Osnovi elektronike
8.2 Rad bipolarnog tranzistora u aktivnom režimu U aktivnom režimu rada emitorski spoj je direktno polarisan, a kolektorski spoj je inverzno polarisan. Polarizacija se ostvaruje priključivanjem baterija odgovarajućeg polariteta, kao na slici 8.3. n p n i Ee i Ep i Ce i E iC E i Br C i CB0 + V BE B i B + V CB Slika 8.3: Struje u aktivnom režimu rada npn tranzistora. Za razmatranje rada tranzistora u aktivnom režimu najbolje je poći od emitorskog spoja koji je direktno polarisan, i prema tome ima dve difuzione struje većinskih nosilaca sa obe strane spoja: 1. Struja elektrona od emitora ka bazi I Ee 2. Struja šupljina od baze ka emitoru I Ep čiji zbir predstavlja struju emitora: I = I + I ≈ I , jer je I
I = I + I ≈ I , jer je I
- Page 17 and 18: 3.3 Prvi (strujni) Kirhofov zakon N
- Page 19 and 20: I = GV + GV + + G V = ( G + G + +
- Page 21 and 22: 3.7 Sistem jednačina napona čvoro
- Page 23 and 24: serijski vezanim otpornikom R, onda
- Page 25 and 26: Equation Section (Next) 4. Kola sa
- Page 27 and 28: + i(t) v(t) L - Slika 4.2: Simbol k
- Page 29 and 30: Iz jednačine koja daje prirodno re
- Page 31 and 32: + i s (t) R L C v(t) - - + v s (t)
- Page 33 and 34: 3. α
- Page 35 and 36: Iz uslova periodičnosti: ω T = 2
- Page 37 and 38: j( ω+φ t ) jφ jωt xt () = XM co
- Page 39 and 40: strujama, kada se koristi fazorska
- Page 41 and 42: R −X G = , B= R + X R + X 2 2 2 2
- Page 43 and 44: Na isti način se polazeći od jedn
- Page 45 and 46: Posmatrajmo sada dve paralelno veza
- Page 47 and 48: 5.8 Sistem jednačina napona čvoro
- Page 49 and 50: naziva se ulazna impedansa kola. 1
- Page 51 and 52: U matematičkoj teoriji Furijeovih
- Page 53 and 54: Equation Section 6 6. Osnovi fizike
- Page 55 and 56: nepopunjen zabranjen nepopunjen pop
- Page 57 and 58: silicijum se naziva n-tip silicijum
- Page 59 and 60: 7. pn spoj Ako se napravi bliski ko
- Page 61 and 62: gde je K konstanta koja zavisi od g
- Page 63 and 64: Ova relacija je nelinearna i često
- Page 65 and 66: 7.6 Radna tačka diode Posmatrajmo
- Page 67: 8. Bipolarni tranzistor 8.1 Struktu
- Page 71 and 72: gde se re = vbe ib = 1 gm naziva em
- Page 73 and 74: R V = V , R = R R B2 B1 B2 BB CC B
- Page 75 and 76: V CC v s R B1 R E vi R s1 C + R B2
- Page 77 and 78: Sa slike 8.13 se posle kraćeg izra
- Page 79 and 80: minimalne dimenzije su ispod 1 μm,
- Page 81 and 82: με W W i = ( v − V ) = k ( v
- Page 83 and 84: G v GS + S k n (W/L)(v GS -V t ) 2
- Page 85 and 86: 9.6 Osnovna pojačavačka kola sa N
- Page 87 and 88: Posle zamene MOS tranzistora modelo
- Page 89 and 90: ⎛W ⎞ V −V I k V V I ⎝ ⎠ 1
- Page 91 and 92: gde je V A napon koji određuje nag
- Page 93 and 94: Zato se u integrisanoj tehnici uvek
- Page 95 and 96: 10.5 Primene operacionog pojačava
- Page 97 and 98: samo po tome što ima više ulaza.
- Page 99 and 100: Dakle, izlazni napon je srazmeran p
- Page 101 and 102: V(1) Logička jedinica Prelazna zon
- Page 103 and 104: A Y 0 1 1 0 A Y Slika 11.4 Kombinac
- Page 105 and 106: 11.2.5 NI operacija Već je rečeno
- Page 107 and 108: logičkog zbira promenljivih, reč
- Page 109 and 110: Sa sl. 11.11 može se uočiti da je
- Page 111 and 112: se obično uzima da se kolo pri def
- Page 113 and 114: 11.4.1 Karakteristika prenosa Za od
- Page 115 and 116: Dakle, margine šuma su iste, što
- Page 117 and 118: gde je I DDmax maksimalna nekapacit
I = I + I ≈ I , jer je I
Change language