Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Bipolární tranzistory
Odpor r CB lze většinou zanedbat – potom platí
i i .
c
ci
Odpor r e zapojený mezi E i a E modeluje právě vlastnosti diody B-E v propustném směru – vůči
malosignálovým změnám. Při zvolené idealizaci platí
tedy
u
i
c
re
u 0 r i
(3.17)
u
r
be
be
e
u
be
e
g
e
e
Toto je ve shodě se vztahy (3.14) a (3.15). Signálový model na obr. 3.10 tedy skutečně
vyhovuje shora uvedenému a lze jej použít pro analýzu obvodů s tranzistorem NPN, známe-li jeho
pracovní bod.
E
i e
r e E i T i i ci i c
u re
0 V
C
i b
B
r CB
u be
u cb
Obr. 3.10 Signálový model tranzistoru s idealizovaným tranzistorem T i
a) b)
P N E BC P
E
C
C
I C
I E
I C
B
I B
U EB > 0
I B
U BC > 0
U EB
E
I E
B
Obr. 3.11: Kvalitativní zobrazení struktury tranzistoru PNP:
a) zapojení se společnou bází – SB (šipky proudů jsou voleny „přirozeně“ podle
toku proudů; I E = I C + I B , I C = α I E , I C = β I E )
b) symbol tranzistoru PNP
64