tranzistor bio zakočen, treba da bude v<br />

GS<br />

< Vt<br />

. Tada između drejna i sorsa, umesto kanala,<br />

postoje dve diode od kojih je uvek jedna inverzno polarisana. Pošto je otpornost izneđu sorsa i<br />

drejna reda 10 12 Ω, a gejt je izolovan, može se smatrati da se ceo MOS tranzistor može zameniti<br />

prekinutim vezama.<br />

9.4.2 NMOS tranzistor u triodnoj oblasti<br />

Kada je napon na gejtu dovoljno veliki za formiranje kanala, vGS<br />

≥ Vt<br />

, a napon između<br />

sorsa i drejna dovoljno mali, vDS<br />

≤ vGS<br />

−Vt<br />

, NMOS tranzistor radi u triodnoj oblasti. U jednačini<br />

za struju drejna:<br />

W<br />

2<br />

i = D<br />

kn 2( vGS Vt)<br />

vDS vDS<br />

L ⎡ ⎣ − − ⎤ ⎦ (9.3)<br />

se za male napone v<br />

DS<br />

može zanemariti kvadratni član, čime se ona svodi na oblik:<br />

iD ≈2 k W<br />

n<br />

( vGS − Vt)<br />

vDS<br />

(9.4)<br />

L<br />

Dakle, u triodnoj oblasti se NMOS tranzistor ponaša kao otpornik, čija vrednost zavisi od<br />

kontrolnog napona v<br />

GS<br />

:<br />

r<br />

DS<br />

vDS<br />

1<br />

= =<br />

i W<br />

D 2 kn ( vGS −Vt)<br />

L<br />

(9.5)<br />

Ova osobina MOS tranzistora se često koristi u elektronskim kolima za realizaciju<br />

programabilnih naponski kontrolisanih otpornika.<br />

9.4.3 NMOS tranzistor u zasićenju<br />

Kada je napon na gejtu dovoljno veliki za formiranje kanala, vGS<br />

≥ Vt<br />

, a napon između<br />

sorsa i drejna dovoljno veliki, vDS<br />

≥ vGS<br />

−Vt<br />

, NMOS tranzistor radi u oblasti zasićenja.<br />

Jednačina za struju drejna:<br />

W<br />

i k v V<br />

L<br />

2<br />

D<br />

=<br />

n<br />

(<br />

GS<br />

−<br />

t)<br />

(9.6)<br />

pokazuje da se NMOS tranzistor u oblasti zasićenja može predstaviti kao idealni zavisni strujni<br />

izvor kontrolisan naponom v<br />

GS<br />

, što je pokazano na slici 9.4.<br />

78

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!