Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Bipolární tranzistory
R
R
R
R
R
21,
910
21,
910
4343
V ib
RA
RB
VST RV
21 , 9 k
3624 3,
6
3
R R
V
ib
A
B
3
4343
k
Ze vztahu (3.21) určíme napěťové zesílení
rce
RC
rce
RC
AUSE
1
r
e
100
100 1
3
177 10
10
10
3
177 10
10
10
43
3
3
218
Ze vztahu (3.22) určíme
A
USE
R
r
C
e
3
1010
43
232
Rozdíl mezi (3.21) a (3.22) je většinou zanedbatelný.
A
A
ISE
ISE
Můžeme také definovat proudové zesílení struktury A ISE jako poměr 4) A ISE i c i 1 . Potom
u1
r
u
R
e
1
V
1
R
VST
RV
1
1
re
R
r
VST
e
R
VST
Rib
R
R
V
V
1
R
R
ib
ib
re
1
R
R
V
V
1
re
1
r
e
Můžeme definovat i výkonové zesílení struktury A PSE z poměru okamžitých hodnot výkonu.
2
Vstupní výkon je p1 u1
RVST
, na výstupu je 2
p 2 u 2 RC
. Potom
A
PSE
p
p
2
1
2
2
2
1
u
u
R
R
C
VST
u
u
2
1
R
R
C
VST
u
2
u
1
i
i
C
1
u
u
2
1
A
ISE A USE
podosazení
a pro 1
A
A
R
VST
PSE 2 USE
(3.23)
RC
Celkový výsledek je kladný, jinak tomu ani u výkonů nemůže být. Porovnejte si to se
zvolenou orientací šipek na obr. 3.21.
Je zřejmé, že výkonové zapojení tranzistoru v zapojení SE je velké. Pro hodnoty uvedené
v příkladu 3.2 dostaneme
4) Předpokládejme, že veškerý proud i C pracuje v kolektorovém odporu R C . To ovšem není v praxi
vždy běžný případ. Užitečný signál se odebírá do zátěže R Z (přes vazební kapacitor C V2 ) a proudy i Z
jsou obvykle 5 krát až 10 krát menší než i C (v tzv. A třídě režimu zesilovače).
76