Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Bipolární tranzistory
RE
100 1,
5 10
RD
16,
67 k
10 12
U 10 12
12
CC
3
Nyní učíme, že v náhradním schématu tranzistoru bude
UT
26 mV
r 7,
2
I 3,6 mA
e .
E
Signálové schéma zapojení z obr. 3.26 je na obr. 3.27. Zdroj napětí i zde představuje pro
signál zkrat, reaktance 1 C B
a 1 C E
zanedbáváme. Odpor RV R D
2
reprezentuje vliv
děliče R D – R D na signál.
Ze signálového schématu určíme, že proud
i
e
r
e
u1
R
E
i C
u 1
R V
i B
0 V
u 1
i e
T i
E i
r e
E u 2
R E
Obr. 3.27: Signálové schéma zapojení se společným kolektorem
i
i
c
b
i
e
ic
1
u
1
r
e
u1
R
E
1
r
R
e
E
Vstupní odpor do báze tranzistoru je
R
ib
u
1
i
r
R
1 e E
(3.32)
b
Celkový vstupní odpor je pak paralelní zapojení odporu
R a R , tedy:
V
ib
R
in
R
ib V
(3.33)
R
ib
R
R
V
Výstupní napětí
85