Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Unipolární tranzistory
4 Unipolární tranzistor – tranzistor řízený
elektrickým polem (FET – Field Effect Tranzistor)
Čas ke studiu: 14 hodin
Cíl Po prostudování tohoto odstavce budete umět:
definovat a rozlišit jednotlivé typy tranzistorů podle konstrukce
sestavit a zdůvodnit signálový model všech unipolárních tranzistorů
nastavit pracovní body
navrhnout a posoudit zapojení tranzistoru
- se společným vývodem S
- se společným vývodem D
- se společným vývodem G
- zesilovač se zdrojem proudu jako aktivní zátěží
VÝKLAD
4.1 Úvod
Bipolární tranzistory jsou dostatečně definovány dvěma základními strukturami – NPN a PNP.
Ke své činnosti současně využívají elektrony i díry. Konstrukčně se skládají vždy ze dvou P–N
přechodů. V normálním aktivním režimu je vždy přechod báze – emitor (B – E) otevřený a přechod
báze – kolektor (B – C) uzavřený. Báze musí být velmi tenká, aby mohl vzniknout tranzistorový jev
(asi 1 µm – [1]). Proud emitorem se prakticky rovná proudu kolektorovému, velikost těchto parametrů
lze řídit proudem do báze (napětím báze – emitor).
K zajištění činnosti tranzistoru řízeného polem – k průchodu proudu mezi vývodem S (source,
emitor - viz obr. 4.1) a D drain, kolektor viz obr. 4.1) – stačí vždy nosiče jednoho typu:
elektrony pro kanál N (mezi S a D)
díry pro kanál typu P (mezi S a D)
99