Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu
Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu
Bipolární tranzistory R V RA R R R A B B Horní svorka R A (NPN) nebo R B (PNP) je uzemněna – vůči vstupnímu napětí u 1 se jeví R A a R B jako paralelně řazané odpory. V daném modelu je napětí na r e – u e rovno napětí u 1 a pak je odpovídající proud u u . e 1 ie re re Dále musí platit i e i i 1 c b i b šipka i e tak určuje i šipku i b ; i b musí protékat signálovým emitorem tak, aby se přičetl k i c , i e a i c mají vždy stejný směr. Dále určíme i b i e u 1 r e 1 1 1 re a vstupní odpor báze tranzistoru Rib u u1 i u b 1 1 1 r e u 1 re (3.19) Celkový vstupní odpor R VST (někdy značen R in ) je určen paralelním řazením R V a R ib . Z 1.KZ určíme, že odtud i 1 R i VST v i b u1 i 1 u R 1 V 1 R V u 1 1 1 re 1 1 r e R R V V 1 r 1 Proud kolektorem i c je orientován stejně jako proud i e a platí 1 ic ie 1 1 re u e re (3.20) Nyní již můžeme určit napětí u 2 . Pokud budeme uvažovat i signálový odpor r ce , platí (šipky u 2 a i c jdou proti sobě, proto záporné znaménko) 74
Bipolární tranzistory u 2 i c r r ce ce R R C C r r ce ce R R r e C C 1 1 u . Napěťové zesílení zesilovače v zapojení SE je potom A USE u u 2 1 1 r r ce ce R e C R r C (3.21) Znaménko mínus znamená, že se jedná o invertující zesilovač. Pro většinu moderních tranzistorů platí, že 1 a rce RC . Potom 1 1 a r r ce ce R R C C R C 1 1 R C r ce R C Vztah (3.21) potom má tvar: A Poznámka: R C USE (3.22) re Uvědomme si, že pro větší signály je f r e → zesílení je nelineární. u 1 Příklad 3.2 Předpokládejme zapojení uvedené na obr. 3.19, s hodnotami: U CE U CC 2 6 V, R C = 10 kΩ, β = 100, R E = 1,5 kΩ, I C = 0,6 mA, R A = 175 kΩ, R B = 25 kΩ, a Earlyho napětí U A = 100 V, (nebo odečteme z charakteristik I C = f(U CE ) – obr. 3.6b – UCE IC v okolí pracovního bodu). Určete hodnotu napěťového, proudového a výkonového zesílení. Řešení: Ze vztahu (3.12) určíme, že r e 1 UT 26 mV 43 g I 0,6 mA Ze vztahu (3.11) určíme e EP U A U CEP 100 6 rCE 177 k 3 I 0, 6 10 CP Ze vztahu (3.19) určíme vstupní odpor báze tranzistoru r 431001 R 4343 ib 1 e Ze vztahu (3.20) určíme celkový vstupní odpor 75
- Page 23 and 24: Základy analýzy obvodů s neline
- Page 25 and 26: Základy analýzy obvodů s neline
- Page 27 and 28: Polovodičové diody 2 Polovodičov
- Page 29 and 30: Polovodičové diody 2.2 Přechod P
- Page 31 and 32: Polovodičové diody T = absolutní
- Page 33 and 34: Polovodičové diody C K S 3 0
- Page 35 and 36: Polovodičové diody g d D D U D
- Page 37 and 38: Polovodičové diody Pro U S = - 10
- Page 39 and 40: Polovodičové diody I D Lavinový
- Page 41 and 42: Polovodičové diody Z aplikace Ohm
- Page 43 and 44: Polovodičové diody Problém na ob
- Page 45 and 46: Polovodičové diody W g h (2.18
- Page 47 and 48: Polovodičové diody 2.5 Druhy diod
- Page 49 and 50: Polovodičové diody a) statický o
- Page 51 and 52: Polovodičové diody G d R d C d N
- Page 53 and 54: Příklad 2.7 Polovodičové diody
- Page 55 and 56: Bipolární tranzistory 3 Tranzisto
- Page 57 and 58: Bipolární tranzistory Určitá č
- Page 59 and 60: Bipolární tranzistory Jedná se o
- Page 61 and 62: I I I I Bipolární tranzisto
- Page 63 and 64: Bipolární tranzistory U BEP UT U
- Page 65 and 66: Bipolární tranzistory 3.2.3 Tranz
