Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

I
I
I
I
Bipolární tranzistory
I
1 I . Earlyho jev má nyní (β + 1) krát větší vliv než v zapojení
E B C B B
B
SB [1]. Jestliže budeme definovat diferenciální odpor v zapojení SE jako (viz detail obr. 3.6b)
r
CE
U
I
CE
C
3
100
V
A
30k
potom přibližně platí (pro stejný tranzistor jako v zapojení SB)
rCB
3 M
r CE 30k
(3.10)
1
101
Po prodloužením lineárních (horizontálních) částí závislosti výstupních charakteristik
v zapojení SE tranzistoru [I C = f(U CE ); I B je parametr] se tyto úseky protnou přibližně v jednom bodě
na ose U CE [2] – viz obr. 3.7. Tomuto bodu odpovídá určité napětí – Earlyho napětí U A . Diferenční
(přírůstkový) odpor mezi kolektorem C a emitorem E pak zjednodušeně určíme pro pracovní bod
(U CEP , I CP ) pomocí Ohmova zákona,
r
U
U
A CEP
CE (3.11)
ICP
protože při daném zjednodušení je vidět, že trojúhelníky (Δ U CE , Δ I CE ) a (U A , U CEP , I CP ) jsou
podobné. Platí proto:
r
CE
U
I
CE
C
U
A
U
I
CP
CEP
I C
I CP
U CEP
I B – parametr
Δ U CE
Δ I C
U CE
U A
Obr. 3.7: Znázornění Earlyho napětí U A
V některých katalozích se napětí U A udává, rozumí se tím hodnota U A pro zapojení SE. Na
základě udělaných kvalitativních úvah je možné odhadnout, že pro zapojení SB by se jednalo o
hodnotu (β + 1) krát větší.
Zanedbáme-li v aktivním režimu proud I CB0 přechodem C-B (v závěrném stavu) a odpor r B ,
potom možné ekvivalentní schéma tranzistoru je na obr. 3.8.
V této podobě je již α konstantní, závislost α na U CB (Earlyho jev) je popsána rezistorem r CB . Platí, že
61