Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu
Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu
Bipolární tranzistory Příklad 3.1 Stanovte hodnoty odporů R A , R B v obr. 3.20a) je-li například zadáno: R C = 10 kΩ, U CC = 12 V. Úbytek na R C požadujeme 6 V (přibližně symetrická limitace signálu v kolektoru). Je-li β = 100, je Řešení: I C U CC R C 2 6V 0,6 mA 4 10 I B I C 0,6 mA 100 6 A Pro požadované U RE = 1 V obdržíme U RE 1V RE 1, 67 k I 0,6 mA C Zvolíme R E = 1,5 kΩ (odporová řada) pak Potom U U RE B R U E RE I C U 1500 0,6 10 BE 3 0,9 V 0,9 V 0,6 V 1,5V Volíme-li proud odporem R A desetkrát větší než prou I B (I B = 6 μA) obdržíme I A = 60 μA. Za této situace lze považovat dělič „za tvrdý“ (málo zatížený proudem báze) a platí (požadujeme) tedy U R A CCR B dále musí platit tedy 60 A U CC 12 V RA RB 200 k I 60 A U R CC A R R B B A 1,5 V U B 1,5 V RB A B 25 U 12 V CC Nyní můžeme určit, že R R 200 k k R R R 200 k 25 k k RA A B B 175 V praxi dáme nejspíše R B = 22 kΩ a R A složíme z hodnoty odporu 150 kΩ a nastavitelného odporu (trimru) 47 kΩ. Pracovní bod nastavíme trimrem. . 72
Bipolární tranzistory Při zvoleném postupu nevedou i značné změny proudového zesilovacího činitele k výrazné změně pracovního bodu tranzistoru. Toto je velmi výhodné při sériové výrobě (nebo při eventuální opravě). 3.4 Základní zapojení s jedním bipolárním tranzistorem 3.4.1 Zapojení se společným emitorem – SE Všechna zapojení na obr. 3.18 až 3.20 jsou zapojení se společným emitorem. Ideální zdroj napětí má nulový vnitřní odpor (toto musí být i v praxi zajištěno – například i zapojením vhodných (tzv. blokovacích) kondenzátorů mezi napájecí a zemnící svorku) a proto jsou ve všech zapojeních (na uvedených obrázcích) emitory tranzistorů připojeny k referenčnímu uzlu (zemi – signálové). Kondenzátory C V1 a C V2 oddělují pracovní body jednotlivých zesilovacích stupňů. Musí být voleny tak, aby jejich reaktance X 1 CV1,2 byla zanedbatelná pro všechny pracovní frekvence (ω = 2πf). Kritické jsou proto minimální hodnoty ω min = 2πf min , kdy dosahují reaktance maximální hodnoty. Kondenzátor C E „zkratuje“ odpor R E pro střídavé signály. Musí platit 1 min CV 1, 2 RE R C 1 . E E min tedy Pro střídavé signály tak můžeme všechny kondenzátory a všechny zdroje napětí nahradit zkratem. Obdržíme stejné signálové schéma. Tranzistor modelován signálovým modelem z obr. 3.13 (nezáleží již, zda je to PNP či NPN, pracovní bod byl již „zajištěn“ a malé změny – signálové – mají už stejný model). Výsledný signálový model je na obr. 3.21. u 1 i 1 R V i b i v C B u 2 0 V i e u e E i r ce R C r e i c E Obr. 3.21: Signálové schéma zapojení SE bipolárního tranzistoru ( NPN i PNP – obr. 3.16, obr. 3.19, obr. 3. 20) Odpor R V reprezentuje dělič na vstupu tranzistoru určující pracovní bod. Ze zapojení vyplývá, že pro obvody na obr. 3.18 je R V = R B . Pro obvody na obr. 3.20 je R V rovno výsledné hodnotě paralelního zapojení odporů R A a R B 73
- Page 21 and 22: Základy analýzy obvodů s neline
- Page 23 and 24: Základy analýzy obvodů s neline
- Page 25 and 26: Základy analýzy obvodů s neline
- Page 27 and 28: Polovodičové diody 2 Polovodičov
- Page 29 and 30: Polovodičové diody 2.2 Přechod P
- Page 31 and 32: Polovodičové diody T = absolutní
- Page 33 and 34: Polovodičové diody C K S 3 0
- Page 35 and 36: Polovodičové diody g d D D U D
- Page 37 and 38: Polovodičové diody Pro U S = - 10
- Page 39 and 40: Polovodičové diody I D Lavinový
- Page 41 and 42: Polovodičové diody Z aplikace Ohm
- Page 43 and 44: Polovodičové diody Problém na ob
- Page 45 and 46: Polovodičové diody W g h (2.18
- Page 47 and 48: Polovodičové diody 2.5 Druhy diod
- Page 49 and 50: Polovodičové diody a) statický o
- Page 51 and 52: Polovodičové diody G d R d C d N
- Page 53 and 54: Příklad 2.7 Polovodičové diody
