Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Bipolární tranzistory
I
C
U
CB
I
E
(3.12)
rCB
kde r CB je většinou v intervalu 1 MΩ až 10 MΩ .
α·I C
E
B i
C
U BE
I E
I B
B
r CB
I C
U CB
Obr. 3.8: Zjednodušené náhradní schéma tranzistoru NPN
(pro I CB0 = 0, α = konst)
3.2.2 Chování tranzistoru při malých (signálových) změnách u be , i b , i e –
signálový model tranzistoru
Pro jednoduchost budeme předpokládat, že α i β mají stejné hodnoty pro stejnosměrné i
dynamické hodnoty signálu (pro „střídavé“ signály) v okolí zvoleného (nastaveného) pracovního bodu
P. Z obr. 3.8 vyplývá, že vlastně musíme určit pouze vztah mezi změnou napětí Δ U BE (→ u be ) a
změnou proudu Δ I E (→ i e ) . Poměry v „kolektoru“ jsou jednoznačně určeny řízeným zdrojem proudu
a odporem r CB , tedy
I
C
přičemž člen
I
E
U
r
CB
CB
U CB rCB
lze ve většině praktických případů zanedbat vůči členu I E .
Charakteristika přechodu B-E je na obr. 3.9.
Pro velmi malé změny v okolí pracovního bodu P (U BEP , I EP ) lze exponenciálu nahradit ekvivalentní
vodivostí g e (viz kap. 1 – linearizace, vodivost definovaná tečnou v bodě P). Pro odvození g e vyjdeme
ze vztahu (3.7).
g
e
lim
0
I
U
E
BE
d
dU
BE
d
U BE U T
IE
IE0
e 1
dU
BE
U BE
U BEP
g
e
I
U U 1
BEP T
E0 e
UT
62