Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Bipolární tranzistory
Za daných podmínek platí
I
Potom opět
0,
6
R
I
0,
6
10
0 6 mA
3
,
r e 26 mV 0,6 mA
43,
3 .
Odhadneme, že
R I P
1 M
. Potom snadno určíme ze vztahu (3.23), že zesílení (obr. 3.25c) je
A
USE
R
r
IP
e
10 6 23095
43
a to je opravdu velká hodnota. Odhadněme, že tranzistor T 1 má nyní r ce = 178 kΩ. Použijeme vztah
(3.21), obdržíme:
A
USE
r
r
ce
ce
R
R
r
e
IP
IP
3
6
178 10
10
3
178 10
10
43,
3
6
3490
Toto je mnohem reálnější hodnota. Při velkých signálových hodnotách kolektorového odporu musíme
respektovat i odpor r ce . Výstupní odpor je určen vztahem (3.24)
rce
RIP
RO 151
k
r R
ce
IP
Následující stupeň, který představuje zátěž, musí mít vstupní odpor několikrát větší než R O , nemá-li
dojít ke zmenšení napěťového zesílení.
U CC
U CC
u i
R D
C B
R D
I D
I B
B
E
R E
C
U CE
C CE
I E
u O
u i
C V1
R D
R D
I B
0,6 V
R E
C E
a) b)
Obr. 3.26: Zapojení se společným kolektorem (SC, emitorový sledovač)
s tranzistorem a) NPN, b) PNP
83