- Page 67 and 68: Bipolární tranzistory Proud I CB0
- Page 69 and 70: Bipolární tranzistory 3.3 Nastave
- Page 71 and 72: Požadujeme-li 2 CE U CC U je opě
- Page 73: Bipolární tranzistory Při zvolen
- Page 77 and 78: Bipolární tranzistory A PSE A 2
- Page 79 and 80: Bipolární tranzistory R VST R RV
- Page 81 and 82: Bipolární tranzistory Uvažujme n
- Page 83 and 84: Bipolární tranzistory Za daných
- Page 85 and 86: Bipolární tranzistory RE 100 1,
- Page 87 and 88: Bipolární tranzistory 3.4.5 Vliv
- Page 89 and 90: Bipolární tranzistory R out ,2 1
- Page 91 and 92: Bipolární tranzistory u 2 i ci
- Page 93 and 94: Bipolární tranzistory 16. Jaký v
- Page 95 and 96: áze I B . Hodnota odporu R E = 100
- Page 97 and 98: Bipolární tranzistory a) určete
- Page 99 and 100: Unipolární tranzistory 4 Unipolá
- Page 101 and 102: Unipolární tranzistory Unipolárn
- Page 103 and 104: Unipolární tranzistory Předpokl
- Page 105 and 106: Unipolární tranzistory 4.5 Chová
- Page 107 and 108: Unipolární tranzistory 4.6 Konstr
- Page 109 and 110: Unipolární tranzistory Charakteri
- Page 111 and 112: Unipolární tranzistory 4.8 Ampér
- Page 113 and 114: Unipolární tranzistory Earlyho na
- Page 115 and 116: Unipolární tranzistory g m 2 I
- Page 117 and 118: Unipolární tranzistory dielektrik
- Page 119 and 120: Unipolární tranzistory b) Ze vzta
- Page 121 and 122: Unipolární tranzistory odtud I ny
- Page 123 and 124: str. 9395; 4 str. 70; 2 Unipol
Bipolární tranzistory<br />
u<br />
2<br />
i<br />
<br />
c<br />
r<br />
r<br />
ce<br />
ce<br />
R<br />
R<br />
C<br />
C<br />
<br />
r<br />
r<br />
ce<br />
ce<br />
R<br />
R<br />
r<br />
e<br />
C<br />
C<br />
<br />
<br />
1<br />
1 u .<br />
Napěťové zesílení zesilovače v zapojení SE je potom<br />
A<br />
USE<br />
<br />
u<br />
u<br />
2<br />
1<br />
<br />
<br />
1<br />
<br />
r<br />
r<br />
ce<br />
ce<br />
R<br />
e<br />
C<br />
R<br />
r<br />
C<br />
(3.21)<br />
Znaménko mínus znamená, že se jedná o invertující zesilovač. Pro většinu moderních tranzistorů platí,<br />
že 1 a rce<br />
RC<br />
. Potom<br />
<br />
1 1<br />
a<br />
r<br />
r<br />
ce<br />
ce<br />
R<br />
R<br />
C<br />
C<br />
R<br />
C<br />
<br />
1<br />
1<br />
R<br />
C<br />
r<br />
ce<br />
R<br />
C<br />
Vztah (3.21) potom má tvar:<br />
A<br />
Poznámka:<br />
R<br />
C<br />
USE <br />
(3.22)<br />
re<br />
Uvědomme si, že pro větší signály je f <br />
r e → zesílení je nelineární.<br />
u 1<br />
Příklad 3.2<br />
Předpokládejme zapojení uvedené na obr. 3.19, s hodnotami:<br />
U CE U<br />
CC 2 6 V, R C = 10 kΩ, β = 100, R E = 1,5 kΩ, I C = 0,6 mA, R A = 175 kΩ, R B = 25 kΩ, a<br />
Earlyho napětí U A = 100 V, (nebo odečteme z charakteristik I C = f(U CE ) – obr. 3.6b – UCE<br />
IC<br />
v okolí pracovního bodu). Určete hodnotu napěťového, proudového a výkonového zesílení.<br />
Řešení:<br />
Ze vztahu (3.12) určíme, že<br />
r<br />
e<br />
1 UT<br />
26 mV<br />
43 <br />
g I 0,6 mA<br />
Ze vztahu (3.11) určíme<br />
e<br />
EP<br />
U A U<br />
CEP 100 6<br />
rCE 177 k<br />
3<br />
I 0,<br />
6 10<br />
CP<br />
Ze vztahu (3.19) určíme vstupní odpor báze tranzistoru<br />
r<br />
431001<br />
<br />
R <br />
4343<br />
ib<br />
1 e<br />
Ze vztahu (3.20) určíme celkový vstupní odpor<br />
75