31.01.2015 Views

Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

SHOW MORE
SHOW LESS

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.

Bipolární tranzistory<br />

Proud I CB0 vstupuje celý do báze a je zesilován β krát. Zbytkový proud označený jako I CE0 je<br />

největší zbytkový proud. K průrazu tranzistoru dochází (desítky voltů) nárazovou ionizací (viz kap.<br />

2.2.6). Pravděpodobnost nárazové ionizace [3] roste s proudovou hustotou nosičů náboje. Průrazné<br />

napětí v tomto režimu se označuje U BRCE 0 a je to většinou nejmenší průrazné napětí tranzistoru.<br />

Výjimkou mohou být tranzistory s velkým proudovým zesilovacím činitelem β. Mají velmi<br />

tenkou bázi a zde může dojít (dříve než k průrazu U BRCE 0 ) k tzv. stykovému průrazu. (punch-through -<br />

již při 2 až 3 V; [4]). Tento stav nastane tehdy, když se ochuzená oblast zavřeného přechodu C-B<br />

rozšíří až k přechodu E-B, tranzistor je vlastně zkratován a dojde k jeho zničení. Tyto tzv. „superbeta“<br />

tranzistory se často používají v integrovaných obvodech. Spolehlivou funkci je třeba zajistit přesně<br />

definovaným napětím mezi C a E.<br />

Poslední diskutovaná situace je na obr. 3.14c. Mezi bází a emitorem je zapojen odpor R, proud<br />

I CB 0 nevstupuje do báze celý, část proudu U BE R je odvedena. Zbytkový proud v tomto režimu se<br />

označuje I CE R a jeho velikost je v intervalu I CB 0 (malé hodnoty R) až I CE 0 (velké hodnoty R).<br />

Popsané skutečnosti jsou kvalitativně znázorněny na obr. 3.15. Kolektorový proud nesmí<br />

překročit maximální hodnotu kolektorového proudu I C MAX (u diod I D MAX ) – dáno konkrétní konstrukcí<br />

tranzistoru (diody).<br />

proud<br />

(mA)<br />

I CE 0<br />

1000<br />

800<br />

Stykový<br />

průraz<br />

I CE R<br />

I CB 0<br />

600<br />

400<br />

200<br />

0<br />

10 mA<br />

0 10 20 30 40 50 60 70 80<br />

U BRCE 0 U BRCB 0<br />

napětí (V)<br />

Obr. 3.15: Kvalitativní znázornění poměrů popisovaných u obr. 3.14.<br />

Výkonová ztráta tranzistoru je dána součinem napětí U CE a proudu I C – kolektorová ztráta<br />

(výkon rozptýlený v přechodu B-E je malý)<br />

P<br />

C<br />

UCE<br />

IC<br />

(3.18)<br />

a mění se v teplo. Pouzdro tranzistoru je schopno vyzářit pouze určitý výkon P CMAX (do okolí). Pokud<br />

je hodnota P CMAX překročena, polovodivá struktura se přehřeje, může dojít k destrukci (poškození)<br />

polovodiče. Hraničnímu stavu P CMAX = U CE·I C odpovídá ve výstupních charakteristikách parabola<br />

mezního výkonu – obr. 3.16 – tečkovaná čára.<br />

67

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!