Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Bipolární tranzistory
E
i e
r e E i T i i c
C
i e
0 V
i c U
T
re
i b
I
EP
i b
u eb
B
u bc
Obr. 3.13: Obecné signálové schéma pro tranzistory NPN i PNP a dvě správné přípustné
šipkové konvence (vyznačené plně a přerušovaně), vždy platí i e = i c + i b ;
signálový emitor
3.2.4 Mezní parametry bipolárních tranzistorů
Napájecí napětí U CC v obvodu s tranzistorem nesmí být větší než průrazné napětí přechodu B-
C. Základní situace pro zapojení se společnou bází (SB) je nakreslena na obr. 3.14a. Emitor je
rozpojen (I E = 0), závěrný proud I CB0 diodou C-B protéká do společné svorky (viz přechod P-N
v závěrném směru). Průrazné napětí za této situace označujeme U BRCB0 , je to nejvyšší dosažitelné
závěrné napětí než dojde k jeho poškození (víc tranzistor nikdy nevydrží).
Je-li uzemněn emitor tranzistoru – zapojení se společným emitorem (SE) – obr. 3.14b, je
situace horší.
a) b) c)
U CC
U CC
I E = 0
I CB0
R C
U CC
U BE
I CB0
R C
I CE0 = βI CB
R
U BE
I B0
R C
I CER
U BE
R
Obr. 3.14: Určení zbytkových proudů a průrazných napětí tranzistorů:
a) v zapojení se společnou bází (SB)
b) v zapojení se společným emitorem (SE)
c) v zapojení SE s odporem R mezi bází B a emitorem E
66