Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Bipolární tranzistory
U
Z
I R
Z
U
I
R
Z
R
I
je menší než U U U 0, 6 V, aby se tranzistor nedostal do saturace.
CC
I
CC
Odporem R D protéká proud D
CC D
D
proud báze tranzistoru I B , tedy
I
U 2 U
R a ten musí být alespoň pětkrát větší než
I
D
U
CC
2U
R
D
D
5
I
50,6
R
I
Neideálnost zdroje (závislost na napětí) je popsána odporem R IP , který je připojen paralelně
k ideálnímu zdroji proudu. I v tomto jednoduchém zapojení dosahuje R IP hodnot stovek kΩ až
jednotek MΩ – obr. 3.25.
U CC (12 V)
U CC (12 V)
R I (1 kΩ)
R D (10 kΩ)
0,6 mA
R I P
I
T 2
u 2
u 1 T 1
I/β
E i
u 1
T 1
R E
R E
a) b)
c)
u 1
T i
r e
U T
I
R I P
u 2
Obr. 3.25:
a) Zesilovač SE se zdrojem proudu v kolektoru
b) Zdroj proudu nahrazen modelem
c) Signálové schéma
Na obr. 3.24b), c) se předpokládá, že oba tranzistory mají identické vlastnosti a velké
proudové zesilovací činitele. Potom platí
D
U
CC 0, RD
I 6 a I ID
.
I zde musí platit, že U
Z
R I U .
Z
CC
v bázi.
Zesilovače SE s proudovým zdrojem v kolektoru je na obr. 3.25 – bez napájecího obvodu
82