Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Bipolární tranzistory
3.4.2 Zapojení s externím emitorovým odporem
Tato zapojení získáme velmi snadno úpravou zapojení na obr. 3.20 [ale i do obr. 3.18 a 3.19
lze externí odpor R E doplnit, ve vztazích při určení R B (R BC ) dosazujeme místo hodnoty 0,6 V hodnotu
(0,6 + U RE ), kde U RE je stejnosměrný úbytek na externím odporu R E ; toto řešení zároveň zvětší stabilitu
pracovního bodu – vůči změnám β]. V obr. 3.20 stačí jednoduše vypustit kondenzátor C E –
stejnosměrný pracovní bod se nezmění. Chceme-li zajistit nastavitelnou hodnotu externího
emitorového odporu vůči signálu, můžeme použít modifikované zapojení podle obr. 3.23a, b.
E
C E
R EA
E
R E = R EA + R EB
u 1
i b
B
0 V
R V u 1
i ci
E i
C
i c
u 2
R E
R CE
R EB
C E
r e
i e
E
u e
a) b) c)
R e
Obr. 3.23: a), b) Různé realizace externího proměnného emitorového odporu R E
c) Signálové schéma zapojení externího odporu R C → už modeluje
situaci pro střídavý signál
Není-li kondenzátor C E vůbec zapojen, je externí signálový odpor v emitoru (E) tranzistoru
R .
e
R E
V zapojení na obr. 3.23a) platí, že
R
R
R
E CE
e ,
RE
RCE
v zapojení na obr. 3.23b) je R R R
R R
e EA EA EB E .
Signálové schéma zapojení je na obr. 3.23c). Odpor R V pouze popisuje napájecí obvod
báze, je určen hodnotou paralelního zapojení odporů R A a R B pro strukturu z obr. 3.20 (nebo R B na obr.
3.18, s přihlédnutím k poznámce uvedené pro zapojení R E do této struktury).
Nezkoumáme-li vliv r CE rCE R C
, potom je situace velmi jednoduchá. Dospějeme
k závěru, že platí vše, co bylo řečeno k obr. 3.22 s tím, že místo r e dosadíme hodnotu re
Re
, tedy ve
všech vztazích dosazujeme (nahradíme, substituce) r r R
i u 1 r R .
Proto:
vstupní odpor do báze T i je
r
R
1
e
, platí totiž, že
e
R
(3.25)
VSTBR
e
e
e
e
e
e
celkový vstupní odpor je
78