Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Bipolární tranzistory
U BEP UT
U BEP UT
U BEP U T a IE
e
IE0
e IEP
V aktivním režimu platí 1
0 1 . Potom
signálová (diferenční) vodivost (často označována jako strmost v m A V je
g I U
(3.13)
e
EP
T
I
E
I
E
U BE U
T
0 e 1
I E
(mA)
tečna v pracovním bodě P
I EP
P
P
Δ I E
- I E0
0
U BEP
Δ U BE
U BE (V)
Obr. 3.9: A-V charakteristika přechodu B-E
a je určena pouze podílem stejnosměrného proudu emitoru I EP (pracovní bod) a teplotním napětím U T
(26 mV při 300 K). Toto je velmi užitečný výsledek, protože pro signálové změny v okolí pracovního
bodu P pak zjednodušeně platí (Δ U BE → u be , Δ I E → i e )
ie
ge
(3.14a)
ube
nebo
ie
ube
re
ie
(3.14b)
ge
kde
U
BE
re
1
(3.15)
g I
je signálový odpor diody B-E.
e
E
Signálový model, který vyhovuje uvedeným vztahům je na obr. 3.10.
Reálný tranzistor T je modelován (popsán) pomocí odporů r e a r CB a idealizovaného
tranzistoru T i , který má nulové (signálové) napětí mezi bází B a interním emitorem E i (na který si
nelze „sáhnout“). Ideální tranzistor T i je popsán vztahy
i
ci i b
i
ci
ie
ie
(3.16)
1
i
e
i
ci
i
b
63