- Page 55 and 56: Bipolární tranzistory 3 Tranzisto
- Page 57 and 58: Bipolární tranzistory Určitá č
- Page 59 and 60: Bipolární tranzistory Jedná se o
- Page 61 and 62: I I I I Bipolární tranzisto
- Page 63 and 64: Bipolární tranzistory U BEP UT U
- Page 65 and 66: Bipolární tranzistory 3.2.3 Tranz
- Page 67 and 68: Bipolární tranzistory Proud I CB0
- Page 69 and 70: Bipolární tranzistory 3.3 Nastave
- Page 71: Požadujeme-li 2 CE U CC U je opě
- Page 75 and 76: Bipolární tranzistory u 2 i c r
- Page 77 and 78: Bipolární tranzistory A PSE A 2
- Page 79 and 80: Bipolární tranzistory R VST R RV
- Page 81 and 82: Bipolární tranzistory Uvažujme n
- Page 83 and 84: Bipolární tranzistory Za daných
- Page 85 and 86: Bipolární tranzistory RE 100 1,
- Page 87 and 88: Bipolární tranzistory 3.4.5 Vliv
- Page 89 and 90: Bipolární tranzistory R out ,2 1
- Page 91 and 92: Bipolární tranzistory u 2 i ci
- Page 93 and 94: Bipolární tranzistory 16. Jaký v
- Page 95 and 96: áze I B . Hodnota odporu R E = 100
- Page 97 and 98: Bipolární tranzistory a) určete
- Page 99 and 100: Unipolární tranzistory 4 Unipolá
- Page 101 and 102: Unipolární tranzistory Unipolárn
- Page 103 and 104: Unipolární tranzistory Předpokl
- Page 105 and 106: Unipolární tranzistory 4.5 Chová
- Page 107 and 108: Unipolární tranzistory 4.6 Konstr
- Page 109 and 110: Unipolární tranzistory Charakteri
- Page 111 and 112: Unipolární tranzistory 4.8 Ampér
- Page 113 and 114: Unipolární tranzistory Earlyho na
- Page 115 and 116: Unipolární tranzistory g m 2 I
- Page 117 and 118: Unipolární tranzistory dielektrik
- Page 119 and 120: Unipolární tranzistory b) Ze vzta
- Page 121 and 122: Unipolární tranzistory odtud I ny
Bipolární tranzistory<br />
Při zvoleném postupu nevedou i značné změny proudového zesilovacího činitele k výrazné<br />
změně pracovního bodu tranzistoru. Toto je velmi výhodné při sériové výrobě (nebo při eventuální<br />
opravě).<br />
3.4 Základní zapojení s jedním bipolárním tranzistorem<br />
3.4.1 Zapojení se společným emitorem – SE<br />
Všechna zapojení na obr. 3.18 až 3.20 jsou zapojení se společným emitorem. Ideální zdroj<br />
napětí má nulový vnitřní odpor (toto musí být i v praxi zajištěno – například i zapojením vhodných<br />
(tzv. blokovacích) kondenzátorů mezi napájecí a zemnící svorku) a proto jsou ve všech zapojeních (na<br />
uvedených obrázcích) emitory tranzistorů připojeny k referenčnímu uzlu (zemi – signálové).<br />
Kondenzátory C V1 a C V2 oddělují pracovní body jednotlivých zesilovacích stupňů. Musí být voleny<br />
tak, aby jejich reaktance X 1 CV1,2<br />
byla zanedbatelná pro všechny pracovní frekvence (ω = 2πf).<br />
Kritické jsou proto minimální hodnoty ω min = 2πf min , kdy dosahují reaktance maximální hodnoty.<br />
Kondenzátor C E „zkratuje“ odpor R E pro střídavé signály. Musí platit 1 min CV<br />
1,<br />
2 RE<br />
R<br />
<br />
C 1 .<br />
E<br />
E min<br />
tedy<br />
Pro střídavé signály tak můžeme všechny kondenzátory a všechny zdroje napětí nahradit<br />
zkratem. Obdržíme stejné signálové schéma. Tranzistor modelován signálovým modelem z obr. 3.13<br />
(nezáleží již, zda je to PNP či NPN, pracovní bod byl již „zajištěn“ a malé změny – signálové – mají<br />
už stejný model). Výsledný signálový model je na obr. 3.21.<br />
u 1<br />
i 1<br />
R V<br />
i b<br />
i v<br />
C<br />
B u 2<br />
0 V<br />
i e<br />
u e<br />
E i<br />
r ce<br />
R C<br />
r e<br />
i c<br />
E<br />
Obr. 3.21: Signálové schéma zapojení SE bipolárního tranzistoru<br />
( NPN i PNP – obr. 3.16, obr. 3.19, obr. 3. 20)<br />
Odpor R V reprezentuje dělič na vstupu tranzistoru určující pracovní bod. Ze zapojení vyplývá,<br />
že pro obvody na obr. 3.18 je R V = R B . Pro obvody na obr. 3.20 je R V rovno výsledné hodnotě<br />
paralelního zapojení odporů R A a R B<br />
73