Osnovi elektronike

gde se re
= vbe
ib
= 1 gm
naziva emitorska otpornost.
Relacije v
be
= r π
ib
, ic
= βib
i ic
= gmvbe
predstavljaju matematički model tranzistora za
male signale, koji je u literaturi poznat kao hibridni π model. Dve verzije ovog modela su
prikazane na slici 8.5.
B
+
v be
C B
i c
+
i b
v be
i e
r π
i c
=g m
v be
C
i c
i b
i e
r π
i c
=βi b
E
E
Slika 8.5: Hibridni π modeli tranzistora za male signale.
U praktičnoj primeni modela za male signale u analizi pojačavačkih kola sa bipolarnim
tranzistorima, tranzistor se zamenjuje svojim modelom, dok se nezavisni jednosmerni izvori
anuliraju (naponski izvori se kratkospajaju, a strujni izvori se raskidaju). Posle toga se formira
odgovarajući sistem jednačina, čijim se rešenjem dobijaju tražene veličine.
8.3 Ulazne i izlazne karakteristike tranzistora
Ulazna karakteristika tranzistora je zavisnost i
B
= f1(
vBE
) , pri čemu je napon v CE
parametar. Ova zavisnost ima eksponencijalni karakter.
Izlazna karakteristika tranzistora je zavisnost i
C
= f3(
vCE
) pri čemu je struja baze i B
parametar.
Karakteristika prenosa tranzistora je zavisnost i
C
= f2(
vBE
) , pri čemu je napon v CE
parametar. Ova zavisnost ima eksponencijalni karakter.
Ove karakteristike se daju u katalozima i koriste se u procesu projektovanja.
8.4 Polarizacija tranzistora
Pod polarizacijom tranzistora se podrazumeva dovođenje odgovarajućih jednosmernih
napona na njegove elektrode, koje će ga postaviti u određeni radni režim. Za aktivni režim je
potrebno da se emitorski spoj polariše direktno a kolektorski spoj inverzno. To se može uraditi
korišćenjem dve baterije kao na slici 8.6.
Jednosmerni radni uslovi se određuju na sledeći način. Prvo se za kolo baze napiše
jednačina:
VBB − RBIB − VBE
= 0
(8.12)
67