Osnovi elektronike
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
9.4.1 NMOS tranzistor u zakočenju<br />
NMOS tranzistor je zakočen kada nema uslova za formiranje kanala. Dakle, da bi<br />
tranzistor bio zakočen, treba da bude v<br />
GS<br />
< Vt<br />
. Tada između drejna i sorsa, umesto kanala,<br />
postoje dve diode od kojih je uvek jedna inverzno polarisana. Pošto je otpornost izneđu sorsa i<br />
drejna reda 10 12 Ω, a gejt je izolovan, može se smatrati da se ceo MOS tranzistor može zameniti<br />
prekinutim vezama.<br />
9.4.2 NMOS tranzistor u triodnoj oblasti<br />
Kada je napon na gejtu dovoljno veliki za formiranje kanala, vGS<br />
≥ Vt<br />
, a napon između<br />
sorsa i drejna dovoljno mali, vDS<br />
≤ vGS<br />
−Vt<br />
, NMOS tranzistor radi u triodnoj oblasti. U jednačini<br />
za struju drejna:<br />
W<br />
2<br />
i = D<br />
kn 2( vGS Vt)<br />
vDS vDS<br />
L ⎡ ⎣ − − ⎤ ⎦ (9.3)<br />
se za male napone v<br />
DS<br />
može zanemariti kvadratni član, čime se ona svodi na oblik:<br />
iD ≈2 k W<br />
n<br />
( vGS − Vt)<br />
vDS<br />
(9.4)<br />
L<br />
Dakle, u triodnoj oblasti se NMOS tranzistor ponaša kao otpornik, čija vrednost zavisi od<br />
kontrolnog napona v<br />
GS<br />
:<br />
r<br />
DS<br />
vDS<br />
1<br />
= =<br />
i W<br />
D 2 kn ( vGS −Vt)<br />
L<br />
(9.5)<br />
Ova osobina MOS tranzistora se često koristi u elektronskim kolima za realizaciju<br />
programabilnih naponski kontrolisanih otpornika.<br />
9.4.3 NMOS tranzistor u zasićenju<br />
Kada je napon na gejtu dovoljno veliki za formiranje kanala, vGS<br />
≥ Vt<br />
, a napon između<br />
sorsa i drejna dovoljno veliki, vDS<br />
≥ vGS<br />
−Vt<br />
, NMOS tranzistor radi u oblasti zasićenja.<br />
Jednačina za struju drejna:<br />
W<br />
i k v V<br />
L<br />
2<br />
D<br />
=<br />
n<br />
(<br />
GS<br />
−<br />
t)<br />
(9.6)<br />
pokazuje da se NMOS tranzistor u oblasti zasićenja može predstaviti kao idealni zavisni strujni<br />
izvor kontrolisan naponom v<br />
GS<br />
, što je pokazano na slici 9.4.<br />
78